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111.
ITU-TSG中国电信专家组 《广东通信技术》1998,18(4):1-7
介绍ITU-TSG13研究组1998年6月通过的关于宽带通信标准的最新研究结果,主要内容涉及B-ISDN的AAL2等,接入网,光网络要求主其总体结构,网络性能的误码规范、定时性能和IP性能。 相似文献
112.
用阳离子表面活性剂十四烷基三甲基溴化铵(C17H38NBr)对膨润土进行插层改性制备.配制浓度为2.35%十四烷基三甲基溴化铵溶液备用.在碘量瓶中称取3.04g膨润土,加入30mL超纯水、10mL十四烷基三甲基溴化铵溶液,制成土浆,放入微波炉中反应1min.产物经抽滤、洗涤、烘干、研磨,做FT-IR和DSC-TG分析.DSC曲线在500℃时有一明显的放热峰;TG曲线显示改性土的失重率有明显的增大.有机改性膨润土中确实含有大量有机物,改性成功. 相似文献
113.
高能物理学发展的回顾和展望 总被引:1,自引:0,他引:1
从电弱统一理论提出到现在已经过去了23年.量子色动力学从诞生到现在也已经历了17年,在这期间CERN建成了Ecm=60GeV的质子对撞机ISR;FNAL和CERN分别建成了能量为500GeV和450GeV的质子同步加速器. 相似文献
114.
115.
116.
Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer: Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices 下载免费PDF全文
We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory. 相似文献
117.
118.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer 下载免费PDF全文
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
119.
本文提出用多层前馈网络进行基于边缘信息的图象分割,讨论了学习样本的提取步骤和网络学习的速度改进方法,实验表明,用多层前馈网络进行图象分割能获得良好的结果。 相似文献
120.
Al2O3SiO2/ZL109 金属基复合材料的强度性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了硅酸铝短纤维增强ZL109铸铝合金(Al2O3SiO2/ZL109MMC)的静态实验和冲击实验结果。给出了这种复合材料的静态强度、动态屈服强度和层裂强度并对实验结果进行了分析讨论。 相似文献