A New Type of Terahertz Waveguides

A new type of THz waveguides, which employs a solid polyethylene rod as the core and polyethylene tubes in a periodic array of square lattice as the cladding, is proposed. Optical properties of this new THz waveguide, especially in dispersion, confinement loss and single mode property, are investigated in detail with the plane wave expansion method and the beam propagation method. Numerical results demonstrate that the new THz waveguide can reach not only low dispersion but also low confinement loss at single mode propagation. Therefore, the square lattice structure is a better candidate as THz waveguides than the triangular ones.     

DS1620实现的X射线采集板温度自动控制

DR是目前非常先进的X射线成像技术，将其X射线采集板工作温度控制在最佳工作范围可采集更好的图像。本系统采用PC和单独控制双模块分别控制温度，利用半导体传感器DS1620进行四路温度采集，通过单片机和PC串口通信，用PC通过半导体制冷芯片来控制X射线采集板的工作温度，在通信故障时也可以通过单独控制模块来控制采集板的温度。     

基于多传感器数据融合方法的火灾模拟实验炉温度采集系统

基于多传感器算术平均值与分批估计的数据融合方法在火灾模拟实验炉上温度数据采集中的应用，用VB6．0开发了相应的实际应用系统。     

铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟

文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管（FEMFET）的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用，由于铁电层反偏偶极子的开关作用，自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化，并由直观原型的方法得到了验证。     

FTIR光谱遥测红外药剂的燃烧温度

本文利用遥感FTIR光谱，对红外药剂的燃烧特性进行了研究。在分辨率为4cm^-1时，收集4700－740cm^-1波段的光谱。从HF等燃烧产物发射的分子振转基带精细结构的谱线强度分布，可以对燃烧温度进行遥感测定，并给出了燃烧温度随时间的变化关系，实验结果表明燃烧表面附近温度梯度很大，存在着急剧的变化温度场，同时也说明，在不干扰火焰温度场的情况下，利用遥感FTIR光谱对剧烈的、非稳态快速燃烧的火焰温度进行连续实时的遥感测量，是一种快速、准确、灵敏度高的测温方法，显示了它在燃烧温度测量、产物浓度测试以及燃烧机理研究等方面的应用前景。     

幅相一致行波管高频电路CAD研究

 在行波管的设计和装配过程中，各部件的尺寸必须严格控制，高频电路参数的离散对行波管色散特性有极大的影响。使用螺旋导电面模型，模拟计算了高频结构各主要参数离散对色散特性和轴向互作用耦合阻抗的影响。分析计算了夹持杆宽度、翼片高度、螺旋线平均半径、螺距、夹持杆介电常数等离散时对色散特性和轴向互作用耦合阻抗的影响，为新型幅相一致行波管的设计和生产提供了很有价值的参考建议。     

基片温度和退火对DdIn2O4薄膜光学性质和载流子浓度的影响

对射频反应性溅射Cd-In合金靶制备的透明导电CdIn2O4薄膜，研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱，光学常数和载流子浓度的影响。结果表明：提高基片温度减少了薄膜的载流子浓度，退火增加了薄膜的载流子浓度。随着基片温度提高，薄膜折射率n和消光系数κ的短波峰将逐渐蓝移，而退火使其出现红移。基片温度和退火对薄膜光学常数的影响与其对薄膜载流子浓度的影响是一致的。在制备CdIn2O4这样一种对于沉积方法和沉积条件极为敏感的透明导电薄膜的沉积过程中，这一现象对于实时监控具有极为重要的意义。     

基片温度对TiB2薄膜生长形貌及力学性能的影响

TiB2是一种超硬材料,块体TiB2的硬度高达HV30Gpa,而且耐腐蚀、抗氧化,还具有优良的导电性能,是一种受到广泛重视的导电耐磨涂层材料[1].     

O在Au(111)表面吸附的密度泛函理论研究

应用密度泛函理论，本文系统地研究了O在Au(111)表面上的吸附能、吸附结构、功函数、电子密度和投影态密度，给出了覆盖度从0.11ML到1.0ML的范围内，O的吸附特性随覆盖度变化的规律.研究发现O的稳定吸附位为3重面心立方(fcc)洞位，O在fcc洞位的吸附能对覆盖度比较敏感，其值随着覆盖度的增加而减小；O诱导Au(111)表面功函数的变化量与覆盖度成近线性关系，原因是Au表面电子向O偏移，形成表面偶极子；O—Au的相互作用形成成键态和反键态，且反键态都被占据，造成O—Au键很弱，O吸附能较小. 关键词： 表面吸附 Au(111)表面 密度泛函理论 电子特性     

Growth studies of m-GaN layers on LiAlO2 by MOCVD

This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on （200）-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition （MOCVD） method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer＇s thickness. The high transmittance （80%）, sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate.