低功耗44Gb/s CDR芯片内嵌在CMOS芯片中

富士通实验室开发出了业界第一个能以40～44Gb/s的速率执行时钟和数据恢复的CMOS芯片,使高速光SerDes模块的实现成为可能.     

反相胶束介质中漆酶催化反应中间体信息的捕捉及其解析

利用反相胶束独特的介质特性，捕捉到漆酶催化反应的中间体光谱动力学信号，实现了对酶催化反应过程的在线光谱研究．通过解析反应过程中在线测得的动力学光谱数据矩阵，解得中间体的生成和衰减均为一级反应，并求出实验条件下的反应速率常数．通过实验数据与解析结果的比较证实了方法的合理性．     

在线研讨会——与最新的产品发展、解决方案和技术更新同步

力科多通道高速串行信号分析解决方案SDAⅢ时间:2013-1-31移动通信和云计算的发展驱动着更高数据吞吐量的需求,PCIE Gen3、40/100 G base-R多通道串行架构的出现都是为了满足这种需求,但是随着数据速率的提高和更多通道的同时工作,     

一种典型的4B5B编解码电路

介绍了一种线路编解码电路，较详细说明了实现该编解码电路的原理和编码规则。虽然这种电路是针对综合业务环形网络项目的具体要求而进行研制的，但是，由于该网络运行的传输速率为42．96Mb／a，因此运用在它之中的这种编解码电路的研制成果，对于中高速编解码电路研制具有一定的参考作用。     

符号速率相关的带通采样速率选取及其仿真

带通采样速率选取是软件无线电技术的关键问题之一。分析了常用带通采样速率选取方法的不足：采样速率一般不是符号速率的整数倍,后续基带数字信号处理需要进行复杂的小数内插或抽取算法运算,实现相当困难且运算量很大。为解决这一问题,提出了一种实用的与符号速率相关的带通采样速率选取方法,在满足带通采样定理基础上,附加频谱间隔最大条件选取符号速率整数倍的采样速率,最后通过软件仿真验证了符号速率相关的带通采样速率选取方法的正确性和可行性。     

InP基光电探测器材料的MOCVD锌扩散

锌(Zn)扩散是制作InP基光电探测器(PD)的重要工艺过程.分析了锌扩散的机制,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备对InP基PD及雪崩光电探测器(APD)材料进行了锌扩散,由于MOCVD设备具有精确的温度控制系统,所以该扩散工艺具有简单、均匀性好、重复性好的优点.对于扩散后的样品,采用电化学C-V方法和扫描电子显微镜(SEM)等测试分析手段,研究了退火、扩散温度、扩散源体积流量和反应室压力等主要工艺参数对InP材料扩散速率和载流子浓度的影响,并将该锌扩散工艺应用于InP基光电探测器和雪崩光电探测器的器件制作中,得到了优异的器件性能结果.     

2009年爱立信EDGE Evolution将使数据速率达到目前的三倍

随着3GPP刚刚完成对EDGE Evolution的行业标准化，爱立信重申了其在2009年推出EDGE Evolution的承诺。这将通过对现有基础设施的软件升级来完成。届时，爱立信将在目前的GSM网络中实现高达1Mbit／s的数据速率，为全球现有的20亿GSM用户提供移动宽带服务。     

Stiefel流形上的单边干扰对齐预编码

干扰对齐通过在接收端重叠干扰能有效的提升干扰信道的容量。单边干扰对齐是指仅仅只有发射端参与的干扰对齐技术,它不需要接收端的参与,与双边干扰对齐技术相比可以大大的减小反馈量。本文在干扰子空间弦距离最小化的改进单边干扰对齐预编码算法方案的基础上,提出将预编码矩阵建模于Stiefel流形上,能够将有约束的最优化问题转化为无约束的最优化问题进行求解。仿真结果表明,将预编码矩阵在Stiefel流形上建模后求解与普通的最优化算法相比有更快的收敛速度和更高的和速率。      

协作NOMA系统中的一种新型节能功率分配方案

在传统的协作非正交多址（CNOMA, Cooperative Non Orthogonal Multiple Access)系统中,通常需要向弱用户分配更多的功率,分配给强用户的功率不超过总功率的一半。同时,强用户还需在协作阶段承担中继通信的任务。上述功率分配方式必将给强用户带来一定的负担。为了在满足弱用户服务质量的情况下,进一步提高强用户的中断性能,本文提出一种基于中继和无线携能通信（SWIPT, Simultaneous Wireless Information and Power Transfer）的新型功率分配方案。该方案使用能量收集设备收集能量,通过最大化系统和速率寻求无线携能通信的最优功率分割因子,从而获得系统中断概率的闭式表达。考虑到优化问题的性质,本文提出了一种在功率分配固定的情况下,通过单调优化求解无线携能通信功率分割因子的算法。仿真结果表明,与CNOMA系统的传统功率分配方案相比,本文所提方案能够在不损失弱用户中断性能的前提下,有效提升强用户的中断概率,系统和速率总体提高了近 20%。      

硅衬底超精密CMP中抛光液的研究

针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛光速率和表面进行了测试和表征.通过优化实验获得了高速率、高平整的抛光表面.去除速率(MRR)达697nm/min,表面粗糙度(RMS)降低至0.4516nm,在提高抛光速率的同时对硅片实现了超精密抛光.