密闭式热场下<111>晶向Si单晶高晶转生长研究

在Kayex CG6000单晶炉上采用优化的350 mm密闭式热场,在23~25 r/min高晶转下用直拉法拉制出了Φ76.2~125 mm、n型高阻<111>晶向Si单晶,单晶的外形和径向电阻率均匀性良好。对<111>晶向Si单晶在高晶转下生长容易出现扭曲变形、棱面较宽现象的原因进行了分析。通过添加热屏,加强热场的保温和热屏的隔热作用,及缩小等径生长阶段熔Si液面与热屏间的距离,提高了晶体结晶前沿的温度梯度。从而避免了<111>晶向Si单晶的扭曲变形,减小了单晶棱面宽度,同时有利于消除晶体的漩涡缺陷。     

无卤无磷高热可靠性覆铜板

本文介绍的无卤无磷高热可靠性覆铜板，其亮点突出表现在两方面： 1、高热可靠性。在板材的玻璃化温度（Tg）、热分解温度（Td）、热分层时间（T-288）、耐焊性（288℃）、压力锅试验（PCT）和热膨胀系数（CTE）等方面，均处于当前的技术前沿。 2、无卤、无磷，对环境更友好。 产品开发，不仅要突出创新，同时要重视环保。近年来，业界对环保型覆铜板不断提出新的要求，反映了人们对环保问题的重视和环保意识的提高。无卤、无磷高热可靠性覆铜板的成功开发，表明了我国覆铜板技术水平在迅速提高。这一成果将对我国覆铜板行业技术进步，产生积极推动作用。 对企业采说，关心的不仅是成果，更关心的是成果的转化。我们衷心希望，这项成果早，日转化，成为产品、成为商品，为企业创造更好的效益。[编者按]     

La掺杂PZST反铁电陶瓷电场诱导热释电现象

研究了Ｌａ掺杂ＰＺＳＴ反铁电陶瓷在不同偏置电场下的场诱热释电特性。在０～１２０°Ｃ温度范围内，热释电的峰值和峰位可以用电场的大小来控制，热释电系数达到１０－７Ｃ／ｃｍ２·Ｋ。     

制备过程中对VO_2薄膜热致相变光电性能的控制

本文利用真空还原V2 O5的方法制备出优质对VO2 薄膜 ;研究了不同真空还原时间VO2 薄膜热致相变过程中光电性能的影响 ;利用XPS、XRD对薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究。制备的薄膜高 /低温电阻变化最大达到三个数量级 ,90 0nm处的光学透过率在相变前后改变了 40 %左右 ,热致相变性能优良。讨论了不同的真空还原时间下VO2 薄膜热滞回线的宽度、相变温度点以及高低温光透射性能。最后给出了最佳真空还原时间。     

微纳级双极晶体管的热耗散研究

对于双极性晶体管,由于自身存在的自加热现象,严重地影响着器件的特性。基于热电流方程、泊松方程及电流密度方程,在二维器件仿真环境下,进行了微纳级小尺寸npn双极性晶体管热现象的器件物理特性分析。重点研究了器件的集电极电流IC与晶格温度T的因变关系。研究结果显示,随着IC的增加,器件的晶格温度逐渐升高,VCE保持在3.0V、VBE达到最大值0.735V时,随器件晶格温度的升高VBE将减小。最后,笔者给出了描述晶体管温变关系的三维曲线。     

热光Si共振腔型可调谐滤波器

报道了利用Si基键合技术和化学机械抛光工艺制作的垂直结构的Fabry-Perot可调谐滤波器,调谐机理为pn结正向注入电流引起的热光效应.调谐范围可达23nm,响应时间约为300μs,并给出了获得更快响应和更低能耗的热光和电注入可调谐滤波器件结构改进方案.     

热释电型红外焦平面阵列成像模拟实验研究

讨论了热释电型红外焦平面阵列成像系统及基本的信号处理，包括信号差分处理、非均匀性校正等，利用自扫描光电二极管列阵（SSPA）对热释电型红外焦平面阵列成像系统进行了模拟实验，获得了满意的图像，为进一步研制热释电型红外焦平面阵列成像系统打下了基础。     

新型VO_2相变薄膜的制备

采用离子束溅射和退火工艺制备了一种新的相变型薄膜VO2。此种薄膜的方块电阻为120～148kΩ,电阻-温度关系曲线显示该薄膜的相变温度接近室温。SEM分析表明,所制备的薄膜致密均匀。样品的明场透射电子显微图像显示,制备的薄膜是多晶薄膜,晶粒尺寸达到纳米数量级。XRD分析表明,该薄膜的成分中除了含有VO2外,还含有V2O5,说明该工艺制备的是含有VO2的混合物,而不是纯VO2薄膜。     

微波管高温烘排时阴极温度的估算

为了估算微波管高温烘排时的阴极温度,本文提出了一种将炉温等效为热子温度的方法。采用这一方法可简便地估算出钡钨阴极及氧化物阴极在烘排时的温度。本文还对烘排炉温对阴极温度的贡献进行了讨论。