半导体CdTe纳米晶的合成及其光学性能

半导体CdTe纳米晶的合成及其光学性能;CdTe;纳米晶;光学性能     

以含铬类水滑石型层状化合物为模板制备硫化物半导体纳米晶

采用类水滑石型混合金属氢氧化物(CdCr-LDH和ZnCdCr-LDH)为前驱体, 通过气-固反应方法, 制备了根植于层状氢氧化物层板中的硫化镉纳米晶和硫化镉/硫化锌复合纳米晶, 通过改变前驱体(CdCr-LDH)中镉和铬的摩尔比可以调控硫化镉纳米晶的粒径.     

ZnWO4单晶衬底上ZnO薄膜的晶核发育与形貌分析

ZnWO4单晶的a晶面与氧化锌c晶面晶格匹配很好,是制备氧化锌薄膜的优良衬底.本文采用溶胶-凝胶法在ZnWO4单晶衬底上制备出透明的ZnO薄膜.通过光学显微镜对薄膜晶核发育过程和形貌进行了详细的分析.实验结果表明:在结晶刚开始,系统将经历成核--长大的过程,随着生长过程的进行,在主晶轴上(一次轴)上又长出二次轴、三次轴等等,最后逐渐形成树枝状晶核.由于ZnO晶核是在非平衡条件下生长的,故在晶核发育过程中又出现了三种不同的生长形态--成核生长、枝晶生长和分形生长.     

Studies on heteronuclear diatomic molecular dissociation energies using algebraic energy method

The algebraic energy method (AEM) is applied to the study of molecular dissociation energy $D_e$ for 11 heteronuclear diatomic electronic states: $a^3\Sigma^+$ state of NaK, $X^2\Sigma^+$ state of XeBr, $X^2\Sigma^+$ state of HgI, $X^1\Sigma^+$ state of LiH, $A^3\Pi(1)$ state of ICl, $X^1\Sigma^+$ state of CsH, $A(^3\Pi_1)$ and $B0^+(^3\Pi)$ states of ClF, $2^1\Pi$ state of KRb, $X^1\Sigma^+$ state of CO, and $c^3\Sigma^+$ state of NaK molecule. The results show that the values of $D_e$ computed by using the AEM are satisfactorily accurate compared with experimental ones. The AEM can serve as an economic and useful tool to generate a reliable $D_e$ within an allowed experimental error for the electronic states whose molecular dissociation energies are unavailable from the existing literature.     

PECVD低温制备微晶硅薄膜的研究

实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上制备了微晶硅薄膜.研究了氢稀释比、衬底温度、射频功率等因素对薄膜晶化的影响,得出在一定范围内随着衬底温度的升高、射频功率和氢稀释比的增大,薄膜的晶化率得到提高;但进一步提高沉积温度、射频功率反而会使薄膜晶化效果变差,并对晶化硅薄膜低温生长的机理进行了初步的探讨.     

微波水热法制备ZnO纳米晶

采用微波水热(microwave hydrothermal,M-H)法在MDS-6型温压双控微波水热反应仪中成功地制备出平均晶粒尺寸为30 nm且呈现棒状形貌的ZnO纳米晶.并在一定的水热温度和反应时间下系统研究了微波水热反应过程中[Zn2+]离子浓度、反应釜填充比、反应物浓度比[Zn2+]/[OH]等工艺因素对ZnO纳米晶的晶粒尺寸及形貌的影响.采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和透射电子显微镜(TEM)对所制备的ZnO纳米晶进行表征.结果表明:所制备ZnO的平均晶粒尺寸约为30 nm,ZnO纳米晶呈现棒状形貌.随着[Zn2+]离子浓度的增加,ZnO纳米晶的晶粒尺寸先减小后增大;随着反应釜填充比和反应物浓度比[Zn2+]/[OH]的增大,ZnO纳米晶的晶粒尺寸先减小后增大,并逐渐趋于稳定.制备ZnO纳米晶的最佳反应条件为:[Zn2+]=1.6 mol·L-1;反应釜填充比=70;;[Zn2+]/[OH]=1/2.     

复杂晶体硬度的理论和计算

现有材料的硬度可用硬度计来测量.从理论上严格计算硬度值是一件困难的事情.但随着超硬材料理论设计的蓬勃发展,硬度的预测成为一个瓶颈问题.本文系统介绍了利用复杂晶体化学键理论计算晶体硬度的基本理论,以及关于纳米晶硬度的计算方法.利用第一性原理几何优化方法建立了新近合成的具有氧缺陷的四方BC2N相的晶体结构.利用硬度理论预测了它的硬度.结果表明该物质是一个超硬半导体材料.     

基于季戊四醇的三代硅碳烷液晶树状物研究

用发散法合成了季戊四醇-四烯丙基醚为核、周边含硝基偶氮苯介晶基元(M-NO₂)端基的新型三代硅碳烷液晶树状物PCSi-3G-NO₂, 并利用元素分析、红外光谱(IR)、核磁共振(NMR)、偏光显微镜(POM)、差示扫描量热法(DSC)和X射线衍射(XRD)进行表征. PCSi-3G-NO₂显示胆甾相和近晶S_E相, 其液晶相行为是K57S_E115I100Ch80S_E53K. 而对应的介晶基元M-NO₂显示向列相, 二者在熔点、清亮点和液晶态温区等方面差别较大.     

晶型转变对尼龙11分子链运动的影响

Two crystal forms (α and δ′ form) of nylon 11 were prepared by melting, ice water bath quenching and annealing. The characteristic of chain movement of two forms was investigated using dielectric relaxation spectroscopy in the frequency range from 42 Hz to 5 MHz. The dielectric temperature spectra at different frequencies show that the primary α relaxation corresponding to the chain segment movement is located at higher temperature in α form, indicating the chain segment movement is restricted after δ′→α crystal transition. The activation energy of secondary β relaxation remained almost unchanged for two forms, but the relaxation time was longer and the relaxation strength was weaker for α form, confirming that the local relaxation was also restricted to some extent after δ′→α crystal transition.     

CdS纳米晶与多肽相互作用研究

研究了半导体CdS纳米晶的表面功能化及荧光光谱特性,并利用静电/配位自组装方法实现了多肽和CdS纳米晶的生物无机偶联,研究了纳米晶多肽偶联体系的荧光光谱以及多肽与CdS纳米晶之间的相互作用.结果表明:含巯基多肽对CdS纳米晶表面形成完善包覆,消除CdS纳米晶表面缺陷,使CdS纳米晶荧光增强;含端氨基多肽使CdS纳米晶荧光出现先升后降趋势;其余不含巯基和氨基的多肽均猝灭CdS纳米晶荧光,猝灭机制属于形成化合物所引起的静态猝灭,它们的结合常数约为2×104,结合位点数约为0.87～1.00.