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51.
52.
详细分析了硫酸铜浓度对过硫酸钠体系微蚀速率的影响,并对其机理进行了探讨。  相似文献   
53.
54.
大功率半导体器件是机电一体化不可缺少的基础元件,光致诱蚀无显影气相DFVP光刻具有分辨高、钍孔密度低、光刻流程短、设备简单、经济上节约等优点。因此将DFVP运用于晶闸管器件的生产具有重要的意义。研究的技术关键是要解决厚SiO2层的刻蚀、刻蚀的曝光量及速度问题。本课题对DFVP机理作了进一步研究,从而研究了两种新的光致诱蚀剂;已大大缩短曝光时间(约1分钟),并能刻蚀含杂质镓且厚达1.4μm的SiO2  相似文献   
55.
在以前还只是处于想象境地的抗蚀剂干显影(等离子体显影)已展示了实现的可能性。一方面开发了能够干显影的抗蚀剂,另一方面还发展了能对现有抗蚀剂作干显影的新工艺。本文简述了至今为止所发表的抗蚀剂的干显影技术方法和技术动向,也介绍了我们所做的有关工作。  相似文献   
56.
已探明塔里木盆地下古生界碳酸盐岩地层储量巨大。对塔里木盆地西北部柯坪-巴楚-阿图什一带的4块区域开展了系统的野外和重点观测工作,包括蓬莱坝剖面、柯坪水泥厂剖面、托普郎剖面等。本研究通过考察塔里木盆地奥陶系碳酸盐岩热液溶蚀及相关现象。从野外产状、伴生关系以及矿物岩石学特征角度解剖奥陶系地层中热液矿物组合的地质特征。研究表明,该区域存在富镁流体、富氟流体和富硫流体3种流体,分别来源于封存卤水、火成活动和TSR热液。不同性质流体蚀变具有相似的分带性。  相似文献   
57.
用SF_6/CCl_2F_2加O_2混合气体,在普通的平板型反应离子刻蚀机上,进行了深刻蚀硅的研究。当掩膜厚度约120nm-150nm的Cr薄膜时,研究了O_2在混合气体中的比例对刻蚀形貌和刻蚀速率的影响。用获得的各向异性刻蚀工艺,己刻蚀出高度为10μm的硅台阶,台阶倾角小于5°,横向腐蚀约为0.5μm,刻蚀表面粗糙度约10%。  相似文献   
58.
Holographic lithography coupled with the nonlinear response of photoresist to the exposure is adopted to fabricate porous photoresist (PR) mask. Conventional dot PR mask is also generated, and both patterns are transferred into a underlying GaAs substrate by the optimal dry etching process to obtain tapered subwavelength crossed gratings (SWCGs) to mimic the moth-eye structure. In comparison of the experiment and simulation, the closely-packed pseudo-rhombus-shaped GaAs SWCGs resulting from the porous mask outperforms the conical counterpart which comes from the dot mask, and achieves a reported lowest mean spectral reflectance of 1.1%.  相似文献   
59.
基于野外实测光谱统计分析的蚀变矿物填图   总被引:1,自引:0,他引:1  
Chen Y  Lin QZ  Wei YM  Wang MF  Li H 《光谱学与光谱分析》2010,30(11):3036-3040
提出了一种新的基于野外实测光谱统计分析的蚀变矿物填图方法。该方法首先对野外测量得到的大量样本光谱数据进行聚类处理,从光谱的整体特征上将不同类型的样本区分开。第二步对各聚类结果中不同蚀变矿物分别建立其各自的判别函数。第三步在遥感影像上按照聚类得到的参考光谱分别进行大蚀变类的划分,最后在此基础上采用第二步得到的各蚀变类型的判别函数进行蚀变矿物的细化填图,得到最终的填图结果。该方法充分考虑了不同蚀变类型及蚀变组合的地区差异性,建立的蚀变矿物的判别函数更具有科学性,并且填图结果可在一定程度上进行可靠度评价。将该方法应用到新疆包古图地区的某一研究子区中,获得了较好的成果。  相似文献   
60.
文章根据德国Possendorf分析实验室的Deger博士的一项研究所作。文章中用很多切片的照片,详细地与大家分享了,由于RoHs的要求,和无铅化电子装联的开展,出现的一个新的挑战一如何来抑制无铅焊接的高温引起铜熔蚀,进而造成铜厚度的减薄,以及降低因此而造成的风险的思路和建议。  相似文献   
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