优化传输栅下电势分布改善四管像素的电荷转移效率

提出了一种通过优化传输栅下沿电荷转移路径的电势分布来提高电荷转移效率的方法。通过使用非均匀掺杂传输管沟道,形成了传输管沟道内部的电势分布梯度。通过对R1区与传输栅的交叠长度,R1区的掺杂剂量,防穿通注入（APT）与传输栅交叠长度的调整,减小了传输管沟道与箝位光电二极管（PPD）连接区域的电子势垒与电子势阱,增强了二者的电势连接。仿真结果显示,剩余电荷占总电荷的比例由1/104减小至1/107,转移时间由500 ns缩短为110 ns。这意味电荷转移效率得到了提高。     

IR针对家电电机驱动器应用推出新型IGBT——600V超高速沟道型IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF

全球功率半导体和管理方案领导厂商一国际整流器公司推出IRGR4045DPhF和IRGs4045DPbF,以此拓展绝缘栅双极型晶体管（IGBT）系列。全新600V超高速沟道IGBT能够为洗衣机和冰箱等家电与轻工业电机驱动应用提升性能及效率。     

低能粒子与X射线在碳纳米管(绳)内传输研究的现状

高能粒子(沟道)传输时, 粒子质量与入射能量有关。 低能粒子(沟道)传输时, 粒子(静止)质量与入射能量无关。 与其说高低能量区别, 不如说质量观念区别; 因此两者研究是不同观念的研究。 沟道连续势阱的柱状对称性与碳纳米管结构的变化无关。 X射线(沟道)传输表现为两方面: 在波动性方面, 它遵守光学散射规律; 在粒子性方面, 它被沟道连续势阱束缚。 For high energy particle transmission, its mass depends on its incident energy. For low energy particle transmission, its (static) mass is independent of its incident energy. The difference between the mass ideas is rather than that between high and low energies. Thus, these two transmission studies are very different in ideas. The column symmetry of transverse continuum potential well is independent of the nanotube structure. X ray transmission consists of two aspects: as wave, it is scattered by the laws of ray optics; as particle, it is captured in the transverse continuum potential well.     

漂移区减薄的多沟道薄膜SOI LIGBT的研究（Ⅰ）——低压截止动态泄漏电流的温度特性

提出了一种新结构薄膜SOI LIGBT－漂移区减薄的多沟道薄膜SOI LIGBT（DRTMC TFSOI LIGB）。主要研究了其低压态泄漏电流在423－573K范围的 温度特性。指出,通过合理的设计可以使该种新器件具有很低的的截止态高温泄漏电流,很高的截止态击穿电压,足够大的正向导通电流和足够低的正向导通压降。还指出,它不仅适用于高温低压应用,而且适用于高温高压应用。     

多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制

提出了一种新结构的低温多晶硅薄膜晶体管 ( poly- Si TFT) .该 poly- Si TFT由一超薄的沟道区和厚的源漏区组成 .超薄沟道区可有效降低沟道内陷阱密度 ,而厚源漏区能保证良好的源漏接触和低的寄生电阻 .沟道区和源漏区通过一低掺杂的交叠区相连接 .该交叠区使得在较高偏置时 ,靠近漏端的沟道区电力线能充分发散 ,导致电场峰值显著降低 .模拟结果显示该TFT漏电场峰值仅是常规 TFT的一半 .实验结果表明该 TFT能获得好的电流饱和特性和高的击穿电压 .而且 ,与常规器件相比 ,该 TFT的通态电流增加了两倍 ,而最小关态电流减少了3.5倍 .     

正向栅控二极管的R—G电流直接表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区

使用半导体器件数值分析工具DESSISE－ISE,对正向栅控二极管R－G电流表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区进行了详尽的研究,数值分析表明,由于栅控正向二极管界面态R－G电流的特征,沟道工程pocket或halo注入区的界面态会产生一个独立于本征沟道界面态R－G电流特征峰的附加特征峰,该峰的幅度对应于pocket或halo区的界面态大小,而其峰位置对应于pocket或halo区的有效表面浓度,数值分析还进一步显示了该附加特征峰的幅度对pocket或halo区的界面态变化的敏感性和该峰的位置对pocket或halo区的有效表面浓度变化的敏感性,根据提出的简单表达式,可以用实验得到的R－G电流的特征直接抽取沟道工程的pocket或halo注入区的界面态和的有效表面浓度。     

MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜，使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品，实验结果表明：GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致，即透射率越大，半高宽越小，结晶质量越好；而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品，其PL谱的带边峰却很弱，这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系，同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS／沟道结果。     

沟道层厚度对室温制备的In2O3薄膜晶体管器件性能的影响

在室温下采用直流磁控溅射以SiO₂/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In₂O₃薄膜晶体管,讨论了沟道层厚度对底栅In₂O₃薄膜晶体管的电学性能的影响。实验结果表明:器件的特性与沟道层厚度有关,最优沟道层厚度的In₂O₃薄膜晶体管为增强型,其阈值电压为2.5 V,开关电流比约为10⁶,场效应迁移率为6.2 cm²·V^-1·s^-1。     

GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌

考虑大沟道电流下外沟道局域电子气慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越势垒的动态模型,解释了沟道打开过程中源电阻增大、沟道电子平均速度下降、大沟道电流下跨导下降等各类跨导崩塌行为,解释了场效应管沟道电子速度远低于异质结材料的缘由。运用沟道打开时的异质结充电和大沟道电流激励下空间电荷触发的能带峰势垒模型解释了跨导钟形曲线上升段中的电流崩塌和下降段中的跨导崩塌。深入研究了陷阱和局域电子气的相互作用,解释了可靠性加速寿命试验中的跨导曲线变化。沟道夹断的强负栅压应力产生内沟道逆压电缺陷,减弱栅电压对内沟道电子气的控制和沟道打开时跨导的上升斜率。沟道打开后的大电流应力使局域电子气与晶格碰撞产生热电子缺陷和空间电荷,抬高能带峰势垒引发外沟道堵塞,降低沟道电流,导致阈值电压正移。这一研究证明在场效应管直流和射频工作中的器件性能退化都是由陷阱同局域电子气相互作用产生的,开创了优化设计异质结能带来提高场效应管可靠性的新途径。最后讨论大沟道电流下能带峰势垒引发的外沟道堵塞和跨导崩塌在场效应管研发中的重要作用,提出了在空间电荷区上方设置专用的异质结鳍来平衡内、外沟道能带,解开场效应管中的电流崩塌、跨导崩塌、线性、器件性能退化及3 mm高频工作等难点。     

高斯激光驻波场沉积Na原子的量子理论分析

利用量子理论,通过CRANK-NICOLSON数值方法对23Na原子受激光驻波场作用的物理过程进行模拟.模拟结果表明:正失谐时,原子以λ/2为周期会聚在驻波光场中波节处.随着光势阱加深或原子纵向速度改变,原子会聚结果分别符合薄透镜、厚透镜及沟道化模型.厚透镜模型中,当原子纵向速度增加,原子密度峰位置沿z方向向后漂移,峰在z方向半高宽增加.当激光功率增加或激光束腰减小,会聚面上峰半高宽减小,对比度增加,峰值增加.