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51.
测量了不同C或B含量经不同烧结温度制备的Si基半导体、单晶Si、单晶SiO2、石墨和纯多晶B样品的正电子寿命谱和符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱。结果表明,石墨的商谱谱峰最高,SiO2的谱峰次之,B的谱峰最低。随着B,C和O原子序数的增加,与正电子湮没的电子动量增加。含20%的C和含100ppm的B的样品的商谱的谱峰最高;含100ppm的B的样品的谱峰次之;含1ppm的B的样品的谱峰最低。随着烧结温度的升高,含100ppm的B的Si基半导体样品的商谱降低,正电子寿命增长,缺陷开空间和浓度升高。 相似文献
52.
Based on the atomic superposition approximation (ATSUP) and first-principles pseudopotential plane-wave methods, the bulk and Mg mono-vacancy positron lifetime of magnesium oxide were calculated using Arponen-Pajamme and Borofiski-Nieminen positron-annihilation-rate interpolation formula respectively. The calculated values are in good agreement with experimental values and the first-principles method gives more convincing results. The positron annihilation density spectra analysis reveals that positrons mainly annihilate with valence electrons of oxygen atoms when the magnesium-vacancy appears within magnesium oxide. 相似文献
53.
54.
对熔体急冷法制备的Fe43Co43Hf7B6Cu1非晶合金进行了200,300,400和500 ℃保温30 min的退火处理,用正电子湮没寿命谱、X射线衍射、穆斯堡尔谱等方法研究了退火后试样的结构及结构缺陷变化.结果表明,在非晶合金的制备态,正电子主要在非晶基体相空位尺寸的自由体积中湮没,湮没寿命τ1为158.4 ps,强度I1关键词:
43Co43Hf7B6Cu1非晶')" href="#">Fe43Co43Hf7B6Cu1非晶
退火处理
正电子湮没寿命
结构与结构缺陷 相似文献
55.
利用不变本征算符法研究了n模耦合谐振子量子系统的简正频率及其对应的简正坐标与共轭动量,并对系统的哈密顿量进行了退耦合,得到了系统的明显的简正频率解析解.推导出坐标表象中系统的精确波函数的解析解.并对不同情形的耦合系数进行了讨论,认识到n模动量耦合谐振子体系和n模坐标耦合谐振子体系是本文所研究的体系的特例. 相似文献
56.
用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷 总被引:1,自引:0,他引:1
用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品.揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷,具有284ps左右的寿命值.电子辐照能使这种缺陷的浓度增大,使平均寿命值从辐照前的265Ps增大到辐照后的268ps.低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷Gasb.掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa,284 ps类型的缺陷. 相似文献
57.
利用Husimi算符作为一个纯态密度算符的事实,我们导出了热场态的Husimi函数及其边缘分布.通过绘制相空间的Husimi分布图形,我们简要讨论了高斯展宽参数以及热真空态的温度对Husimi函数的影响. 相似文献
58.
59.
计算表明,与场的相干态类似的原子相干态,具有不同于场的相干态的压缩行为;进一步证明:直接类比于(?)(ξ)不能得到“原子压缩算符”. 相似文献
60.
本文假定e+e-湮没时产生的胶子的强子化,胶子首先劈裂成一对等效的夸克、反夸克对.夸克之间的色相互作用,碎裂成末态强子.由此计算的e+e-→3jet事例中的带电粒子多重数,胶子与夸克jet中多重数比率,以及e+e-三胶子事例中的重子比率,都与实验结果一致.解释了e+e-→3jet末态粒子的角分布. 相似文献