InGaN与采用InGaN作为背势垒的双异质结的生长

我们研究了采用MOCVD生长了InGaN与InGaN和AlGaN/GaN/InGaN/GaN双异质结。我们发现InGaN的质量会严重影响AlGaN/GaN/InGaN/GaN双异质结的特性。通过优化生长压力与生长温度得到高结晶质量的InGaN薄膜。由于InGaN的极化方向与AlGaN的相反,使得GaN层与InGaN层之间出现了一个高势垒,提高了载流子的限域性并且降低了缓冲层的漏电。采用InGaN作为背势垒的双异质结的DIBL仅为1.5 mV/V。当VDS= 10 V时,测量得到的关态漏电流为2.6 µA/mm。     

电子阻挡层对UV LED芯片老化后反向漏电的影响

着重对紫外(UV)LED芯片的反向漏电进行研究,使用高Al组分的AlGaN材料作为LED外延结构中的电子阻挡层(EBL),旨在解决UV LED芯片在老化后的漏电问题。结果表明,高Al组分的AlGaN EBL凭借其足够高的势垒高度,可以有效降低电子泄漏水平,从而改善UV LED芯片在老化后的反向漏电问题。选取365~415 nm波段、量子阱禁带宽度为3.0~3.4 eV的外延片为研究对象,研究了EBL工艺对老化后芯片漏电性能的影响,得到AlGaN EBL的最佳Al组分为30%~40%,对应禁带宽度为4.0~4.3 eV。使用该方法制作的UV LED芯片在经过长时间老化后,其漏电流可以保持在1 nA以下,综合性能大幅提升。     

应用于65nm CMOS技术节点漏电流分析的精确快速的查表模型

Novel physical models for leakage current analysis in 65 nm technology are proposed. Taking into consideration the process variations and emerging effects in nano-scaled technology, the presented models are capable of accurately estimating the subthreshold leakage current and junction tunneling leakage current in 65 nm technology. Based on the physical models, new table look-up models are developed and first applied to leakage current analysis in pursuit of higher simulation speed. Simulation results show that the novel physical models are in excellent agreement with the data measured from the foundry in the 65 nm process, and the proposed table look-up models can provide great computational efficiency by using suitable interpolation techniques. Compared with the traditional physical-based models, the table look-up models can achieve 2.5X speedup on average on a variety of industry circuits.     

基于自适应旁瓣对消的测角研究

自适应波束形成(ADBF)和自适应旁瓣对消算法都能够很好地抑制旁瓣干扰,但是由于干扰协方差矩阵的影响,ADBF在抑制干扰同时给和、差单脉冲测角带来误差.文中针对自适应旁瓣对消算法,系统研究了其在和、差单脉冲测角中的应用,着重分析了辅助天线中的目标信号对测角性能的影响.理论分析和仿真结果表明,辅助天线中的目标信号对测角的影响主要存在于辅助天线的增益大于差波束增益的角域,而在其他角域,影响很小.     

典型机箱的电磁屏蔽效能测试及电磁泄漏分析

测试了机柜中常用的典型机箱的电磁屏蔽效能,得出了该种机箱在频率段30MHz-1CHz时水平极化和垂直极化方式下、有散热孔和无散热孔时的屏蔽效能值,综合分析了影响机箱电磁泄漏的主要因素,为机箱的设计及选用提供了依据。     

分布式光纤光栅在管道检测中的应用

设计了一种分布式布拉格光纤光栅(FBG)传感器,给出了传感头的封装方法和传感阵列的工程铺设办法,熔封后的传感头增强了对泄漏点检测的灵敏性;进行了相应的实验,无石油泄漏处的光纤光栅的中心波长变化为Onm,而发生泄漏处的光纤光栅的中心波长变化为1nm,实验结果和理论分析是一致的。     

变温C-V和传输线模型测量研究AlGaN/GaN HEMT温度特性

通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温C-V测量和传输线模型变温测量,研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的直流特性在25～200℃之间的变化,分析了载流子浓度分布、沟道方块电阻、欧姆比接触电阻和缓冲层泄漏电流随温度的变化规律.得出了器件饱和电流随温度升高而下降主要由输运特性退化造成,沟道泄漏电流随温度的变化主要由栅泄漏电流引起的结论.同时,证明了GaN缓冲层漏电不是导致器件退化的主要原因.     

TEMPEST技术的发展与应用

本文阐述了TEMPEST技术的研究内容及发展情况，分析了机计算机等设备电磁信号泄漏及电磁防护措施，指出了IEMPEST技术与电磁兼容（EMC）技术间的关系以及该技术在国防保密及情报系统中的应用。     

合成孔径雷达运动目标的检测和成像研究

运动目标的检测和成像是合成孔径雷达的难题之一，但又具有很强的实际意义，本文将ADPCA技术同MP法结合起来用于运动目标的检测和成像，其中将ADPCA技术用于运动目标的检测．MP法则解决了运动目标参数提取这一难点．计算机模拟的结果验证了该两算法的可行性，本文最后给出了可行的运动目标成像框图．     

电信运营商数据防泄露体系研究

随着系统的逐步开放和数据的不断集中,电信运营商面临的数据安全风险正在急剧增加。通过对电信运营商数据泄漏各种场景的分析,结合国内外各大组织的研究成果、标准规范及最佳实践,梳理出一套适合电信运营商的数据安全防护方法,提出电信运营商数据防泄漏体系模型,并进一步给出未来云化环境下的演进建议,供电信运营商及同类企业在实施数据安全防护时参考。