你的主机是否安全？

很多组织机构都在加强对来自网络外部的攻击和基于网络应用的技术防范的同时,忽视了网络内部的攻击或防范,而目前超过80％的内部网络安全问题是导致Internet 87％信息泄漏的根源。而服务器系统的安全对于守住用户的信息保密性,完整性和可用性无疑是最后的一道防线,一旦被外部或内部的非法攻击所窃取与盗用,对系统安全的威胁后果将不堪设想。     

0.18μm CMOS器件低剂量率辐照模拟方法研究

本文研究了三种低剂量率效应的模拟方法,并利用0.18μm CMOS工艺晶体管进行了实验验证,研究结果表明,用一系列高剂量率辐照样品,两次辐照之间经100oC退火的方法在模拟连续的低剂量率辐照是最好的。该方法节约时间是很可观的,能够减少0.5rad(Si)/s低剂量率实验时间达45倍,而且提供了在低剂量率辐照下器件的详细信息。     

用GaAs MMIC实现2.1GHz的预失真线性化单片

介绍了一种预失真线性化单片电路,该电路单电源工作,采用预失真技术结合有源反馈的方法,完成了单片预失真线性化电路的研制.预失真线性化单片电路采用75 m m Ga As MMIC工艺研制,芯片面积约为4 mm2 .结果表明,2 .1GHz时此预失真单片电路可改善放大器的三阶互调分量9d B     

基于GSM／GPRS网络的数字广播发射网络管理系统

上海的数字电视单频网经过几年的发展,已初具规模,市区地面覆盖率已达95％以上。频网由4个发射点（虹桥发射点,东视发射点和教育台发射点）组成,信号覆盖整个市区。部分试点区域如203、延安东路隧道等信号覆盖盲区通过直放站,重发天线．泄漏电缆的方式来解决。     

韩国科学技术学院采用MEMS开关成功研发预防泄漏的DRAM

2007年6月10日法国里昂开幕的Transducers’07会议上,韩国科学技术学院（KAIST）宣布其采用MEMS开关研发出能消涂泄漏的DRAM。这种DRAM是KAIST与韩国三星电子公司联合研发的,论文题目为ADRAM—LikeMechanicalNon-volatileMemory。KAIST把这种元件归类为非挥发性内存。该元件在电路的构成上与DRAM基本相同,只是采用MEMS开关取代了晶体管,几乎不会泄漏电容的容量。实验证明,存储在电容器内的     

在后版图网表上优化泄漏功率

随着泄漏功耗成为待机模式下的主要能耗,降低泄漏功耗也成为客户实现节能的主要途径之一.故现有的实现流程中需要采用快捷的解决方案.不仅对设计收敛影响最小,还应尽可能地缩短执行的汇聚时间.建议的方案适合于那些采用双/三重Vth(阈值电压)技术、无需对现有RTL至GDS流程做任何修改的设计.     

基于辅天线的有源假目标欺骗干扰的极化识别

本文探讨了利用雷达主天线的变极化特性和辅助天线相结合来识别有源假目标欺骗干扰的可行性.首先建立了主辅天线对雷达目标和有源假目标干扰的接收信号模型.在此基础上,根据有源真假目标回波特性直观的差异提出了识别判决检验量,设计了有源真假目标的识别算法.最后,结合有源假目标干扰的极化特性,具体分析、评估了利用辅天线进行有源假目标欺骗干扰识别的性能.     

宽带DBF系统多通道校正及性能分析

针对数字波束形成(DBF)技术在宽带扩频通信系统中的应用,提出了一种基于复数傅里叶变换(CFFT)的宽带多通道校正方法。采用宽带线性扫频信号作为通道幅相误差校正的测试信号,在采集实际接收机数据的基础上,分析了信噪比、频谱泄漏以及由通道校正滤波器引起的群时延对校正精度的影响。通过修正复系数FIR滤波器(CFIR)的频域响应特性可以有效消除群时延的影响。依据宽带测试信号的时域和频域特性,选择适当的FFT点数,解决了测试信号频谱泄漏引起的校正精度低的问题。理论分析与实测结果都表明了该方法的有效性。利用实际数据仿真了天线阵列波束方向图,结果显示校正后的波束图十分接近理想情况下的波束图,两者峰值增益相差仅仅0.1dB,指向误差近似为0。     

宽带开环旁瓣对消技术

旁瓣对消是抗有源积极干扰的一种重要方式。文中介绍开环旁瓣对消的原理,分析了2个辅助天线系统的对消性能。针对带宽对对消性能的影响问题,提出对辅助通道信号采用延迟的方法来提高宽带系统的对消性能。仿真结果表明,只要延迟时间选择合理,这种方法是行之有效的。     

非完全密封金属板电磁屏蔽方法分析

防止电磁泄漏的屏蔽机柜往往因某些需要如板间接缝、开关孔、线缆孔、散热孔、仪表以及机械接头等,使屏蔽机柜带有缝隙（孔隙）,这样,缝隙（孔隙）的电磁泄漏就会降低总的屏蔽效能。文中对非完全密封金属板的电磁屏蔽效能进行计算及分析,并给出一些有效方法与建议。