不同磨料质量分数对化学机械平坦化的影响

采用自主研发的碱性铜抛光液,在E460E机台上研究了不同磨料质量分数对铜和钽抛光速率与膜厚一致性的影响;分析了磨料质量分数为2%,2.8%和3.6%时,膜厚一致性对平坦化的影响。抛光结果显示:当磨料质量分数高于2.8%时,抛光液开始对钽进行有效的抛光;随着磨料浓度的增加,抛光液的膜厚一致性提高趋于平缓。磨料质量分数为2.8%和3.6%时,抛光后膜厚一致性变好,碟形坑满足工业生产要求;磨料质量分数为2%时,抛光后膜厚一致性比抛光前恶化,碟形坑相对较大。由此可见,当磨料质量分数为2.8%时,抛光液能有效去除残余铜,并且抛光后膜厚一致性好,有利于实现平坦化,尤其是对提高成品率和优品率有重要的作用。     

碱性阻挡层抛光液各成分对CMP的影响

为实现图形片的全局平坦化,通过研究碱性阻挡层抛光液各成分对铜和介质(TEOS)去除速率的影响,遴选出一种碱性阻挡层抛光液。在此抛光液基础上添加不同质量分数的盐酸胍,对钽光片进行抛光,选出满足要求的抛光液,并在中芯国际图形片上验证此抛光液的修正能力。实验表明,当磨料质量分数为20%、盐酸胍质量分数为0.3%、I型螯合剂(FA/O I)体积分数为1%、非表面活性剂体积分数为3%时,钽和TEOS去除速率之和是铜去除速率的3.3倍,此种碱性阻挡层抛光液对钽的去除速率为42 nm/min,各项参数均满足工业要求。与商用酸性、碱性抛光液相比,该抛光液对碟形坑和蚀坑有更好的修正能力。     

金面花斑改善研讨

通过管控防焊显影水洗、沉金微蚀缸微蚀量,改善铜面水迹印微蚀不均匀导致的金面花斑问题。     

液体中激光熔蚀固体靶制备氮化碳纳米晶

本文提出一种独特的激光熔蚀法即在液体中激光熔蚀固体靶制备纳米晶，并且首次在氨水中激光熔蚀石墨靶制备出氮化碳纳米晶。透射电镜（ＴＥＭ）和高分辨率电镜（ＨＲＥＭ）分析表明制备的氮化碳纳米晶由α－Ｃ３Ｎ４、β－Ｃ３Ｎ４和Ｇｒａｐｈｉｔｅ－Ｃ３Ｎ４晶粒组成。     

抗蚀剂的干法显影技术研究

在以前还只是处于想象境地的抗蚀剂干显影（等离子体显影）已展示实现的可能性，一方面开发了能够干显影的抗蚀剂，另一方面还发展了能对现有抗蚀剂作干显影的新工艺。本文简述了至今为止所发表的抗蚀剂的干显影技术和技术动向，也介绍了我们所做的有关工作。     

Cr的混合对Cr4MO4V钢腐蚀性能的影响

用N~+离子束将Cr元素混合于Cr4Mo4V钢形成新的表面合金层。通过FeCl_3浸泡试验和在0.1mol/L NaCl醋酸—醋酸钠pH5.9缓冲溶液中的极化试验,考察了抗局部腐蚀(点蚀)的能力;同时在H_2SO_4溶液中考察了抗均匀腐蚀的能力。 对混层作的X射线衍射,TEM和XPS微观分析辩明,这层与基体混合良好的表面合金形成晶粒高度细化的多晶;在混层中有CrN、Cr_2N以及更复杂的N、C等化合物形成。电化学性质的显著变化与这些元素的化合物以高度弥散的形式构成多晶结构的微合金密切相关。     

一步法干膜前处理液ST-1O的研制

介绍同时具有除油、微蚀和防氧化三重功效的一步法干膜前处理液ST-10的组成、工艺及其性能。     

电子束光刻中邻近效应的Monte Carlo模拟

电子束光刻不受衍射效应的限制，具有高分辨率和能产生特征尺寸在100nm以下图形的优点。目前，国际上正在将角度限制散射的投影电子束光刻技术作为21世纪100纳米以下器件大规模生产的主流光刻技术进行重点开发。