一类高阶非线性动态系统周期解的逆算符表达

基于等效小参数法基本思想，应用分解法原理，通过引入逆算符和选择合适的线性与非线性算子，建立了一类非线性动态系统周期解的逆算符表达的递推算法，并利用Mathematica计算机代数语言开发出相应的软件系统，实现了该算法的计算机自动求解。利用该软件系统，可方便快速地求出周期解的解析表达式。文中给出了计算实例，并将算法所得结果与四阶Runge—Kutta数值方法的计算结果作了比较。理论和实例计算结果表明，该软件系统通用性强、精度高，是进行某类非线性动太民电路分析和计算的有力工具。     

46.8MeV的 ~(12)C非弹性散射

在Glauber多重散射理论框架下,使用跃迁密度方法和三种N-N湮没势,计算了46·8MeV的反质子在~(12)C上的非弹性散射微分截面.理论曲线与实验数据符合得较好.     

超快速COSY类2D NMR实验弛豫假峰的抑制

在脉冲梯度场基础上研究了进一步缩短COSY类2D NMR实验数据采集时间的新方法.利用主动屏蔽梯度场线圈的梯度场恢复时间仅为100μs数量级这一特点,提出一类基于脉冲梯度场消除弛豫假峰的脉冲序列.并以DQF-COSY脉冲序列为例加以验证.实验结果表明:采用文中的方法,取序列重复时间远小于T₁和T₂是切实可行的;梯度场技术能很好地抑制弛豫假蜂以达到2D NMK数据的快速采集.     

用正电子湮没方法鉴别InP半导体中的缺陷

本文测量了各种ＩｎＰ样品中的正电子寿命谱，用正电子湮没率连续分布测量（ＣＯＮ－ＴＩＮ分析）结合ＰＡＴＦＩＴ分析正电子寿命谱，肯定了在ｎ型和半绝缘型ＩｎＰ中有Ｉｎ空位ＶＩｎ和Ｐ空位ＶＰ，而在ｐ型ＩｎＰ中只观察到Ｉｎ空位ＶＩｎ．正电子寿命的温度关系表明所观察到的ｎ型和半绝缘型中的ＶＩｎ和ＶＰ以及ｐ型ＩｎＰ中的ＶＩｎ均为电中性．改进了常规的多普勒展宽谱仪．利用这一谱仪测量了ｎ型及半绝缘型ＩｎＰ的多普勒展宽谱，结合正电子寿命测量结果，观察到在掺Ｆｅ的半绝缘型ＩｎＰ中存在ＶＰ－Ｆｅ络合物     

用Technicolor理论研究稀有辐射衰变B_c→D_sγ

在一代Ｔｅｃｈｎｉｃｏｌｏｒ（ＴＣＩ）和带有一个无质量的标量二重态（ＴＣⅡ）模型下，计算荷电的哥尔斯通粒子对衰变Ｂ＿ｃ→Ｄ＿ｓγ的贡献，并把它们同标准模型的计算相比较，发现哥尔斯通粒子对电磁企鹅图的贡献很大（ＴＣＩ下），在ＴＣⅡ下贡献较小；而对弱湮没图的贡献可以忽略不计，还对同位旋三重态粒子π＋ｐ的质量进行了约束。预言将来在ＬＨＣ上能对不同模型下的分支比Ｂｒ（Ｂｃ→Ｄｓγ）的差异进行研究，进而对不同的模型进行检验。     

SU(1,1)相干态场与四能级原子相互作用系统中的场熵演化特性

利用双模SU(1,1)相干态场与四能级原子相互作用系统的态函数导出了场熵的计算公式,研究了初始光场参量和原子与光场间的耦合系数对场熵演化的影响.数值计算表明:随着初始场q和ζ参量的增加,场熵的均值逐渐增加,振荡频率增大,场熵演化的周期性随ζ的增加渐趋明显,但振荡幅度却明显减小.同时,随耦合系数的增大,场熵演化曲线的均值变化不明显,而其振荡频率急剧增大,振荡幅度也有所减小且趋于稳定,场熵敏感于原子与光场耦合系数.     

工科物理如何讲力学量算符

通过分析对波函数的作用引入动量算符，以哈密顿量为例证明或验证力学量算符的性质，用本征值和状态展开系数的模方表示力学量的平均值，说明力学量用算符表达是微观体系测量的不确定性和统计特征的要求。     

量子代数SUq（4）的多分量q相干态表示

引入SUq（4）的多分量q相干态，讨论了密度算符在这种相干态中的表示和生成元的非齐次微分实现．     

利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究

给出了超薄栅MOS结构中直接隧穿弛豫谱(DTRS)技术的细节描述,同时在超薄栅氧化层(＜3nm)中给出了该技术的具体应用.通过该技术,超薄栅氧化层中明显的双峰现象被发现,这意味着在栅氧化层退化过程中存在着两种陷阱.更进一步的研究发现,直接隧穿应力下超薄栅氧化层(＜3nm)中的界面/氧化层陷阱的密度以及俘获截面小于FN 应力下厚氧化层(＞4nm)中界面/氧化层陷阱的密度和俘获截面,同时发现超薄氧化层中氧化层陷阱的矩心更靠近阳极界面.     

逆算符方法求解非线性动力学方程及其一些应用实例

首先简介逆算符方法及如何实现对它的数学机械化;然后用逆算符方法研究了三个典型的非线性方程:Lorentz方程,广义Duffing方程和双耦合广义Duffing方程。用四阶龙格-库塔方法进行比较,说明逆算符方法比龙格-库塔方法具有更高的精度和更快的收敛性。本文把逆算符方法应用于混沌行为的研究,并将此法在微机上实现了数学机械化。该法有很大的普适性,特别适用于对复杂问题的定量计算,大有应用和发展前途。 关键词：