等离子体刻蚀工艺控制模型分析

讨论了主因素分析法以及神经网络法在等离子体刻蚀工艺中的应用.结果表明主元素分析法可以实现对数据的压缩,而神经网络算法则显示出比传统的统计过程控制算法更好的准确性.     

微带定向耦合器的设计

首先从数学上用奇、偶模法推出此种定向耦合器的散射短阵，然后进一步分析奇模波与偶模波传输性质与此微带定向耦合器的关系及设计微带定向耦合器应注意的问题。     

两个DEA的逆问题的解法的探讨

文[1]提出了两个DEA的逆问题，并用搜索法来解．而本文根据所证的定理，对每个问题一般只要解二、三个线性规划问题就能得到答案．     

改进的一维Otsu法在B超图像分割中的应用

提出了基于像素邻域平均灰度的改进的一维Otsu多门限分割方法，兼有准确性和快电性的优点，并应用于B超图像，实现了多个目标的自动分割，与普通的一维Otsu法相比，具有更好的分割效果。     

印刷法制作OLED

凸版印刷公司开发了印刷法制作OLED新技术，解决了现有真空蒸镀技术很难制作51cm（20in）以上OLED屏的难题。该技术开发样品尺寸为14cm（5．5in），分辨率为80ppi，像素间隙为300μm。计划2007年开始正式投入生产。     

放大器故障2例

（1）机顶盒低频段无信号 诸城市广电网络传输84套数字电视节目，维修人员去用户家中检查，开机看电视，确如用户反映的情况，用机项盒节目信息键调节目信息如信号强度、栽噪比等均无指示，用场强仪测量用户信号电平，低频段为71dB左右，高频段为65dB左右。再把信号注入电视机射频输入，低频段节目效果很差。不能正常收看。     

下一代光刻开发的进展

虽然下一代光刻(NGL)技术的开发仍在继续大力开展工作，但许多人一直支持“不断延续光学光刻”的呼声。248nm光刻性能的进一步扩展，更激励许多企业界人士指望用193nm光刻来完成45nm技术节点的光刻。     

PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径＞100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后，沉积速率提高了近10倍。分析认为，在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3)，而不可能是SiHn(n≤3)基团。     

Ku波段波导型双工器的研制

采用高精度的模式匹配法设计了一种Ku波段波导型双工器。双工器采用H面T接头和E面横向膜片波导带通滤波器。采用该方法设计的双工器精度高，结构简单，便于加工。文中也将理论结果和实测数据进行了比较，两者吻合得很好，证明了模式匹配法的精确性和有效性。