第三代电子器件—真空FET的现状

概述了真空FET的基本原理、特性及现状.为拓宽器件的电路功能,近年来研制了各种结构,以便用一个器件完成除放大和开关以外的更多的电路功能,如倍增、倍频、信号分离器等.此外,为简化器件的制造工艺 ,突破传统真空FET的频率限制,还论述了平面结构的薄膜真空FET的现状以及用GaAs InP等单晶半绝缘材料取代SiO_2.作阴-栅介质层,以此降低器件的寄生电容,提高器件的输入阻抗,这就显著提高了器件的工作频率.最后,论述了真空微电子器件作为平板显示器的应用概况.现已研制出用于Laptop计算机、导航终端及便携式电视用的<4″的平板显示器.大面积彩色平板显示屏正在研制中.     

钛酸铅系薄膜的热释电性能及其应用

叙述了钛酸铅系薄膜的热释电原理，介绍了国际上近几年钛酸铅系薄膜材料、制备工艺及热释电性能，并与块状陶瓷材料进行了比较，分析表明钛酸铅系薄膜具有优良的热释电性能及可观的应用前景。     

超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。     

热壁LPCVD设备使用中几个问题的探讨

文章就热壁ＬＰＣＶＤ设备使用过程中出现的几个问题作了较全面的分析，提出了一些解决办法，并就设备易出现的故障及维护谈一点体会。     

静电粉末喷涂喷塑试验与应用

简介了静电粉末喷涂的基本原理，叙述了粉末涂料的选择、设备的选型、喷涂前处理，列举了影响喷涂质量的各种因素，指出了施工注意事项。     

无人机应用GPS定位导航的升空试验分析

通过以电影经纬仪跟踪测量的无人机载ＧＰＳ动态试验及已知地面控制站精确位置坐标的地面ＧＰＳ静态试验，对ＧＰＳ及位置差分ＧＰＳ动态定位特性，定位误差分布进行了统计分析，并对ＧＰＳ定位误差的平稳性问题即定位误差短时漂移范围做了考察，获得了飞行试验数据及分析统计结果。这些结果为ＧＰＳ对与无人机定位与导航控制，在ＧＰＳ在组合导航中进行导航修正的算法设计及工程实现奠定了基础。     

一种新的触头材料—Cu—Mo系合金

本文介绍了近年来国外研制Ｃｕ－Ｎｏ系触头材料的情况。详细地介绍了该种材料的制造方法和电性能。     

CQC广州分中心迁址

检测过程中的许多可变因素会影响试验结果的重复性，因此，必须严格按照标准规定的试验方法和步骤进行试验，下面是针对大量使用软材料的按摩电器类产品如何正确进行耐燃试验提出的关键控制点。     

高阶半线性抛物型方程组的生命跨度

其中m,P,q>1．利用试验函数方法,首先推导一些积分不等式,然后对方程组爆破解的生命跨度 [0,T)给出估计．