浅谈“左手材料”在未来无线通信系统中的应用

0引言新型的左手材料(left-handed material)在固体物理、材料科学、光学和电磁学等领域已获得越来越多的关注。所谓左手材料是指介电常数ε、磁导率μ都为负值的材料,也称为双负介质(材料)或者负折射系数材料(negative refractive material)。     

无源元件

Vishay精密薄膜电阻大幅扩大工作温度范围日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出可在-55℃～+215℃宽温范围内工作的新款精密低TCR薄膜电阻---PLTT。与传统薄膜电阻相比,PLTT电阻的工作温度范围几乎扩大了     

一种新型温度不敏感阵列波导光栅的设计

提出了一种新型结构的阵列波导光栅。在AWG的阵列波导中嵌入多种补偿介质,补偿二阶或二阶以上温度偏移。首先从理论上推导出器件的工作原理表达式;其次给出了器件结构的设计方案,阵列波导采用同心圆结构设计,使得嵌入介质与波导垂直,有效减小了散射损耗,并显著提高了芯片的集成度。最后,对器件性能进行了评估,引入的附加损耗小于1dB;理论上实现了零温度偏移。     

X射线光电子能谱法研究In_(0.53)Ga_(0.47)As基Er_2O_3薄膜的能带排列

采用分子束外延(MBE)法在In_(0.53)Ga_(0.47)As衬底上沉积了金属Er薄膜,后经氧气退火得到Er_2O_3薄膜。台阶仪测得该Er_2O_3薄膜厚约10 nm。X射线光电子能谱(XPS)显示,采用此方法得到的Er_2O_3薄膜符合化学计量比。原子力显微镜测试结果显示,该薄膜表面平整。采用X射线光电子能谱同时测得Er 4d、In 3d和O1s的芯能级谱、Er_2O_3的价带谱以及O1s的能量损失谱,从而得到Er_2O_3的禁带宽度以及Er_2O_3与In_(0.53)Ga_(0.47)As衬底之间的价带偏移和导带偏移,数值分别为(5.95±0.30)eV、(-3.01±0.10)eV和(2.24±0.30)eV。通过X射线光电子能谱方法得到了Er_2O_3/In_(0.53)Ga_(0.47)As异质结的能带排列。从能带偏移的角度来看,上述研究结果表明,Er_2O_3是一种非常有应用前景的In_(0.53)Ga_(0.47)As基栅介质材料。     

基于Matlab的非均匀介质静电特性分析

针对传统的静电场分析主要局限于同种介质,在介绍有限差分法求电位分布原理的基础上,导出了非均匀介质有限差分法的计算公式,并运用Matlab编程分析了所设定的非均匀介质区域静电特性。仿真结果与静电场理论符合较好,有助于加深对电介质静电特性的理解。     

典型场景下电波传播特性建模

为了解决某些典型场景(如海上、山区、丘陵、城区)下无法使用已有基础模型来全面表达电波传播特性的问题,建立了一种在典型场景下,基于确定性抛物方程、适用于多个传输场景的统一电波传播模型。把典型场景等效为损耗介质层来求解边界条件,利用Fourier分步步进法得到相应解,然后得到电波在典型场景下的传播损耗,并进行了理论分析和实验验证。结果表明,在不同传输场景下,将统一电波传播模型与Miller-Brown模型、射线追踪模型进行比较,结果较吻合,验证了其正确性。这一结果对建立一种求解典型场景下电波传播衰落问题的统一电波传播模型是有帮助的。     

槽区加载介质矩形格栅慢波结构的色散与增益

建立了槽区内加载介质的格栅慢波结构模型.通过Borgnis函数法和场匹配法得到冷态和热态色散方程.并推导了耦合阻抗的表达式.在稀疏电子注的假设下,求得增益近似解的表达式.通过数值方法,求解并分析了加载介质对色散关系、基波耦合阻抗、基波相速和基波增益的影响.并指出分别在槽内加载介质和格栅对侧加载介质对高频特性的不同影响趋势.     

钛酸锌镁介质陶瓷的制备与介电性能

采用固相合成法制备了Mg0.22Zn0.78TiO3(简称MZT)化合物陶瓷粉体,研究了烧结助剂及Ca O掺杂对MZT介质陶瓷的烧结和介电性能的影响。实验结果表明,掺杂少量的Ca O能改善MZT陶瓷的介电性能,加入质量分数为10%烧结助剂,能获得一种能在较低温度下烧结的MZT系瓷料,烧结温度为1 000℃时,测得陶瓷样品的最佳介电性能:相对介电常数约为21,介质损耗小于1.5×10-4,介电常数温度系数符合C0G瓷料的要求。     

球型毫米波金属桁架天线罩研究

从球形毫米波天线罩的空间分块设计、金属桁架和连接节点设计、透波窗口设计以及安装架设方式等方面进行了详细论述,并通过一直径7 m、工作在20 GHz的金属空间桁架天线罩的设计实例和实验研究,证明文中所用方法行之有效,可推广应用于各种大型天线罩的电性能分析和选形设计。