Nanoporous Structure in Low-Dielectric Films with Positronium Annihilation Lifetime Spectroscopy

We investigate nano-porous structures in thin low-dielectric films, i.e. the pore sizes, distributions, and interconnectivity, by using depth profiled positronium annihilation lifetime spectroscopy (PALS). It is found that PALS has good sensitivity to probe both interconnected and closed pores in the range from 0.3nm to 3Onto, even in the film buried beneath a diffusion barrier. A series of low dielectric constant films of organosilicon-silsequioxane with different weight percentages of porogen have been comparatively investigated. The PALS technique can be used to distinguish the open porosity from the closed one, to determine the pore size, and to detect the percolation threshold with the increasing porosity that represents the transition from closed pores to interconnected pores.Furthermore, the pore percolation length can be derived.     

Structure and Photoluminescence of Nano-ZnO Films Grown on a Si （100） Substrate by Oxygen- and Argon-Plasma-Assisted Thermal Evaporation of Metallic Zn

Nano-ZnO thin films were prepared by oxygen- and argon-plasma-assisted thermal evaporation of metallic Zn at low temperature, followed by low-temperature annealing at 300℃ to 500℃ in oxygen ambient. X-ray diffraction patterns indicate that the nano-ZnO films have a polycrystalline hexagonal wurtzite structure. Raman scattering spectra demonstrate the existence of interface layers between Zn and ZnO. Upon annealing at 400℃ for i h, the interface mode disappears, and photoluminescence spectra show a very strong ultraviolet emission peak around 381 nm. The temperature-dependent PL spectra indicate that the UV band is due to free-exciton emission.     

信息技术的新经济学（二）

四、信息技术的新经济学 如上所述,信息技术的价值随时间的推移是不断增加的,需求不断增强,价格不断地下跌,而总的费用却是不断增长。这些观察资料如何影响着确定这些系统的投资和管理是否明智的基本的经济定式呢? 1.寿命周期 理解信息技术新经济学的第一步是认识到每一代新的信息技术都有一个与其功能生命周期无关的经济寿命周期。计算机很少用坏,但是,它们的经济性会变得过时,从而被取代。举例子而言,桌面PC机、服务器和共享的超级计算机均在硬件停止工作的很长一段时间以前,其功能已经变成过时了。     

镍中氢与缺陷互作用的正电子寿命和多普勒展宽研究

采用正电子寿命和多普勒展宽技术研究了退火、回复及冷轧镍中氢与缺陷的互作用．结果表明：冷轧镍充氢后正电子平均寿命和多普勒展宽S参数上升，并且寿命谱的两成分拟合出现一个390ps的长寿命分量；而退火及回复镍充氢后正电子平均寿命和多普勒展宽S参数均不改变．因此认为冷轧镍充氢后正电子参数（平均寿命和S参数）的上升取决于氢和空位的互作用，与氢和位错的互作用无关；氢空位对也可以作为聚集空位的核心 关键词：     

指数分布下步加试验中的区间估计

在交叉步进应力加速寿命试验中，假定在各组应力下产品的寿命分布为指数分布，对于定数截尾样本，求加速方程中系数的线性无偏估计（ＢＬＵＥ）。在此基础上本文通过构造某些枢轴量，并用Ｍｏｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法给出了加速系数及正常应力下，产品可靠性特征量的置信区间。最后给出了一个数值例子。     

利用“热”标准芯片评价集成电路的热性能

本研究研制出了符合国情的“热”标准芯片Ｓ、Ｍ、Ｌ三种规格，研制出了壳温变化小于０．５℃，相对误差小于２．３１％的恒定壳温电学法ＩＣ热阻测试系统，获得了２４种常用外壳和多种封装工艺热阻典型值及离散性，定量分析了同种样品，不同厂家封装的热阻差别；芯片面积对热阻的影响；粘片工艺对热阻的影响；背面金属化对热阻的影响。本研究还进行了实际电路与标准芯片稳态热阻比较，电学法与红外法热阻比较，说明研究成果有很好的     

红外热像在混合集成电路热性能分析中的应用

本文介绍了红外热像法测温的基本原理及测量方法，说明了红外像在混合集成电路热性能分析的应用范围，并给出了应用实例，同时指出了红外热像法应用的前景和局限性。     

四种别藻蓝蛋白三聚体的时间分辨荧光光谱研究

研究了从Ａｎａｂａｎａｖａｒｉｂｉｌｉｓ中提取的４种别藻蓝蛋白ＡＰＣＩ，ＡＰＣＩＩ，ＡＰＣＩＩ及ＡＰＣＢ三聚体的稳态光谱和皮秒荧光光谱。采用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法对瞬态荧光光谱进行拟合，实验结果表明：ＡＰＣＩ荧光有两个带，其中第一个带位于６６２ｎｍ，有两个时间组分：３５．８ｐｓ和１．６７ｎｓ；第二个带位于６８０ｎｍ，有两个时间组分：３４．２ｐｓ和１．６４ｎｓ；ＡＰＣＩＩ瞬态荧光位于６６０ｎｍ，有两个时间组分：２０．４ｐｓ和１．６４ｎｓ；ＡＰＣＩＩ瞬态荧光位于６６０ｎｍ，有两个时间组分：２３．８ｐｓ和１．７６ｎｓ；ＡＰＣＢ瞬态荧光有两个带，其中第一个带位于６６２ｎｍ，有两个时间组分：３６．６ｐｓ和１．４５ｎｓ；第二个带位于６８０ｎｍ，有两个时间组分：２５．８ｐｓ和１．６２ｎｓ。实验结果一方面说明了藻胆体核内４种别藻蓝蛋白形成能量传递的两条途径；另一方面瞬态荧光解叠结果揭示了ＡＰＣＩ和ＡＰＣＢ三聚体内能量传递的超快过程。     

一种漂移室定位子性能反常现象的研究

研究了一种漂移室定位子性能的反常现象,它关系到定位子的使用寿命．着重测量了暗电流和随机噪声与时间、高压及温度的关系.     

阶跃电压法确定产生寿命的计算公式

采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间瞬态特性方程，给出了阶跃电压法确定产生寿命的一个计算公式。