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11.
较高功率等级和较高光束质量的结合是推动激光工业加工发展的真正因素。传统的Nd:YAG棒状激光器因其热透镜效应的限制很难实现这一目标。用二极管取代灯泵浦能减少热透镜效应,但光束质量在大功率下仍受到限制。Trumpf公司最近研制成功了一种能够解决 相似文献
12.
Geng Sheng WANG 《数学学报(英文版)》2005,21(5):1005-1014
This work is concerned with Pontryagin's maximum principle of optimal control problems governed by some non-well-posed semilinear heat equations. A type of approach to the non-well-posed optimal control problem is given. 相似文献
13.
使用结构简单的单温炉设备,通过三步升温热解二茂铁、三聚氰氨混合物方法,在二氧化硅、多晶陶瓷基底上分别合成了碳纳米管阵列、碳纳米管捆束.使用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、电子能量损失谱和x射线光电子能谱对合成样品进行了结构和成分分析.结果显示:两种基底上合成的纳米管均为多壁纯碳管;生长于光滑二氧化硅表面的碳纳米管具有高度取向性和一致的外径,长度为10—40μm.碳纳米管采取催化剂顶端生长模式并展示出类杯状形貌;生长于粗糙多晶陶瓷表面的碳纳米管捆束随机取向,碳纳米管直径为15—80nm,长度在几百微米,展示
关键词:
碳纳米管
热解法
三步升温工艺 相似文献
14.
15.
红外热像在混合集成电路热性能分析中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了红外热像法测温的基本原理及测量方法,说明了红外像在混合集成电路热性能分析的应用范围,并给出了应用实例,同时指出了红外热像法应用的前景和局限性。 相似文献
16.
We study the pulsed laser ablation of wurtzite gallium nitride(GaN) films grown on sapphire,using the femtosecond laser beam at a central wavelength of 800nm as the source for the high-speed ablation of GaN films.By measuring the backscattered Raman spectrum of ablated samples,the dependence of the ablation depth on laser fluence with one pulse was obtained.The threwshold laser fluence for the ablation of GaN films was determined to be about 0.25J/cm^2,Laser ablation depth increases with the increasing laser fluence until the amount of removed material is not further increased.The ablated surface was investigated by an optical surface interference profile meter. 相似文献
17.
钛酸铅系薄膜的热释电性能及其应用 总被引:10,自引:1,他引:9
叙述了钛酸铅系薄膜的热释电原理,介绍了国际上近几年钛酸铅系薄膜材料、制备工艺及热释电性能,并与块状陶瓷材料进行了比较,分析表明钛酸铅系薄膜具有优良的热释电性能及可观的应用前景。 相似文献
18.
隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。 相似文献
19.
热壁LPCVD设备使用中几个问题的探讨 总被引:1,自引:1,他引:0
程开富 《电子工业专用设备》1996,25(2):30-32
文章就热壁LPCVD设备使用过程中出现的几个问题作了较全面的分析,提出了一些解决办法,并就设备易出现的故障及维护谈一点体会。 相似文献
20.