用激光感生荧光法测量亚稳态原子寿命

本文用激光感生荧光法(LIF)分析了Gd原子亚稳态能级215cm~(-1),533cm~(-1),999cm~(-1)在原子束中的速度分布。由原子束轴线上两不同点上的亚稳态原子速度分布的变化得到了亚稳态原子的寿命。理论分析和实验结果表明这是一种简单、灵敏并且有效的亚稳态原子寿命测量方法。     

XD－YES：IC功能成品率模拟器的实现

首先建立缺陷空间分布和粒径分布的模型，并讨论了缺陷通过版图产生电路错误的过程，给出了ＩＣ功能成品率模拟器ＸＤ－ＹＥＳ的实现。用ＸＤ－ＹＥＳ对微电子测试图和实际ＩＣ的功能成品率模拟和分析表明，其结果与实际符合很好，从而表明ＸＤ－ＹＥＳ的可行性和实用性。     

GaAsP混晶中Fe杂质能级的无序分裂

GaAsP混晶中Fe杂质基态与激发态的光离化截面的幅度比S(x)随组分x有规律地变化,本文提出一种理论估算,认为它是Fe能级无序分裂的结果.     

无限深球方势阱中粒子能级的一个简单近似解析式

本由ＷＫＢ方法和玻尔－索末菲量子化规则，求出了无限深球方势阱中粒子能级近似满足的超越方程；然后通过进一步近似，找到了粒子能级近似满足的解析式并对所得结果的精度进行了计算机分析。     

强光场中基态氢原子

根据文献[11]中的微扰方法,利用变分原理计算了光场中基态氢原子的能级.同高频近似给出的非微扰结果相比符合得较好,同高频近似不同,现在的方法能同时并解析地给出能量本征值和波函数 关键词：     

砷化镓材料中EPR“As_(Ga)”的退火行为

本文比较了中子辐照。压缩变形和原生LEC砷化镓等三种不同来源样品的EPR“As_(Ga)”的Hamiltonian参数。并系统地研究了EPR“As_(Ga)”的浓度和低温光猝灭行为随退火温度的变化,从而进一步验证了EPR“As_(Ga)”的本性,即除孤立As_(Ga)反位原子外,还可能包括As_(Ga)的一些空位络合物。这些不同本性的EPR“As_(Ga)”缺陷及其它有关的缺陷在样品热处理过程中可能相互转化。按照物理化学中Le Chatlier原理,缺陷的原始浓度和晶体内部应变能似应是引起这些转化反应的重要因素。     

WOx/TiO2光催化剂的可见光催化活性机理探讨

采用磁控溅射技术在用浸渍提拉法制得的TiO2薄膜上，溅射氧化钨层,通过气相反应中光催化降解二甲苯的实验表明，WOx/TiO2薄膜具有可见光活性.通过UV-Vis吸收光谱、X射线光电子能谱（XPS）等方法对其可见光活性的机理进行探索.UV-Vis吸收光谱表明WOx,TiO2对可见光响应的范围有一定的扩展,吸收强度增加.XPS表明WOx/TiO2薄膜表面形成了明显的W杂质能级和Ti缺陷能级,这是WOx/TiO2在可见光范围有一吸收的主要原因,也是光催化剂具有可见光活性的必要条件之一，同时杂质能级的存在使半导体费米能级上移,载流子增加,光催化效率提高.     

吸附溶出催化伏安法测定痕量锗

利用吸附溶出伏安法、极谱催化法测定痕量锗已有报道。但将吸附溶出伏安法与极谱催化法结合进行测定,尚未见报道。我们选择适当的体系和配位体3,4-二羟基苯甲醛(DHB)及氧化剂钒(V),首先使Ge(Ⅳ)-DHB络合物在悬汞电极上于一定电位处吸附富集一定时间,然后电位向负的方向扫描。当达到Ge(Ⅳ)-DHB络合物的还原电位时,Ge(Ⅳ)还原     

Yb:GdVO4晶体的缺陷研究

Yb：GdVO4晶体是一种很好的激光材料，但缺陷会对晶体的激光性能产生严重影响，开展对该晶体的缺陷研究有助于提高晶体质量。采用提拉法生长了面25mm×20mm，掺杂浓度为2％的Yb：GdVO4晶体；分析了晶体的结构及其对晶体解理性的影响；采用化学腐蚀法，以盐酸、氢氟酸为腐蚀剂，对晶体的主要晶面进行了化学腐蚀实验，通过其腐蚀坑形貌对晶体中的位错和晶界进行了研究；对晶体进行了高分辨X衍射实验，结果表明晶体中存在镶嵌块结构；开裂及散射颗粒也为晶体中较常见缺陷。分析了缺陷的成因并提出了预防措施。