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本文报导了半导体InP材料〔001〕带轴的高分辨结构象主要实验结果。采用400kV电子束,欠焦量为大约650A,同时In及P的结构象的最佳厚度约为260A。当厚度减缩到150A左右,只剩下P的原子象。当厚度增加到370A,只剩有In的原子象。实验得到的高分辨结构象和计算机模拟象是基本一致。当试样发生弯曲时,入射束与〔001〕带轴之间的夹角是0.18度。高分辨结构象代表In原子和P原子的亮点联接在一起。计算机模拟象证实了这一实验结果。 相似文献
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傅恩生 《激光与光电子学进展》2002,39(2):20-23
为了发展惯性约束聚变能驱动装置所需的技术,在日本电子技术实验室,建立了高重复率电子束抽运的KrF激光放大器,样机放大器的脉冲电源系统巳建成,以1Hz重复率产生-300KV、80ns的脉冲。用脉冲变压器、磁开关和水介质脉冲形成线代替通常的带有球隙开关的Marx发生器,得到高压电短脉冲,这个系统的关键技术这一是强制冷却方法和HIBACHI结构中的阳极箔增加了其寿命。设计采用辐射和传导作为主要冷却过程,并允许箔加温到高温。选择HAVAR和钼分别作承压箔和阳极箔,代替通常的钛箔。箔的最高温度通过数字计算表明本设计是可用的。 相似文献
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同等功率和照射时间条件下,在14只家兔大脑皮质运用伊文思蓝染料和超微结构观察方法进行血脑屏障改变的研究。结果表明:CO_2激光作用十分表浅,且激光作用后的水肿层血脑屏障改变是可逆的。 相似文献