电子束照射LiF薄膜有源沟道的宽带光致发光

用热蒸发在玻璃衬底上制备了多晶LiF薄膜，研究了由电子束照射产生的有源沟道的室温宽带光致发光特性，研究表明，室温下有源沟道F2和F3^ 色心具有较大的光增益和折射率增量，有望实现可见波段的可调谐有源光波导器件。     

一种高精度带隙电压基准源改进设计

在原有经典三条支路结构的带隙基准电路基础上,通过减少带隙电压源的电流源镜像次数及控制电流源漏源电压,在减小器件失配影响的同时,进一步减小了沟道长度调制效应的影响,大幅度提高了基准电压源的精度,降低了温度系数.封装后200片统计测试的结果:输出电压精度为1.23±0.02V,标准偏差σ仅为0.007V,-40～85℃范围内的温度系数测试值在16ppm附近,芯片电源电流为100μA.该改进电路的设计仿真结果和流片测试结果有很高的一致性.     

交流电沉积制备PEDOT∶PSS有机电化学晶体管

使用3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)与聚(4-苯乙烯磺酸钠)(NaPSS)的混合水溶液为电解液,采用交流电沉积法在Pt微电极对之间沉积形成薄膜、线、枝晶等不同形貌结构的有机半导体(OS)沟道层。以NaCl电解质作为栅介质,Ag/AgCl电极作为栅极,一对Pt微电极中一个为源极,另一个为漏极,制备形成有机电化学晶体管(OECT)。采用计时电流法和循环伏安法对Pt电极聚(3,4乙烯二氧噻吩)∶聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT∶PSS)聚合过程进行了表征与检测。结果表明EDOT的氧化电位为0.9 V,PEDOT∶PSS的过氧化电位为1.2 V,电沉积制备PEDOT∶PSS的过程中物质输运扩散受限。进一步基于介电泳、电泳以及粒子间的聚合力分析了电化学参数对OS层形貌的影响规律。使用Keithley 2636B源表对OECT进行测试,结果表明制备的OECT为p耗尽型器件,薄膜状OS沟道层的器件性能最好,其跨导达到0.8 mS,开关比达到400。     

IR推出坚固可靠的超高速1400 V IGBT

正国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)宣布推出坚固可靠的超高速1400V沟道绝缘栅双极晶体管(IGBT)IRG7PK35UD1PbF,新器件为电磁炉和微波炉等软开关应用作出了优化。IRG7PK35UD1PbF与超低正向电压二极管共同封装,由于使用IR的Gen7薄晶圆沟道技术,可提供极低VCE(ON)和超高速开关,从而把感应加热产品内的导通和开关损耗降到最低,实现高系统效率。新器件的电压范围可扩     

3A同步降压稳压器

SiP12116组合了高边和低边N沟道MOSFET，采用电流模式恒定导通时间（CM—COT）控制，节省空间的3mm×3mm DFN10封装带有热焊盘，使设计者能在100mm。面积内实现一个完整的降压稳压器。     

相对论电子沟道辐射产生FEL的可行性分析

采用连续介质模型,研究了电子在晶片中的单粒子运动轨迹和稳定性条件.导出了晶片中相对论电子的自发辐射谱分布,证实了晶片中相对论沟道电子产生相干辐射的可能性.     

参数激励与大振幅近似下晶体摆动场的转动解

在经典力学框架内和偶极近似下,从势和场的观点出发,把晶体摆动场中的粒子运动方程化为了具有阻尼项和参数激励项的广义Mathieu方程,并对特殊情况下的Mathieu方程、摆方程和倒置摆方程进行了讨论.导出Mathieu方程的三种标准形式,分析了摆方程的三类轨道以及倒置摆的稳定区和不稳定区.用多尺度法找到了纯转动态的近似解和系统的临界曲线.指出了粒子的纯转动态就是准沟道态,准沟道粒子的电磁辐射就是准沟道辐射.     

基于量子模型的碳纳米管场效应晶体管电子输运特性

采用量子输运模型和NEGF理论,自洽求解薛定谔方程和泊松方程,对类MOS-碳纳米管场效应晶体管的电子输运特性建模。考察了沟道长度Lg为5~25 nm时,其对器件的导通电流、阈值电压、关态泄漏电流、电流开关比、亚阈值摆幅等性质的影响。结果表明:当Lg≥15 nm时,MOS-CNTFET没有量子尺寸效应;当Lg<15 nm时,器件出现短沟道效应;Lg<10 nm时短沟道效应更加明显。     

TFT-LCD产业中GOA单元不良的研究

通过对TFT-LCD制造过程中GOA单元不良原因的研究,提出了改善GOA单元不良的方法。分析表明静电放电(ESD)的发生在于电容瞬间释放的电流过大,导致过细的金属线熔化;沟道桥接和开裂的发生在于显影效应,显影方向以及图案密度,导致局部区域沟道光刻胶厚度偏厚和偏薄。采用静电分散释放的连线设计,ESD的发生率从5.4%降低到0.04%以下。GOA单元两侧增加测试图样(Dummy Pattern)的设计防止沟道桥接的发生,减压干燥(VCD)抽气曲线的调整和软烘(Soft Bake)底部温度的优化措施防止沟道开裂的发生,沟道桥接和开裂的发生率从13.4%降低到1.22%以下。     

MAX14527/28：可调节过压保护器

Maxim推出过压保护器（OVP）MAX14527／28,能够在28V的故障电压下保护低压系统。这些器件采用内部100mΩ（典型值）低RON的MOSFET,防止过压时损坏电路。这种集成特性省去了外部n沟道MOSFET,从而节省了电路板空间并降低了成本。此外,器件还提供极大的设计灵活性,允许设计者通过可选的外部电阻,将过压保护门限调节至4V到12V范围内的任何电压。MAX14527／28理想用于蜂窝电话、媒体播放器、PDA以及其它需要精确过压保护的便携式设备。