Multiple Scattering Effects of Ag Particles in Random Ag-SiN Film

A layer of 40nm-thick Ag-SiN film with Ag nano-particles embedded and distributed randomly in the SiN thin film were deposited by the method of radiant-frequency magnetron sputtering. Specimens orderly comprising a random Ag-SiN film and an optical phase change recording layer were exposed to a focused laser beam with wavelength of 69Ohm. It is shown that, with a random Ag-SiN layer deposited above the recording layer. Calculation by the finite difference time domain method of a 4Ohm-thick SiN film under a Gaussian beam irradiation has been carried out to simulate the near-field distribution in the film, which showed a huge local near-field intensity enhancement of about 200 times if small Ag particles with diameter of 6 nm were modelled inthe SiN film in the central region of the in cident laser spot.     

模拟纳米晶体原子分布及X射线散射理论图案

通过分子动力学方法模拟纳米晶体（1—3nm）的结构．利用模拟的结果，进行了X射线衍射及径向分布函数的模拟计算．结果表明：纳米晶体晶界呈短程有序，界面原子间距分布很宽；随着晶粒尺寸的减小，晶粒的畸变越大，原子体积常数也明显增大 关键词：     

Zn0.76Cd0.24Se/ZnSe多量子阱的共振喇曼光谱

本文报道了在Zn0.76Cd0.24Se/ZnSe多量子阱(MQWs)中,用不同的Ar+激光线激发,观察到了共振增强的喇曼散射。首次在室温和77K的条件下,用Ar+的457.9nm谱线激发,观察到分别来自ZnSe垒层和Zn0.76Cd0.24Se阱层的限制纵光学声子模(LO)的喇曼散射,并对上述不同的光学模的起因进行了分析。     

电场积分方程中电荷项计算和改进

电场积分方程是求解电磁散射问题时应用最广泛的方法之一。但是，这一方法在用于求解二维ＴＥ问题和三维问题时会出现较大计算误差。本文讨论出现计算误差的原因，指出改进电荷项的计算有利于提高计算准确性。     

Z→3γ和γγ→γγ极化张量的一般形式

在标准模型下,讨论了Z→3γ衰变和γ→γ散射过程的单圈极化张量的一般形式.利用S₃对称性和规范不变性对这种极化张量进行限制,从而得到一组约束方程.本文介绍了这种方法的主要步骤,并且将W玻色子圈的结果与费米子圈的结果作了比较.     

电离层时域探测方法

给出了各向同性分层半空间等离子体对时域电磁脉冲后向散射的有关公式，得出了反抛物层时域响应的解析表达式，并利用时频分析方法演出了电子密度分布。     

利用正则化方法求解浅海声波散射问题

讨论了浅海中波导的声波散射问题，我们将该问题归结为一个第一类边界积分方程，利用正同化方法求解，并证明了该方法的收敛性，数值例子表明了该方法的简单与有效性。     

特征提取在硅内部微/纳米级体缺陷检测中的应用

提出了一种利用特征提取来对硅中微/纳米级体缺陷的激光散射图样进行分析,以获得缺陷大小信息的分析方法.给出了该方法中第一特征值和第二特征值的定义,指出通过所提出的第一特征值及第二特征值即可迅速地判断出缺陷的大小量级所在.这种分析方法具有分析速度快,在体缺陷小于1μm时分辨率高,且可使系统实现自动化等优点.     

复杂目标近场电磁散射的可视化计算方法

首次介绍了复杂目标近场散射计算的可视化方法。采用非均匀有理Ｂ样条曲面（ＮＵＲＢＳ）精确构造任意形状散射体，结合几何体近场透视变换和Ｚ－Ｂｕｆｆｅｒ技术实现了基于Ｗｉｎｄｏｗｓ平台的近场散射计算。提出广义雷达散射截面的概念并给出的若干算例。该方法充分利用了计算机３Ｄ图形设备的几何运算能力，运算速度快，严谨高，可扩展性好。     

热漫散射贡献的高能电子衍射吸收结构因子的Doyle—Turner解析表达

给出了一种数值计算高能电子衍射吸收结构因子的方法，并利用模拟退火结合保温相变以及线性最小二乘拟合等算法，对所计算的吸收结构因子数值进行了含１０个参数的Ｄｏｙｌｅ－Ｔｕｒｎｅｒ解析表述的拟合，作为示例，给出Ｂｅ，Ａｌ，Ａｓ，Ａｇ，Ａｕ等５个元素的拟合结果和精度，并作出Ａｌ的绝对偏差量和相对偏差量曲线。