碳纳米管原子力显微镜针尖的研究

本文研究了制作碳纳米管原子力显微镜针尖的方法和过程。在光学显微镜下，通过两个微工作台操纵将纯化后的多壁碳纳米管粘结在传统的原子力显微镜的Si针尖上。运用电蚀的方法优化碳管针尖的长度使其达到高分辨率的要求。我们运用制作的碳纳米管针尖在敲击模式下时G型免疫球蛋白进行扫描成像，结果显示了其典型的Y形结构，这是传统AFM的Si针尖无法获得的。     

优化抗蚀剂的预烘工艺减小衍射对X射线光刻的影响

讨论了衍射效应在微米 /纳米X射线光刻中对分辨率的影响和抗蚀剂的预烘温度与其衬度的关系。分析发现增加抗蚀剂的衬度能有效地提高工艺的容裕度 ,减小衍射作用。实验表明 ,在预烘温度为 170℃时 ,正性抗蚀剂PMMA有最高的衬度为 4 46 ,负性抗蚀剂PN 114在预烘温度为 115℃时有最高的衬度为 8 40。给出了最佳预烘温度下使用两种抗蚀剂的X射线光刻的实验结果     

超LSI用的抗蚀剂

图1是DRAM的集成度和最小线宽的关系及其估计使用的抗蚀剂。现在,最小线宽为0.8μm的4MDRAM的集成电路已在大批生产,而0.5μm的16MDRAM的已在试制。本文将对制造超LSI必不可少的微光刻术用的抗蚀剂研制动向和展望进行概述。作为超LSI用的抗蚀剂,根据曝光所用的光源,相应地可举出g线(光波长436nm)、i线(光波长365nm)用的光致抗蚀剂以及激元激光用的抗蚀剂、电子束用抗蚀剂,于显影抗蚀剂、X射线抗蚀剂等等。现以实用性高的g线及i线用的抗蚀剂为中心进行介绍。     

光致抗蚀剂曝光的虚膜插入模拟技术

提出了在各膜层之间插入虚膜的计算方法,导出了相应的光学薄膜传输矩阵.该方法使得膜与膜之间解耦,并便于在计算机上存储和计算薄膜的反射率、透射率以及能流密度.对抗蚀剂曝光的计算结果表明这种技术是有效的.     

用MeF3金相显微镜研究LiNbO3晶体的光像

用MeF_3金相显微镜观察了多畴和单畴的LiNbO_3晶体的X、Y、Z切面的蚀像和光像.发现各切面光像形态与各切面的蚀像形态对应,并与晶体的对称性完全一致.利用晶体的光像确定晶体极性和晶轴是一种简便的光学方法.     

铝青铜焊接热影响区的空蚀形貌特征

为了解铝青铜焊接热影响区(HAZ)的空蚀行为，对镍铝青铜焊接热影响区的空蚀形貌进行了扫描电镜(SEM)分析。结果表明：在空蚀初期，α相遭到选择性优先空蚀破坏；空蚀破坏呈现不均匀性，局部区域出现大的空蚀坑。热影响区空蚀破坏的机制是微坑的产生、长大、合并，进而形成裂纹，裂纹扩展最终导致失质。     

用于水性涂料的Pickering乳液包覆抗蚀活性助剂的研究进展

简述了五种包覆技术和Pickering乳液,综述了Pickering乳液包覆技术制备的复合微球,重点论述了采用Pickering乳液包覆抗蚀性活性助剂的原理以及在水性涂料中的应用,目前研究情况及应用优势,最后展望了Pickering乳液包覆技术的深入研究会对推动水性涂料行业的迅猛发展起到关键性作用。     

数字喷墨打印技术在PCB抗蚀层制作中的初步研究

随着数字喷墨打印设备和纳米油墨的不断发展,喷墨打印技术在PCB制作中得到了越来越广泛的应用。目前市场上主要包括三个方面的应用：抗蚀层、字符、阻焊。文章通过市场调研,成本评估和工艺能力评估重点研究了喷墨打印技术在线路抗蚀层制作中的应用。结果发现喷墨打印技术相对于传统的线路制作工艺具有一定的成本优势和线路制作能力。     

N5000材料凹蚀工艺研究

文章对N5000材料的凹蚀进行了工艺研究,通过实验评估了玻纤蚀刻时间和等离子除胶时间的影响,获得了产品厚径比设计为10:1时的批量凹蚀加工方法,解决了这种设计的产品易发生的凹蚀不够和镀层打折缺陷,满足了N5000材料产品有高厚径比设计时的凹蚀需求!