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211.
元件的生产要求周期越来越短,质量越来越高,数量也越来越小。许多新的材料,诸如特种钢、陶瓷或复合材料,另外要求在生产技术中有很高的柔性。毫不奇怪,在产品供应的小中企业中,竞争越来越激烈。利用一种由德国夫琅霍费激光技术研究所开发的方法,能够获得这种与时间赛跑的成功:激光去除工艺可使最硬的工件自动成型,而无需要换刀具。  相似文献   
212.
本文对频率输出的硅微机械结构电容压力传感器进行了研究。利用有限元程序和解析方式对岛-膜硅电容膜片进行了分析。采用硅体型微机械加工技术和集成电路兼容工艺完成了压力元件的制作。对易于CMOS集成的两种新颖的接口电路进行了分析和设计,提高了传感器的性能。  相似文献   
213.
214.
215.
研究了氢氟酸(HF)湿法刻蚀石英玻璃的化学机理,探索了针对衍射光学元件制作的刻蚀工艺,得到相关实验规律和工艺参数。最后对实验误差进行定量分析,得到湿法刻蚀的可控精度。  相似文献   
216.
以半导体工业学会为半导体工业制定的标准作为依据,描述了当前集成电路封装研究的现状。涉及到以下关键范围:设计、分析和模拟、降低供电电压,强化散热、区域阵列互连,芯片筛选,低成本高密度基极以及小型化的单片封装,除了以上这些范围,着重研究了设计,制造以及可靠性分析中有关的问题。  相似文献   
217.
218.
用MOS—DYL工艺结构实现模糊逻辑功能   总被引:4,自引:1,他引:3  
郑启伦  赵明 《电子学报》1995,23(11):50-54
为了同一芯片上构造一种高速的模糊逻辑单片系统,本文采用电压型DYL工艺与电流型MOS工艺相结合的方法,设计了9种实现模糊逻辑基本功能的电路,并通过实验证明其可行性。  相似文献   
219.
李和委 《半导体情报》1996,33(6):6-16,54
简要介绍了HEMT-HBT单片集成技术,并对目前用选择MBE和HEMT-HBT综合工艺制作的HEMT、HBT器件和HEMT-HBT,放大器性能进行了评述。  相似文献   
220.
本文简略地介绍了采用埋置电阻型薄膜多层工艺技术研制的微光专用混合集成电路的电路原理,设计思想,以及电路性能,着重阐述了多层工艺中出现的问题及解决的方法。  相似文献   
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