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101.
ToranosukeAshizawa 《电子工业专用设备》2004,33(6):13-15
现已开发出了用于浅沟道隔离穴STI雪、铜CMP和低k介质的新型材料。90nm以及下一代技术节点的新型器件要求在软接触CMP条件下减少缺陷率,改善片子表面形貌的衰减。获得的新材料展示了在CMP性能和街写特性方面的改进,因此这些材料被认为能够适应未来技术要求。这些材料的关键之处在于大颗粒尺寸的控制,进行平面化和金属抛光的化学控制以及将控制方法用于旋涂玻璃()材料。 相似文献
102.
103.
本文报告了硅互补金属氧化层硅(CMOS)电压倒相电路的直流稳态电压和电流转移特性和功率耗散. 这电路用一只实际的﹑纳米尺度的双极场引晶体管(BiFET)实现. 通过数字求解五个偏微分方程,可获得这些电学特性. 方程是基于这种器件结构:在薄纯硅基层的两表面上各有一个MOS栅,在这薄基的两端都有电子和空穴接触. 内部条件和CMOS边界条件用于三种势(静电势和电子及空穴电化学势). 用一台装有Windows XP-PRO下的64位FORTRAN语言的双核个人计算机,快速地计算出一系列曲线. 相似文献
104.
一种采用新型复合沟道GaN HEMTs低噪声分布式放大器 总被引:1,自引:1,他引:0
设计研制了一种新型的低噪声分布式放大器,采用了栅长为1μm的低噪声复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT (CC-HEMT). 给出了低噪声分布式放大器的仿真和测试结果. 测试结果显示低噪声分布式放大器在2~10GHz频率范围内,输入和输出端口驻波比均小于2.0,相关增益大于7.0dB,带内增益波纹小于1dB . 在2~6GHz频率范围内,噪声系数小于5dB;在2~10GHz频率范围内,噪声系数小于6.5dB; 测试结果与仿真结果较吻合. 相似文献
105.
场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场.自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场引晶体管,因电子电流理论用多余内部和边界条件,不可避免忽略空穴电流.多余条件,诸如电中性和常空穴电化电势,导致仅用电子电流算内部和终端电学特性的错误解.当忽略的空穴电流与电子电流可比,可在亚阈值区和强反型区,错误解有巨大误差.本文描述普适理论,含有电子和空穴沟道和电流.用z轴宽度方向均匀的直角平行六面体(x,y,z)晶体管,薄或厚、纯或杂基体,一或二块MOS栅极,描述两维效应及电势、电子空穴电化电势的正确内部和边界条件.没用多余条件,导出四种常用MOS晶体管,直流电流电压特性完备解析方程:半无限厚不纯基上一块栅极(传统的Bulk MOSFET),与体硅以氧化物绝缘的不纯硅薄层上一块栅极(SOI),在沉积到绝缘玻璃的不纯硅薄层上一块栅极(SOI TFT),和薄纯基上两块栅极(FinFETs). 相似文献
106.
应变硅已成为延伸摩尔定律(Moore's Law)的重要技术手段之一.综述了应变硅技术的发展及趋势.首先,从物理理论上分析了应变对硅沟道迁移率的影响;然后介绍了现有的各种应变硅技术;最后,分析了应变硅技术的发展趋势. 相似文献
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108.
109.
110.
人的卵母细胞特性的研究对于临床医学具有重要意义,可以通过卵母细胞的大小对其活性进行研究。采用微流控平台与MATLAB算法相结合的方法,利用微流控器件的沟道对卵母细胞进行挤压,由于卵母细胞的活性不同对于挤压的反应也不同,活性越好的卵母细胞通过沟道时变形性越好,经检测卵母细胞有很好的活性;拍摄卵母细胞发生形变与卵母细胞通过沟道的视频,利用MATLAB程序进行图像处理得到卵母细胞的大小,测得卵母细胞的直径约为170μm。这种方法有别于传统方法,在一定程度上使用了算法识别,提高了卵母细胞分析统计的准确度,提升了工作效率。由于人的卵母细胞比较珍贵,只进行了初期实验研究,证明此方法确实可行。 相似文献