首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   20587篇
  免费   2372篇
  国内免费   2949篇
化学   3369篇
晶体学   181篇
力学   863篇
综合类   204篇
数学   573篇
物理学   4618篇
无线电   16100篇
  2024年   143篇
  2023年   426篇
  2022年   522篇
  2021年   565篇
  2020年   342篇
  2019年   422篇
  2018年   242篇
  2017年   357篇
  2016年   387篇
  2015年   513篇
  2014年   1141篇
  2013年   779篇
  2012年   1133篇
  2011年   1187篇
  2010年   1055篇
  2009年   1296篇
  2008年   1540篇
  2007年   1240篇
  2006年   1303篇
  2005年   1390篇
  2004年   1201篇
  2003年   1155篇
  2002年   860篇
  2001年   785篇
  2000年   635篇
  1999年   571篇
  1998年   569篇
  1997年   612篇
  1996年   586篇
  1995年   510篇
  1994年   489篇
  1993年   343篇
  1992年   398篇
  1991年   357篇
  1990年   341篇
  1989年   290篇
  1988年   64篇
  1987年   33篇
  1986年   29篇
  1985年   25篇
  1984年   14篇
  1983年   10篇
  1982年   14篇
  1981年   19篇
  1980年   8篇
  1979年   5篇
  1973年   1篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
关宇  尹庭辉 《电子工程师》2004,30(12):46-47
给出了一种利用电子设计自动化(EDA)软件对复杂可编程逻辑器件(CPLD)进行设计以实现8位发光二极管(LED)显示驱动器的方法.设计结果表明,用1片Lattice公司的ispLSI1032E(6 000门密度)最多可以驱动12位LED显示器.文中还就如何减少资源进行了探讨,介绍了5种方法.  相似文献   
42.
李文涛  丁美新  何斌 《电子工程师》2004,30(2):61-63,74
利用CPLD芯片实现单片机与ISA总线接口之间的高速并行通信,给出系统的总体设计方法及程序框图。采用这种通信方式,在12MHz晶振的MCS51单片机控制的数据采集系统中,可以满足与PCI04 ISA总线接口实时通信的要求,通信速率达200khit/s。在开发工具MAX plusⅡ下,完成了整个设计的输入、编译和仿真,达到了预期效果。本设计方案能够推广应用到计算机的高速并行通信中。  相似文献   
43.
基于DSP+CPLD的高精度信号发生器   总被引:2,自引:0,他引:2  
楚然  廖佳 《电子工程师》2004,30(5):32-34
介绍了基于直接数字式频率合成(DDS)原理的全数字信号发生器(DSP),利用DSP芯片快速、高精度的运算优势以及CPLD芯片灵活的编程逻辑、大容量存储功能的特点,采用通用可编程芯片以及数字波形合成技术,形成高稳定、高精度、高动态的数字合成信号.该信号发生器可产生0~25 kHz的正弦波、三角波和方波,输出电压峰峰值为0~5 V,频率步进1 Hz,幅度步进0.001 V.  相似文献   
44.
吴金虎 《液晶与显示》2004,19(2):143-147
介绍了研制出其性能达国际先进公司同类产品水平的塑封双列直插式光耦合器的工作原理和提高绝缘耐压的技术难点,从引线框架设计、加工精度控制、内包封材料选型、理想内包封形状控制、塑封气密性的实现、环境条件的完善等方面讨论了提高绝缘耐压的设计和工艺要点。  相似文献   
45.
46.
结合美军标准微电子器件试验方法和程序的发展变化以及我国集成电路生产和研制的现状与国情,论述了GJB548的修订原则和协调先进性与可行性的综合处理方法及体会。  相似文献   
47.
概括介绍我国表面安装器件十年来的生产发展状况,提供至今生产线的引进分布、品种生产能力、原材料国产化、外形和引线框架标准、市场、国内表面安装技术设备研制动向,说明存在的问题和国外技术上的差距,从而就社会主义市场经济下,如何发展表面安装产业,提出一些建议以供参考。  相似文献   
48.
丁扣宝  赵荣荣 《微电子学》1997,27(3):186-189
采用一个最近发展起来的产生区宽度模型,导出了描述阶跃电压作用下MOS电容器的电容-时间瞬态特性方程,给出了阶跃电压法确定产生寿命的一个计算公式。  相似文献   
49.
50.
Bina.  SC  付士萍 《半导体情报》1996,33(5):42-43
用MOCVD法制备了在高电阻率GaN层上生长沟道厚度为0.25μm的GaNMESFET,这些器件的跨导为20mS/mm,其中一个栅长为0.7μm的器件,测得其fT和fmax分别为8和17GHz。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号