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981.
为了给VO2薄膜在定向红外对抗系统防护方面的应用提供理论依据,我们用透过率调制深度表征VO2薄膜在中红外波段的相变特性。本实验利用分子束外延法(MBE)制备VO2外延单晶薄膜,经XRD、AFM表征,发现其具有(020)择优取向、纯度较高,薄膜表面平整、均匀且致密。经VU-Vis-IR测量发现其近红外透过率相变特性显著,但在紫外和可见光范围内透过率相变特性较不明显。然后我们对制备时间为30 min、40 min的两组薄膜分别进行25~70℃的升温和降温实验,观察其对波长为3 459 nm、脉宽50 ns、重频50 kHz、功率密度0.14 W/cm2的中红外激光的透过率变化,并比较两组薄膜的温滞曲线特性。实验发现它们对中红外透过率的调制深度均可达60%以上,前者比后者对中红外的调制深度高出约4%。这说明利用分子束外延法制备的VO2单晶薄膜具有良好的中红外调制特性,且调制深度和膜厚有关。进一步表明了利用VO2薄膜实现中红外激光防护具有一定的可行性。  相似文献   
982.
本文对空间液滴辐射散热器的国内外研究进展作了介绍,重点对国内外学者对液滴辐射散热器传热建立的数学模型作了综述,并提出了有待解决的几个方面的问题.  相似文献   
983.
吴锋民  陆杭军  方允樟  黄仕华 《中国物理》2007,16(10):3029-3035
The heteroepitaxial growth of multilayer Cu/Pd(100) thin film via pulse laser deposition (PLD) at room temperature is simulated by using kinetic Monte Carlo (KMC) method with realistic physical parameters. The effects of mass transport between interlayers, edge diffusion of adatoms along the islands and instantaneous deposition are considered in the simulation model. Emphasis is placed on revealing the details of multilayer Cu/Pd(100) thin film growth and estimating the Ehrlich--Schwoebel (ES) barrier. It is shown that the instantaneous deposition in the PLD growth gives rise to the layer-by-layer growth mode, persisting up to about 9 monolayers (ML) of Cu/Pd(100). The ES barriers of The heteroepitaxial growth of multilayer Cu/Pd(100) thin film via pulse laser deposition (PLD) at room temperature is simulated by using kinetic Monte Carlo (KMC) method with realistic physical parameters. The effects of mass transport between interlayers, edge diffusion of adatoms along the islands and instantaneous deposition are considered in the simulation model, Emphasis is placed on revealing the details of multilayer Cu/Pd(100) thin film growth and estimating the Ehrlich-Schwoebel (ES) barrier. It is shown that the instantaneous deposition in the PLD growth gives rise to the layer-by-layer growth mode, persisting up to about 9 monolayers (ML) of Cu/Pd(100). The ES barriers of 0.08 ± 0.01 eV is estimated by comparing the KMC simulation results with the real scanning tunnelling microscopy (STM) measurements,  相似文献   
984.
利用氨气源分子束外延(GSMBE)技术,在改型Ⅳ型分子束外延设备上生长高质量GaN单晶外延材料,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱,系统地研究GaN的发光峰及其起源,并对常见的黄色发光带现象及其微结构起因进行探讨。  相似文献   
985.
室温下在单晶Si中注入(0.6—1.5)at%的C原子,部分样品在C离子注入之前在其中注入29Si+离子产生损伤,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si1-xCx合金,研究了预注入对Si1-xCx合金形成的影响.如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量,在950℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si1-xC关键词: 离子注入 固相外延 1-xCx合金')" href="#">Si1-xCx合金  相似文献   
986.
张希清  TangZK 《光子学报》2001,30(2):152-155
用分子束外延在GaAs衬底上生长了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构,利用X射线衍射(XRD)、变温度PL光谱和ps发光衰减等研究了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构和激子复合特性,由变温PL光谱讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理。  相似文献   
987.
The excitation function for the fission of 230Th induced by neutrons has an unusual maximum for neutron energies in the vicinity of 700KeV,It has been suggested that this maximum may be associated with the vibrational-mode resonance states,The unusual peak in the excitation function is interpreted in terms of a vibrational-model resonance state in a two-humpted fission barrier.From theoretical fits to the fission cross sections and angular distributions,it is shown that the resonance has K=1/2.  相似文献   
988.
用分子束外延设备(MBE)在GaAs(100)衬底上生长了InSb型界面的AlSb/InAs超晶格,界面生长过程中采用了As保护下不同的中断时间.运用掠入射X射线反射技术(GIXRR)对样品进行了测量,并对测量结果进行了模拟和分析,发现As保护下生长中断20 s能获得最平整的AlSb/InAs界面.结合分析显微镜下观察到的样品形貌,过短的界面中断时间会导致界面富In并形成In点,而过长的中断时间会导致AlAs型界面的形成,两者都使界面变得粗糙.另外,还讨论了生长中断在分子束外延生长中的应用. 关键词: 分子束外延 生长中断 超晶格 掠入射X射线反射  相似文献   
989.
振荡液滴内部流态   总被引:1,自引:0,他引:1  
在外界来流作用下,液滴在固体表面上呈现周期性振荡特性.利用数值方法模拟平板上二维液滴在气流剪切作用下的界面及内部流动特性,重构二维液滴内部流场,着重认识液滴内部速度分布和压力分布.  相似文献   
990.
[Fe/Ni]N multilayered structure grows epitaxially on the single crystalline MgO substrate. Due to the different directions of magnetic easy axes of Fe and Ni and the strong strain, large anisotropy dispersion is assumed. According to the layer model, the magnetization of Fe and Ni layers cannot follow each easy axis because of exchange coupling, and then the anisotropies are averaged out. The reduction of the effective anisotropy enhances with the decrease of periodic thickness. Thus, the coercivity of [Fe/Ni]N multilayers reduces with decreasing periodic thickness.  相似文献   
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