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分析了千兆以太网体系结构,给出了符合IEEE 802.3z标准中1000BASE-X规范的发送器电路结构,并采用TSMC 0.25 μm CMOS 混合信号工艺设计了符合该规范的高速复接电路和锁相环时钟倍频电路.芯片核心电路面积分别为(0.3×0.26)mm2和(0.22×0.12)mm2.工作电压2.5 V时,芯片核心电路功耗分别为120 mW和100 mW.时钟倍频电路的10倍频输出时钟信号频率为1.25 GHz,其偏离中心频率1MHz处的单边带相位噪声仅为-109.7 dBc/Hz.在驱动50 Ω输出负载的条件下,1.25 Gbit/s的高速输出数据信号摆幅可达到410 mV. 相似文献
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54.
在北京同步辐射装置上应用同步辐射X射线小角散射技术研究TATB样品微孔状况,分析了微孔结构参数的变化。采用不同制备工艺(机械研磨、化学合成、气流细化、全结晶、粉碎)和不同存放时间的TATB粉末样品共计7份。 相似文献
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56.
GaryGoldberg 《中国电子商情》2005,(2):17-17
在电子制造领域,激光二极管技术正成为一种非常有效的、可以对各种产品进行选择性焊接的方法。它适用于那些具有中低数量零部件,连接器、紧密针脚/针脚排列的产品.或者是某些特殊类型的应用。激光二极管技术为制造工艺带来了.一致性和可靠性.并且其对锡铅焊接和无铅焊接具有同等的精度。 相似文献
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59.
本文介绍了应用正交法优化人造水晶生长工艺的方法并在此基础上提出了生长工艺较为理想的设计;进一步明确了实际生产当中Q值,生长速率,包裹体等各单项指标的优化方法,准确估计目前正使用的生长工艺距理想工艺的距离。从而有效地提高人造水晶生长工艺水平,在实际生产提供可靠的指导依据。本文给出利用正交法优化人造水晶生长工艺的较详细的操作和分析方法。 相似文献
60.
光刻是制造大规模集成电路的主要方法。由于快速计算机和多功能处理器不断发展,并提出很多新的要求,促使半导体集成线路制造商力求增加单片上的元件密度。元件密度受最小光刻尺寸限制。虽然光刻工艺水平已能刻出准波长特征尺寸的集成线路的线宽,但是,连续发展几代的单片集成线路要求光源波长从436nm到365nm。用248nm波长光源(KrF准分子激光器).光刻的特征尺寸为0.25μm。期望能生产0.18μm特征尺寸的集成线路。为了生 相似文献