混合集成电路用的封装材料

首先介绍混合集成电路封装技术的发展，然后讨论混合集成电路封装材料的选择及其依据，最后介绍新的混合集成电路封装材料。     

电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ     

镍氧化物纳米管可提高锂离子电池的电化学性能

澳大利亚伍伦贡大学（University of Wollongong）的几位研究者通过模板程序合成了单一取向、排列整齐的镍氧化物（NiO）纳米管束，并用于锂离子电池，从而提高了其电化学性能。     

多模激光自混合干涉实验与理论分析

根据单模激光自混合干涉的基本理论，基于多模竞争，建立多模激光自混合干涉模型，分析多模激光的自混合干涉波形。理论分析与实验观察表明，多模自混合干涉信号是激光管腔长的谐波函数，利用光强波 包络信号可进行大量程测量；激光模数增加有利于测量分辨率的提高；光强波动信号对应激光管等效腔长的整数倍时，可获得最大干涉信号调制深度。     

南宁有线电视台HFC网络上行通道指标分析

以TERAYON公司的电缆调制解调器为例，对南宁有线电视台HFC网络上行通道的载噪比进行了分析，并以此确定了光接收机、放大器的上行输入电平。     

激光二极管反馈干涉的实验观测

利用LabView软件虚拟示波器和信号源,观测了激光二极管反馈干涉实验现象．实验证明反馈回激光二极管的光的入射方向和入射光强以及信号处理电路的带宽,对反馈干涉信号有很大的影响．     

混合判断矩阵排序方法研究

本文介绍了混合判断矩阵及完全一致性混合判断矩阵的概念，提出了混合判断矩阵排序的一种最小偏差法，并给出了其收敛性迭代算法，最后通过算例说明了方法的可行性。     

混合信号芯片设计处理关键的转折阶段

通过简单地剪切和粘贴知识产权(IP)内核可以加快无工厂半导体公司的系统级芯片(SOC)设计。 过去十年中,涌现出大量的为系统制造商提供专用芯片(ASIC)的小型IC设计公司。这些被称为无工厂企业(因为他们将IC制造过程转交给商业芯片制造工厂),需要的启动资金较少,而且如果市场接受他们的产品的话,能够获得丰厚的回报。在大量设计工具的支持下,这些无工厂设计企业在历史悠久的大型芯片制造商,如IBM、Intel、Motorola和德州仪器公司所主导的市场中赢得了一席之地。     

Structural and Electrical Characteristics of Pb（Zr0.53,Ti0.47）O3 Thin Films Deposited on Si （100） Substrates

Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively.