盘形激光器的应用进展

较高功率等级和较高光束质量的结合是推动激光工业加工发展的真正因素。传统的Nd：YAG棒状激光器因其热透镜效应的限制很难实现这一目标。用二极管取代灯泵浦能减少热透镜效应，但光束质量在大功率下仍受到限制。Trumpf公司最近研制成功了一种能够解决     

Optimal Control of Non-well-posed Heat Equations

This work is concerned with Pontryagin＇s maximum principle of optimal control problems governed by some non-well-posed semilinear heat equations. A type of approach to the non-well-posed optimal control problem is given.     

三核铜（I）配合物的合成与荧光光谱

室温下，通过双核配合物[Cu(dppm)(NO3)]2(dppm=双二苯基膦甲烷)与四苯基硼钠在甲醇和二氯甲烷混合溶剂中反应制备了三核铜(I)配合物[Cu3(dppm)3(NO3)(OH)](NO3)，经过红外光谱、热重分析、核磁和ES-MS等现代分析手段表征了配合物的物理化学性质，并进一步研究了配合物在室温下的荧光光谱特征。     

碳纳米管阵列、捆束的三步升温工艺制备及其形貌与结构

使用结构简单的单温炉设备，通过三步升温热解二茂铁、三聚氰氨混合物方法，在二氧化硅、多晶陶瓷基底上分别合成了碳纳米管阵列、碳纳米管捆束.使用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、电子能量损失谱和x射线光电子能谱对合成样品进行了结构和成分分析.结果显示：两种基底上合成的纳米管均为多壁纯碳管；生长于光滑二氧化硅表面的碳纳米管具有高度取向性和一致的外径，长度为10—40μm.碳纳米管采取催化剂顶端生长模式并展示出类杯状形貌；生长于粗糙多晶陶瓷表面的碳纳米管捆束随机取向，碳纳米管直径为15—80nm，长度在几百微米，展示 关键词： 碳纳米管 热解法 三步升温工艺     

高精度微细加工激光切割机

Amader公司的超微细加工激光切割机可切割直径达0．01mm的金属箔，并可打直径为0．01mm的微孔。振荡器为密封盘型输出功率为250W的CO2激光器。该切割机可用于IT产品的薄型化和需在装配过程精密化中很难加工的电子部件或薄片的试制和批量生产。适于加工的原材料厚度为0．05～0．5mm的不锈钢或磷青铜等薄板金属。加工的材料热变形小，     

激光诱导间质肿瘤热疗的数值模拟和实验研究

本文在考虑生物组织物性动态变化的情况下建立了激光诱导间质肿瘤热疗(LITT)的物理数学模型,采用MonteCarlo方法数值模拟了LITT中激光能量在生物组织内的传输过程,基于Pennes生物传热方程和Arrhenius方程数值求解了组织内的温度分布和热损伤体积的变化,分析了热物性及血液灌注率的动态变化对LITT过程的影响,并与相应的离体实验结果进行了对比。数值模拟结果表明,组织的热物性及血液灌注率的动态变化对于热损伤体积的变化具有重要的影响。因此在激光诱导间质肿瘤热疗的数值模拟中应该考虑热物性及血液灌注率的动态变化以期为临床治疗方案的制定提供更为准确的依据。     

Fabrication of Zeolite A Rods with Irregular Macropores by Self-assembly of Zeolite A Microcrystals Using Microwave-assisted Hydrothermal Synthesis

Zeolite A rods by self-assembly of zeolite A microcrystal were successfully synthesized by microwave-assisted hydrotherrnal synthesis. The average size of zeolite crystals consisting of self-assembling materials was about 300 nm and the length of zeolite rods was in the range of 15--30μm.     

Structure and Photoluminescence of Nano-ZnO Films Grown on a Si （100） Substrate by Oxygen- and Argon-Plasma-Assisted Thermal Evaporation of Metallic Zn

Nano-ZnO thin films were prepared by oxygen- and argon-plasma-assisted thermal evaporation of metallic Zn at low temperature, followed by low-temperature annealing at 300℃ to 500℃ in oxygen ambient. X-ray diffraction patterns indicate that the nano-ZnO films have a polycrystalline hexagonal wurtzite structure. Raman scattering spectra demonstrate the existence of interface layers between Zn and ZnO. Upon annealing at 400℃ for i h, the interface mode disappears, and photoluminescence spectra show a very strong ultraviolet emission peak around 381 nm. The temperature-dependent PL spectra indicate that the UV band is due to free-exciton emission.     

利用“热”标准芯片评价集成电路的热性能

本研究研制出了符合国情的“热”标准芯片Ｓ、Ｍ、Ｌ三种规格，研制出了壳温变化小于０．５℃，相对误差小于２．３１％的恒定壳温电学法ＩＣ热阻测试系统，获得了２４种常用外壳和多种封装工艺热阻典型值及离散性，定量分析了同种样品，不同厂家封装的热阻差别；芯片面积对热阻的影响；粘片工艺对热阻的影响；背面金属化对热阻的影响。本研究还进行了实际电路与标准芯片稳态热阻比较，电学法与红外法热阻比较，说明研究成果有很好的     

红外热像在混合集成电路热性能分析中的应用

本文介绍了红外热像法测温的基本原理及测量方法，说明了红外像在混合集成电路热性能分析的应用范围，并给出了应用实例，同时指出了红外热像法应用的前景和局限性。