土壤内水分流动及温度分布计算——耦合型模型

本文目的在于发展一个计算土壤内水分输送及能量交換的物理模型——耦合型模型,驱动该模型的大气条件是由实测而得的,引用对蒸发的土壤表面阻抗关联了在大气中水汽通量与从地表的蒸发,由于这种阻抗引入,计算模拟的结果与实测值达到了较好的吻合。     

直接散斑法测量各种材料试件的变形

本文给出一种试件表面处理方法,它可以解决对于各种材料试件(例如有色金属、黑色金属、玻璃钢、碳纤维复合材料、陶瓷、岩石、混凝土制品等)使用直接散斑法进行变形测量的问题。文中阐述了基本原理和操作方法,给出了在铝合金材料、碳纤维复合材料、玻璃钢复合材料试件上进行断裂力学实验的结果。     

基于非线性兰姆波的热双金属残余应力表征

该文研究了热双金属带材的兰姆波非线性效应与温度、应力的关系,建立了非线性超声检测系统,结合X线衍射(XRD)法确定应力值。将热双金属分别加热到100℃、200℃和310℃,保温1 h后空冷,对比不同温度对非线性系数的影响,分析常态和热处理降应力后热双金属的非线性系数和应力值的关系。实验结果表明,热双金属在常温和经100℃、200℃加热后的非线性系数基本不变,而经过310℃稳定化热处理降低应力后,非线性系数明显降低;验证了热双金属中兰姆波二阶、三阶非线性系数对应力值敏感且随应力增大而增大,其均可用于表征残余应力状态;根据应力值与非线性系数的关系得到拟合函数,并验证了通过拟合函数计算应力的可行性,这为使用非线性系数评估应力提供了一种参考方法。     

薄层SOI/MOSFET’s热载流子电流的数值模拟

本文应用“幸运电子”概念，取代平均电场热载流子模型［１］，利用二维数值计算的方法，建立起一组热载流子向栅氧化层注入的注入电流和栅电流模型（包括热电子和热空穴）．通过分别对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ和相应的体硅器件模拟计算得出：栅电流和实验数据符合得很好；体硅器件的注入电流和通常一样，最大值发生在Ｖｇ＝Ｖｄ／２处；然而在薄膜（包括中等厚膜）ＳＯＩ器件中，由于存在着前栅、背栅的耦合作用，热载流子电流变化较为复杂．栅电流不能完全表现注入电流的变化情况．准确模拟注入电流是研究薄膜（包括中等厚膜）ＳＯＩ器件热载流子效应所     

缺少投影角度与时变物体断层重建的外推恢复正弦图方法

本文针对缺少投影角度及物体时变这两类缺损投影数据问题，在分析了限宽间区域及限频域图像的雷当变换的若干性质基础上，分别导出基于最小均方误差准则的外推公式，从而得到完整的正弦图的最佳估计，基于这一外推所得的正弦图，可以利用传统的断层重建方法对物体进行重建，本文给出了外推公式的推导过程有其求解的迭代算法，计算机模拟结果显示了这一技术的有效性。     

线切割机床编程浅谈

本文介绍了使用Ａｕｔｏ－ＣＡＤ软件及ＢＡＳＩＣ程序编制线切割机床所用３Ｂ程序的过程，给出了一种通过计算机交互对话，编写３Ｂ程序的方法，代替了手工编程，提高了编程速度与可靠性。     

Ge-Sb-Se硫系薄膜制备及光学特性研究

介绍了几种常见的硫系薄膜制备方法, 根据现有实验条件采用热蒸发法和磁控溅射法制备出Ge-Sb-Se三元体系硫系薄膜, 通过台阶仪测试薄膜的厚度和表面粗糙度, 计算出两种制备方法的成膜速率, 并通过X射线光电子能谱测试了两种制备方法所得薄膜与块体靶材组分的差别. 利用Z扫描技术和分光光度计测试了热蒸发法制备所得薄膜的三阶非线性性能和透过光谱, 计算出非线性折射率、非线性吸收系数和薄膜厚度等参数. 结果表明热蒸发法制备Ge-Sb-Se薄膜具有良好的物理结构和光学特性, 在集成光学器件方面很高的应用潜力.     

凝视热成像系统MTF测试技术分析

概述了目前进行高成像系统ＭＴＦ测试的几个主要方法，着重分析了其中的斜缝法和激光散斑法各自解决问题的工作原理，技术特点及技术关键，指出，对于凝视成像系统的ＭＴＦ测试，这是两种比较值得研究和推广的技术。