DSP最小应用系统的设计

介绍了基于DSP(数字信号处理)的最小应用系统的整体设计过程。系统采用TMS320VC5402作为主控芯片;ADC0809完成数据的采样及A/D转换,通过TMS320VC5402处理后,由DAC0832完成D/A转换并输出;外部存储器采用通用EPROM,TMS320VC5402采用8位并行EPROM引导方式;并加入了标准的14针JTAG接口,便于系统的调试与仿真。     

一种1V电压工作的高精度CMOS带隙基准源

基于标准1μmCMOS工艺,针对1V供电电压,设计了一种自偏置PTAT电流产生电路和低电源、高增益的运算放大器,最终实现了低电源工作的带隙基准电路.在1V电源电压下,采用1μm CMOS工艺进行仿真,温度系数在-20～120℃范围内达到13×10-6,低频电源抑制比达到-90dB.     

平板电视的红火和国产品牌的危机

2005,平板电视销售的井喷期从2003年开始,平板电视在中国开始进入高速增长期,这以后,平板电视销量连续两年同比增长率超过200％。进入 2005年,平板电视则更是进入了“销售爆发期”。这一年,国内平板电视一共卖掉了190万台。在大中城市, 平板电视的市场价值已经超过了传统的CRT电视。可以说,平板电视在中国内地市场真正大行其道,是2005 年。因为这一年,以等离子和液晶为代表的平板电视真正成为了电视机市场的主角。     

变温C-V和传输线模型测量研究AlGaN/GaN HEMT温度特性

通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温C-V测量和传输线模型变温测量,研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的直流特性在25～200℃之间的变化,分析了载流子浓度分布、沟道方块电阻、欧姆比接触电阻和缓冲层泄漏电流随温度的变化规律.得出了器件饱和电流随温度升高而下降主要由输运特性退化造成,沟道泄漏电流随温度的变化主要由栅泄漏电流引起的结论.同时,证明了GaN缓冲层漏电不是导致器件退化的主要原因.     

瑞利衰落信道采用组合发射机SC/接收机 MRC的MQAM性能分析

日益增长的无线业务需求要求提高衰落信道上无线通信的频谱利用率.本文研究一种使用组合发射机SC/接收机MRC(SC/MRC)的MQAM方案,推导其在平坦瑞利衰落信道上的误符号率,分析无线信道时变特性对系统性能的影响.数值计算结果表明该组合空间分集方案可以通过调整发射天线和接收天线的数目来获得比传统接收机分集接收更大的分集增益.     

超宽带多址通信信号的功率谱分析

超宽带(UWB)多址通信是继CDMA技术之后迅速发展的一种宽带传输技术.本文在介绍了各种UWB通信调制方式后,针对产生的UWB多址信号,分析了信号特征,结合数学模型,以简明方式分析了TM-UWB与DSC-UWB多址通信信号的功率谱密度分布,它是UWB通信系统设计与用户干扰分析的基础.     

FTO客体3m闪光照相的Monte Carlo研究

 研究了客体模型FTO的闪光照相系统X光输运过程，给出了直穿照射量、散射照射量、直散比、直穿照射量能谱、散射照射量能谱、直穿X光通量能谱和散射X光通量能谱在记录平面的空间分布。结果表明：后锥是照射量散射成分的主要来源，后锥照射量占总散射量97%；后锥也是造成散射的空间分布不均匀的主要器件，这一不均匀性高达58%。照相系统的最小直散比非常小，表明锥造成的散射已经严重地淹没了直穿（轫致辐射）信号。计算中使用高空间分辨率记录法进行分点，合成图像对吸收系数的复原结果与国外报道的结果相符。     

脉冲激光引信用PFM和PWM式LD驱动电路的研究

 在激光引信的通讯系统中，针对引信用脉冲式半导体激光器驱动电路的脉冲宽度、频率、功率可调的需要，根据LD驱动电路的工作原理，建立了LD驱动电路的一般模型。然后用电子多频振荡器提供驱动信号，用双MOS驱动器来驱动半导体激光器，通过大量的实验、仿真、分析、比较，设计出了方便可调的大功率LD的驱动电路，该电路的脉冲频率和脉冲宽度可方便调整。并且该驱动电路的频率调节范围大（10Hz~20kHz）；脉冲宽度可以从几ns到几百ns进行调节，大大提高了激光引信通讯系统的性能与可靠性。     

高空核电磁脉冲模拟波形的双指数函数拟合法

 许多标准和公开出版物中都用双指数函数描述高空核电磁脉冲典型波形。通过数值方法，研究了双指数函数一项重要的性质。根据该性质，详细讨论了高空核电磁脉冲模拟波形数值拟合中，双指数函数特征参数与脉冲峰值、前沿、后沿以及半宽等物理参数的关系，从而提出一种简单有效的脉冲参数计算方法。通过IEC标准中规定的高空核电磁脉冲参数的估计与一个实测高空核电磁脉冲模拟波形的数值拟合，验证了该方法的有效性和可靠性。该方法能够适应多种峰值、前沿和半宽的高宽核电磁脉冲模拟波形的数值拟合。     

退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究

 研究了磷酸二氢钾（KDP）晶体热退火前后光学均匀性的变化，发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力，提高晶体的消光比，从而提高晶体的光学均匀性。实验证明，50℃下退火即可消除部分内应力，110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线。但是,退火温度太高（如170℃）,也可能使晶体的均匀性降低。