TFT-LCD产业中GOA单元不良的研究

通过对TFT-LCD制造过程中GOA单元不良原因的研究,提出了改善GOA单元不良的方法。分析表明静电放电(ESD)的发生在于电容瞬间释放的电流过大,导致过细的金属线熔化;沟道桥接和开裂的发生在于显影效应,显影方向以及图案密度,导致局部区域沟道光刻胶厚度偏厚和偏薄。采用静电分散释放的连线设计,ESD的发生率从5.4%降低到0.04%以下。GOA单元两侧增加测试图样(Dummy Pattern)的设计防止沟道桥接的发生,减压干燥(VCD)抽气曲线的调整和软烘(Soft Bake)底部温度的优化措施防止沟道开裂的发生,沟道桥接和开裂的发生率从13.4%降低到1.22%以下。     

MAX14527/28：可调节过压保护器

Maxim推出过压保护器（OVP）MAX14527／28,能够在28V的故障电压下保护低压系统。这些器件采用内部100mΩ（典型值）低RON的MOSFET,防止过压时损坏电路。这种集成特性省去了外部n沟道MOSFET,从而节省了电路板空间并降低了成本。此外,器件还提供极大的设计灵活性,允许设计者通过可选的外部电阻,将过压保护门限调节至4V到12V范围内的任何电压。MAX14527／28理想用于蜂窝电话、媒体播放器、PDA以及其它需要精确过压保护的便携式设备。     

MAX5098A：汉路输出、高开关频率DC-DC转换器

Maxim公司宣布推出MAX5098A,MAX5098A是双路输出、高开关频率DC-DC转换器,集成高边或低边n沟道开关。每路输出可配置为buck转换器或boost转换器。配置为buck转换器时,转换器1和转换器2输出电流分别为2A和1A。MAX5098A也集成了抛负载保护电路,可承受汽车应用中高达80V的瞬态电压。抛负载保护电路采用内部电荷泵驱动外部n沟道MOSFET栅极。当出现过压或抛负载时,串联保护MOSFET可吸收高压瞬变以防止损坏低压器件。     

Vishay推出新款500V功率MOSFET

日前,Vishay宣布,推出新型500V电压的功率MOSFET-SiHP18N50C（TO-220）、SiHF18N50C（TO-220FULLPAK）、SiHG20N50C,将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。     

用CF_4等离子体处理来剪裁AlGaN/GaN异质结能带

自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF4等离子体处理对AlGaN/GaN异质结能带的影响。证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道电子气耗尽和夹断电压正移的根源。建立了夹断电压移动与异质结构间的关联,为精确的能带剪裁奠定了基础。针对GaN HFET对肖特基势垒、欧姆接触和沟道电场分布的要求,提出了用CF4等离子体剪裁能带的方案。     

SOI器件的增强短沟道效应模型

为了探索SOI器件总剂量辐照后阈值电压漂移量和沟道长度的关系,利用器件模拟软件ISE TCAD,对不同沟道长度的PDSOI NMOS管进行了总剂量辐照模拟.模拟结果表明,随着沟道长度的减小,背沟道MOS管阈值电压漂移越来越大,并且漂移量和辐照偏置密切相关,称此效应为SOI器件的增强短沟道效应.以短沟道效应理论为基础对此效应的机理进行了解释,并以短沟道效应模型为基础对此效应提出了一个简洁的阈值电压漂移模型,通过对ISE模拟结果进行曲线拟合对所提出的模型进行了验证.     

半桥MOSFET驱动器

AAT4910采用一个逻辑输入同时驱动高／低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时,高侧外部MOSFET开启;当逻辑输入为低时,低侧MOSFET开启。当采用5V电源轨供电时,该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。当驱动降低,启动输入随之将驱动器关闭,将运行电流降低至1μA以下。快速开关频率有助于将外部元件的成本和尺寸最小化。     

低压差稳压器可设定输出电压

APL5610／A是茂达电子所推出的低压差稳压控制IC,工作时外部需要搭配一颗N沟道MOSFET做为传送组件,IC输入电压操作范围在4．5V～13．5V,内部提供0．8V参考电压,搭配外部负反馈分压电阻可让使用者自由设定输出电压。稳压器的输出电流则由外部N沟道MOSFET来决定,能实现非常高的输出电流,并且能有极低的压差电压。APL5610／A适用于主机板、笔记本电脑等应用。     

VIshay发布新款microBUCK集成同步降压稳压器

近日,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出旗下microBUCK系列集成同步降压稳压器中的新器件——siC414。6ASIC414是DC—DC转换器解决方案,具有先进的控制器Ic和栅极驱动器、两个针对PWM控制优化的N沟道MOSFET（高边和低边）、在独立降压稳压器配置中的自启动开关,采用节省空间的MLPQ4mm×4mm的28引脚封装。     

4H-SiC隐埋沟道MOSFET迁移率的研究

研究了几种因素对4H-SiC隐埋沟道MOSFET沟道迁移率的影响.提出了一个简单的模型用来定量分析串联电阻对迁移率的影响.串联电阻不仅会使迁移率降低,还会使峰值场效应迁移率所对应的栅压减小.峰值场效应迁移率和串联电阻的关系可用一个二次多项式来准确描述.详细分析了均匀分布和不均匀分布的界面态对场效应迁移率的影响.对于指数分布的界面态,低栅压下界面态的影响基本上可以忽略不计,随着栅压的增加,界面态的影响越来越显著.