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本文介绍一种确定SOI/MOS结构中沿硅薄膜厚度多子漂移分布和杂质分布的简单方法(其掺杂剖面是随机不均匀的)。这种方法基于使用一种耗尽型晶体管与栅控二极管的组合结构。作者列举在激光区熔再结晶多晶硅制的SOI结构和SOS结构上以相同工艺制作器件的对比研究结果。由这些结果可见,在包含有晶粒间界和子晶粒间界的SOI薄膜中,沿膜厚的载流子迁移率是恒定的,而且远远超过SOS膜中的迁移率。 相似文献
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氦氖激光单侧人迎穴照射对血压的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
本试验观察了低功率氦氖激光单侧人迎穴位照射对人体血压的影响,实验结果健康组即血压正常者,照射前后血压值无变化,而高血压组,激光照射前后血压值差异非常显著(P<0.001),收缩压平均下降2.73±2.18KPa,舒张压下降1.69±1.29KPa. 相似文献
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不锈钢表面热喷涂陶瓷层经激光处理的显微结构研究吴秋红,贺连龙,李斗星,陶曾义,崔嵬,叶恒强(中国科学院金属研究所固体原子像实验室,沈阳110015)(华中理工大学机械二系)材料表面陶瓷涂层被广泛地用于提高耐磨和开成热阻挡层。等离子喷涂和热喷涂是获得材... 相似文献
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本文主要介绍陶瓷传感器在微型化及集成化方面的进展;指出了集成化多功能传感器存在的技术问题及未来发展趋势。 相似文献