基于氧负离子PIG源的原子氧产生装置

近地轨道能量为5eV的原子氧对航天器表面影响的地面等效模拟,是世界各航天国家竟相研究的重要领域.本文介绍一种基于氧负离子PIG源的原子氧产生装置,本装置由永磁PIG离子源、两电极引出系统、电子过滤器、单透镜、减速电极和样品架组成.目前,这一装置已安装在中国科学院空间科学与应用研究中心小碎片加速器上,并开展了初步实验.当离子源放电电流50mA,在2kV和3kV的引出电压下,引出的氧负离子分别为200μA和3001μA.并开展了减速实验和kapton膜的溅蚀研究.由于原子氧装置和小碎片加速器供用同一个靶室.因此,这一安排还可以同时开展小碎片和原子氧对空间材料的撞击和侵蚀的研究.     

一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究

提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法.该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2,硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2.由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120:1～125:1,因此SiO2层可以抑制在硅-玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应,扫描电镜结果也证明,采用改进工艺后的硅结构在经过长时间的过刻蚀后仍然保持了完整性.硅陀螺测试结果也证明了改进工艺的正确性.     

Ca0．80Zn0．20Te晶体的生长及性能研究

用本实验室合成的Ca0．80Zn0．20Te多晶料为原料，采用改进的布里奇曼法在镀碳和未镀碳的石英安瓿中生长出Ca0．80Zn0．20Te晶锭。使用X射线衍射仪对合成产物及晶锭进行了分析，生长晶体的X射线衍射峰尖锐，摇摆谱对称，表明晶锭的结晶性能较好；用IRPrestige-21红外光谱仪分析了晶体的红外透射光谱，测试结果表明安瓿镀碳后生长的晶体位错密度小，均匀性较好，电阻率优于未镀碳安瓿生长的晶体；晶体的蚀坑密度在10^3-10^4cm^-2之间，比未镀碳安瓿生长的晶体低1个数量级。     

[Co（NH3）6]Cl3实验中制备条件对配合物形成影响的讨论

针对[Co(NH3)6]Cl3制备实验中,反应条件不同会导致生成具有不同组成的Co(Ⅲ)氨配合物这一问题,系统探讨了制备过程中在配体NH3、Cl-和H2O共存时,[Co(NH3)6]Cl3、[Co(NH3)5Cl]Cl2和[Co(NH3)5(H2O)]Cl3这三种Co(Ⅲ)氨配合物的生成条件和稳定性。通过对比分析各自的形成过程和制备条件,将化学原理应用于解释实验现象,可培养学生结合理论知识对实验案例进行对比分析的探究能力。     

新型环保硫酸-双氧水微蚀体系前处理工艺研究与应用

前处理工艺是印制电路板制作中非常重要的工序,新型环保硫酸-双氧水微蚀体系是目前化学前处理工艺领域的主要研究方向。本文根据化学微蚀的基本原理,分析了新型环保硫酸-双氧水微蚀体系前处理工艺的特点,并列举了该工艺的具体应用。     

基于制作COF精细线路的液态光致抗蚀液性能研究

卷对卷丝网印刷机在超薄挠性覆铜箔层压板上丝网印刷液态光致抗蚀液,实现COF精细线路的制作。研究了液态光致抗蚀液的感光性能与分辨率力等性能,考察了制作出COF的线路效果。实验结果表明,液态光致抗蚀液网印的针孔数随厚度的减小而增加,液态光致抗蚀剂曝光级数随曝光能量的变化趋势与干膜是一致的,11μm厚液态光致抗蚀剂分辨的最小线路宽达到25μm,满足COF精细线路制作的要求。     

不同氧含量的激光熔覆层耐点蚀性能研究

为弄清O含量对钢耐点蚀性能的影响规律,研究4种不同O含量的激光熔覆层样品的点蚀诱发和点蚀扩展行为.在pH为10的3%(质量分数)NaCl溶液中进行极化实验和交流阻抗实验,比较钢的点蚀诱发敏感性;在人造海水中进行模拟闭塞腐蚀电池试验,评价样品的点蚀扩展速度;用扫描电镜(SEM)和电子探针(EPMA)分析熔覆层的夹杂物组成...     

碱蚀流程精细线路板件线宽补偿规则的改善研究

文章主要是通过试验及Cpk计算评估精细线路板件在碱蚀流程中的加工情况,找出不同蚀铜厚度、不同线路类型及不同线路走向之间的线宽补偿规律,从资料制作上改善受图形分布或平板加厚导致线细与蚀不净矛盾,降低生产难度,提高板件加工稳定性。     

2205双相不锈钢耐腐蚀性能与晶界特征分布的研究

研究了两种轧制工艺下2205双相不锈钢的临界点蚀温度(CPT),并利用电子背散射衍射(EBSD)技术对其相比例和晶界特征分布进行了分析.研究结果表明,DSS1轧制工艺下材料的耐腐蚀性明显优于DSS2工艺.两种工艺下铁素体(α)和奥氏体(γ)相比例差别不大,都在50%左右,但是,DSS1材料中具有较高的低∑值重位点阵(CSL)晶界出现频率,特别是在γ相中,∑3-∑29CSL出现频率达到了约50%,而低∑值CSL晶界具有较好的耐腐蚀性能,尤其是∑3晶界.     

可调谐相对论磁控管的实验研究

 实验研究了高有载品质因数下有无阳极端帽时调谐性能的差异,以及低有载品质因数下,没有阳极端帽时的可调谐相对论磁控管性能。研究结果表明：没有阳极端帽时,可调谐相对论磁控管具有更宽的调谐范围;在高有载品质因数下,可以达到2.52～3.31 GHz的调谐范围,输出功率范围为44～790 MW;低有载品质因数下,调谐范围为2.55～3.05 GHZ,调谐范围内输出功率1～1.7 GW。