十次准晶及近似晶体相的晶体学关系

在分析正五形的几何特征和正五边形的周期与准周期排列的基础上，讨论了具有五边形单元的二维周期点阵与准财期点阵的异同以及它们之间的转变。在Ａｌ－Ｃｏ二元系中，除了已知的单斜Ａｌ１３Ｃｏ４及正交Ａｌ３Ｃｏ的五角层状结构，还发现有五边形的边长及单胸参数ａ，ｃ均为τ＾２和τ＾３倍的合金相，如此无膨胀，就会得到单胸参数为无穷大的十次准晶。另一方面，Ａｌ６０Ｍｎ１１Ｎｉ４的两种已知正交结构的点阵参数ａ，ｃ均可用     

VHF-PECVD制备微晶硅材料的均匀性及其结构特性的分析

采用VHF-PECVD技术在多功能系统(cluster tool)中制备了系列硅薄膜，研究薄膜的均匀性及电学特性和结构特性。结果表明：气压和功率的合理匹配对薄膜的均匀性有很大的影响；材料的喇曼测试和电学测试结果表明微晶硅薄膜存在着纵向的结构不均匀，在将材料应用于器件上时，必须要考虑优化合适的工艺条件；硅烷浓度大，相应制备薄膜的晶化程度减弱，即薄膜中非晶成分增多。     

非晶Nb-Ni合金晶化过程中紫外光电子能谱研究

本文利用紫外光电子能谱和X射线衍射测量研究了非晶Nb_100-xNi_x(x=65,59.8,56.4)合金晶化过程中价带谱的变化。对NbNi₃价带谱中出现的双峰进行了讨论。 关键词：     

电视接收机本振泄漏对CATV系统的干扰

本文对电视接收机本振泄漏干扰作了较深入的论述,提出了消除本振泄漏对CATV系统干扰的方法。     

液晶研究（Ⅰ）──4＇－酰基－4－羟基－1，1＇－联苯酯类液晶的合成与性质

以４＇－羟基联苯为原料合成了８种新型４＇－酰基－４－羟基联苯酯类化合物．除化合物５＿ｈ外，均为新的近晶相液晶化合物．它们具有较宽的相变温度范围和较高的热稳定性．用偏光显微镜和差热分析仪研究了它们的相行为，讨论了分子结构对液晶相行为的影响．     

晶化温度对中孔分子筛（M41S）结构转变的影响

在低表面活性剂浓度及低表面活性剂与氧化硅比的条件下，研究了十六烷基三甲基溴化铵－硅酸钠体系中晶化温度对中孔分子筛Ｍ４１Ｓ材料结构转变的影响。结果有，晶化温度提高至１３５℃改变了原六方晶相ＭＣＭ－４１的结构，晶化温度提高到１５０℃后，中孔结构六方ＭＣＭ－４１晶格转变为变不稳定的层状相，     

乙基橙与α,β,γ-环糊精包结物诱导圆二色性的研究

本文研究了乙基橙(EO)α、β、γ、环糊精(CD~x)包结物的诱导圆二色性(ICD)。用Kirkwood偶合振动模型探讨了包结物的包结形式都为轴向包结。然后利用Job连续变量作图法确定了其络合比, 即a-CDx/EO=1:1,βCDx(γ-CDx)/EO=2:1、1:1。     

Highly Effective Phenol Hydroxylation over Ti-ZSM-5 Catalyst Prepared Using B-ZSM-5 as Precursor 以B-ZSM-5为母体合成Ti-ZSM-5高效苯酚羟基化催化剂

 以改进方法合成的B-ZSM-5为母体,采用气固相同晶取代法合成了较小晶粒的Ti-ZSM-5分子筛. 考察了样品的物化性能和催化苯酚羟基化性能. 结果表明: 所合成的小晶粒Ti-ZSM-5具有较高的结晶度,尺寸为100~200 nm,且不含锐钛矿型TiO2,对苯酚羟基化反应的催化性能优异.     

β晶型聚丙烯塑性形变过程中的形态变化

β晶型聚丙烯塑性形变过程中的形态变化沈静姝，任宏燕，况勋（中国科学院化学研究所高分子物理开放实验室，北京，１０００８０）史观一（中国科学院上海有机所，上海，２０００３２）关键词β晶型聚丙烯，塑性形变，形态全同立构聚丙烯的分子链都是３；螺旋链，但其晶体...     

高介电常数TiO2纳米晶的表面态研究

将钛酸四丁酯和硬脂酸在熔融状态下混合均匀后置于冷水浴中,使其凝固成凝胶,通过控制烧结过程中氧气的含量,成功地制备出粒度均匀、介电性能好的纳米晶TiO2.通过采用X射线光电子能谱和表面光电压谱对纳米晶TiO2表面状态的分析发现,材料表面存在大量的氧空位缺陷,暴露在粒子表面上的主要是一些金属Ti4+.纳米材料的这种表面状态对其极化性质具有重要的影响,使其在接近静态条件下的低频介电常数远大于常规材料的介电常数.