InAs/GaAs自组织量子点的DLTS谱

将DLTS用于对InAs/GaAsQD结构样品的测量,测定了QD能级发射载流子的热激活能;获得了QD能级俘获电子过程伴随有多声子发射(MPE)、QD能级存在一定程度的展宽、以及在某些特定的生长条件下,存在亚稳生长构形的实验证据.结果表明:DLTS在QD体系的研究中有其特有的功能     

Cr3+在SrTiO3晶体中的晶场能级

由激发光谱及荧光光谱的测量,运用Tanabe-Sugano能量矩阵计算了Cr3+在SrTiO3晶体中的晶场能级.     

表面组装电子部件的可靠性探索

介绍了在表面组装技术的安装和焊接过程中可能产生的各种缺陷,探索了这些缺陷对电子部件可靠性的影响。分析了焊点最终失效的微观机理,并提出了获得高质量可靠焊点的初步意见。     

Analysis of Three Coupled Defects in One-Dimensional Photonic Bandgap Structure

The mutual interaction of three different defects in photonic crystals is studied theoretically. A theoretical model based on the classical wave analogue of the tight-binding （TB） picture is applied to the structure. We obtain analytic expressions for the eigenfrequencies and eigenmodes, from which the transmissions at resonance are derived. Based on this, a new type of the photonic quantum-well structure is investigated and its possible application is discussed. The TB predictions are compared with the transfer matrix method simulation results.     

GeⅩⅪ-SeⅩⅩⅢ离子n=3,Δn=0跃迁谱线和振子强度的计算

用HFR方法对CaⅨ-KrⅩⅩⅤ离子3s2,3s3p,3s3d,3p2组态能级结构进行了理论计算.在已有实验研究的基础上,通过分析离子能级沿等电子序列的变化规律,运用最小二乘拟合方法预言计算了GeⅩⅪ-SeⅩⅩⅢ离子3s2,3s3p,3s3d,3p2组态14条精细结构能级值.在此基础上,进一步计算了GeⅩⅪ-SeⅩⅩⅢ离子3s2-3s3p,3s3p-3s3d和3s3p-3p2跃迁的23条谱线波长和相应的振子强度.计算结果与已有的实验值十分吻合,波长的最大不确定度为0.008 nm.     

碳分子线基态特性理论研究

从第一原理出发,利用密度泛函理论B3LYP系统研究了碳分子线Cn(n＝3～10)的电子结构特性.对优化结果分析发现,由于离域效应的作用,当n为奇数时,分子线基态为单重态,反之,当n为偶数时,三重态为其稳定的基态.对其电子结构分析可得,随着n的增加,体系能量逐渐降低;同时本文确定了分子线体系最高占据轨道HOMO能量EH、最低未占据轨道LUMO能量EL与n的关系式,即EHn-2＜EHn＜EHn+2,ELn-2＞ELn＞ELn+2.因而碳分子线的费米能级会表现出特有的奇偶性.该工作将有利于准确认识分子器件的伏安特性,设计出良好性能的分子器件.     

Xα交换参数对钠原子激发态能级的影响

基于自由电子气近似,可得到很多种不同的交换参数的理论算法.本文利用这些交换参数模型,对Na原子的主线系4p～15p的激发态能级进行了计算.通过计算结果与实验值比较,认为基于维里定理的交换参数算法应更优于其它理论模型.     

液晶显示器生产中的激光退火和缺陷修复

由于在大面积玻璃基底上制备由多层材料构成的高质量薄膜晶体管象元驱动阵列工艺的复杂性，使有源矩阵液晶显示器（AMLCD）的成品率低、价格高。利用激光对AMLCD进行非晶硅薄膜的退火和电路缺陷的修复，可有效的改善AMLCD的性能，提高成品率和降低成本。本文在介绍了激光对非晶硅薄膜退火和电路缺陷修复常用激光器的特性后，讨论了激光对不同类型缺陷修复的原理和过程。最后，分析比较了不同类型激光退火方法的特点。