紧凑型节能荧光灯的研制方法

紧凑型节能荧光灯经过二十多年的研究开发，已成为照明光源的主流品种之一。由于紧凑型节能荧光灯的种类繁多，如何尽快地开发出适应市场需求的新品便成为节能灯生产厂家关注的问题，本文介绍了研制紧凑型节能荧光灯的一般方法，制造节能灯的关键工艺，以及提高节能灯的光效和光通维持率的有效途径。     

LSI中的金属化工艺

钨丝加热法蒸发纯Al,采用“U”型状,在我国首先研制出双极LSI。为了缩小芯片面积,防止浅结漂发射区工艺纯Al布线后造成EB结短路,研制成功钨丝加热法蒸发Al-Si薄膜。为进一步缩小芯片面积,采用双层布线工艺,又研制成功钨丝加热法蒸发Al-Cu-Si合金膜。本文主要介绍三种薄膜蒸发工艺及应用。     

准分子激光器在半导体超精细加工中的应用

本文叙述准分子激光器的性能并综述了准分子激光器在投影光刻、掺杂、化学气相淀积和刻蚀等半导体超精细加工中的应用。     

光缆技术一瞥

本文归纳了通信光缆技术近年发展的八大趋势,阐述了光缆设计三要素,并介绍了三个典型的光缆系列及其主要性能。     

一种新型低温共烧堇青石基微晶玻璃

采用传统的玻璃熔融工艺制备MgO-A12O3-SiO2-Bi2O3（MASB）玻璃粉末，研究了其烧结特性和析晶过程。结果表明，该玻璃粉末可在低于900℃烧结。在烧结中玻璃首先析出μ-堇青石，然后转变为α-堇青石，氧化铋没有参与晶相的形成。该微晶玻璃具有低介电常数（5．23），低介电损耗（约0．2％）和低温烧结特性，可用于超高频片式电感领域。     

晶片减薄技术原理概况

从对晶片减薄的质量要求角度出发,论述了垂直缓进给(Creep-Feed)晶片减薄原理与垂直切深进给(In-Feed)晶片减薄原理。提出原理设计中的原则和相关问题。     

DA VINCITM系统平台推动SEZ的单晶圆商业模式

SEz(瑟思)集团近日在德国慕尼黑的SEMICON EUROPE宣布，于2003年中期引入市场的．应用于后段工艺过程(BEOL)的DaVinciTM平台销售已超过公司整体收入的50%。该系列平台是SEZ有史以来最快被市场接受的，同时也是业界最快被引进产品之一。预计将来的销售速度会更快，预计到2005年底，’DaVinci系统的销售将占SEZ公司全部收入近60％的份额。     

APS CMOS图像传感器复位电路的设计研究

本文分析了APS CMOS图像传感器传统像素复位电路引起的动态范围缩小、固定图像噪音增大和图像滞后等问题.比较了两种复位电路改进方案的优势与不足.提出了采用电荷泵电路设计APS CMOS图像传感器复位电路的新方案.该方案增加了CMOS图像传感器的动态范围,消除了复位引起的固定图像噪音和图像滞后,避免了前两种方案的不足.所有的电路仿真均在CHRT 0.35 μm工艺基础上完成.     

Silicon Image新技术推动制造商SOC的整合

Silicon Image公司日前宣布推出可集成到最新片上系统(SoC)的高清晰度多媒体接口(HDMI)和串行ATA(SATA)核心IP。Silicon Image已经将其SATALink SATA核心移植至多种90nm和0．13um芯片制造工艺中，现在又将其PanelLink HDMI核心移植至0．13um制造工艺，     

晶体管栅介质物理、工艺和特性表征技术的演变

氮氧化技术使SiO2的应用向45nm节点迈进。氮的引入是一项复杂的工艺，由于这一工艺诱发的界面陷获电荷对栅介质完整性十分关键．因此要求进行严格的控制。