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121.
人的卵母细胞特性的研究对于临床医学具有重要意义,可以通过卵母细胞的大小对其活性进行研究。采用微流控平台与MATLAB算法相结合的方法,利用微流控器件的沟道对卵母细胞进行挤压,由于卵母细胞的活性不同对于挤压的反应也不同,活性越好的卵母细胞通过沟道时变形性越好,经检测卵母细胞有很好的活性;拍摄卵母细胞发生形变与卵母细胞通过沟道的视频,利用MATLAB程序进行图像处理得到卵母细胞的大小,测得卵母细胞的直径约为170μm。这种方法有别于传统方法,在一定程度上使用了算法识别,提高了卵母细胞分析统计的准确度,提升了工作效率。由于人的卵母细胞比较珍贵,只进行了初期实验研究,证明此方法确实可行。 相似文献
122.
为解决封装GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的芯片热阻难以测量的问题,提出了采用热反射热成像测温装置测量芯片热阻的方法。采用365 nm波长紫外发光二极管(LED)作为测温装置的光源测量芯片沟道区域GaN材料的温度,以近似峰值结温;采用530 nm波长可见光LED作为光源测量芯片底面金属的温度。测温过程中,采用图像配准技术和自动重聚焦技术调整由于热膨胀引起的位置偏移和离焦。对芯片底面金属测温结果进行了误差分析。最后,在4个加热功率下测量了芯片热阻,测量结果显示芯片热阻与总热阻之比超过52%。 相似文献
123.
124.
Using positive surface charge instead of traditional γ-ray total dose irradiation, the electric field distribution of a P-channel VDMOS terminal has been analyzed. A novel terminal structure for improving the total dose irradiation hardened of P-channel VDMOS has been proposed, and the structure is simulated and demonstrated with a -150 V P-channel VDMOS. The results show that the peak current density is reduced from 5.51 × 10^3 A/cm^2 to 2.01 × 10^3 A/cm^2, and the changed value of the breakdown voltage is 2.5 V at 500 krad(Si). Especially, using 60Co and X-ray to validate the results, which strictly match with the simulated values, there is not any added mask or process to fabricate the novel structure, of which the process is compatible with common P-channel VDMOS processes. The novel terminal structure can be widely used in total irradiation hardened P-channel VDMOS design and fabrication, which holds a great potential application in the space irradiation environment. 相似文献
125.
该文从动态功耗在工程上有界限的观点出发,讨论单沟道传输门的相对绝热计算原理。在此基础上设计单沟道和双沟道传输门动态绝热锁存器,使其保存信息时,存储介质与外界隔离。将两种绝热锁存器进行比较、分析,并用计算机模拟程序检验其结果。 相似文献
126.
从 3个层面研究了分子束外延 Al0 .48In0 .52 As/ Ga0 .47In0 .53As/ In P功率 HEMT结构材料生长技术。首先 ,通过观察生长过程的高能电子衍射 (RHEED)图谱 ,确立了 Ga0 .47In0 .53As/ In P结构表面层的 MBE RHEED衍射工艺相图 ,据此生长的单层 Si-doped Ga0 .47In0 .53As(40 0 nm) / In P室温迁移率可达 6960 cm2 / V· s及电子浓度 1 .3 3 E1 7cm- 3。其次 ,经过优化结构参数 ,低噪声 Al0 .48In0 .52 As/ Ga0 .47In0 .53As/ In P HEMT结构材料的 Hall参数达到μ30 0 K≥ 1 0 0 0 0 cm2 / V· s、2 DEG≥ 2 .5 E1 2 cm- 2 。最后 ,在此基础之上 ,降低 spacer的厚度、在 Ga0 .47In0 .53As沟道内插入 Si平面掺杂层并增加势垒层的掺杂浓度获得了功率 Al0 .48In0 .52 As/ Ga0 .47In0 .53As/ In PHEMT结构材料 ,其 Hall参数达到μ30 0 K≥ 80 0 0 cm2 / V· s、2 DEG≥ 4 .0 E1 2 cm- 2 。 相似文献
127.
AlainLaptadePeter BlumenroetherAlexCraig 《今日电子》2003,(12):C006-C007
~~汽车应用MOSFET的技术趋势@Alain Caprade Peter!飞兆半导体汽车技术市务发展专家
@Blumenroethl Alex Craig!飞兆半导体汽车技术市务发展专家 相似文献
128.
129.
沟道刻蚀型a-SiTFT是TFT的一种。本文介绍了沟道刻蚀型a-SiTFT矩阵的结构和原理.重点介绍了它的制造工艺。 相似文献
130.