GaAs／Al_0．33Ga_0．67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化

利用高压光致发光方法在液氮温度下和０—３５ｋａｒ的压力范围内对不同层厚的ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ短周期超晶格以及具有相近组份的Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ体材料进行了系统的研究．测得Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ体材料的Γ谷和Ｘ谷的压力系数分别为８．６ｍｅＶ／ｋｂａｒ和－．５７ｍｅＶ／ｋｂａｒ．在一定的压力范围内同时观测到了短周期超晶格中与类Γ态和类Ｘ态相关的发光峰，从而得到了类Γ态能级和类Ｘ态能级随压力的变化关系．首次获得了有关ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ短周期超晶格能带不连续性（包括价带     

电磁加载下的高能量密度物理问题研究

1物质的高能量密度状态文中所述的高能量密度状态是指物质由于受到外界能量输入或自身能量转换,使其内能增大而造成的高压力、高密度和高温度状态。能量的体积密度的量纲等同于压力的量纲,由此可知内能增加量为1MJ/cm3时,物质内部的压力约为1TPa量级。通常认为在高能量密度状态下,固体物质的可压缩性应有显著影响,气态物质应达到接近极限压缩的程度,相当于0.1TPa或0.1MJ/cm3的内能密度。密度为0.01g/cm3的物质被加热到100eV,其压力则为0.1TPa,对氢气而言比能量约10MJ/g。高能炸药PBX-9404的化学反应能密度约为0.0096MJ/cm3,爆压为36…     

一些高Tc超导体的弹性性质

 本文用超声相比较方法测定了高T_c超导体La_1.85Sr_0.15CuO₄，La₂CuO₄和YBa₂Cu₃O₇的纵波和横波声速，进而导出了它们的纵向模量、切变模量、杨氏模量、泊松比、德拜温度及定体比热。在La_1.85Sr_0.15CuO₄样品上，还进行了压力实验，发现所有弹性模量都是随压强增加而增加。定体比热c_V和泊松比σ在高压下则略有下降。德拜温度是随压强增加而增加的。     

频率式硅电容压力传感器的研究

本文对频率输出的硅微机械结构电容压力传感器进行了研究。利用有限元程序和解析方式对岛－膜硅电容膜片进行了分析。采用硅体型微机械加工技术和集成电路兼容工艺完成了压力元件的制作。对易于ＣＭＯＳ集成的两种新颖的接口电路进行了分析和设计，提高了传感器的性能。     

为学生打开自主学习的空间--一个高中物理教学案例与思考

现在，整个教育界都在提倡创新教育和自主探究式学习．笔者曾经尝试着在课堂上渗透让学生自主学习的思想，努力创设情景给学生多一些创新的机会，允许并鼓励他们在课堂上提出自己的看法．但课堂教学，特别是在目前仍受考试压力影响的高中课堂中，教师和学生依然面临着升学压力．无奈的现实很难在课堂上落实这些“理念”．毕竟学生这么多、课时这么少、教学任务又如此之重，作出一个教学决定又要考虑方方面面的因素，     

成本压力推动托管服务的成长

不断增长的削减成本的需求正迫使企业走向托管服务。据IDC说，企业正认识到托管服务不仅节省成本，而且提供了通向科技的通道一这个科技通道使他们得以将其IT基础设施进行转型，以推动生产力并提升竞争力。[第一段]     

高压下C60晶体玻璃化行为的理论研究

通过构造C_(60)分子间的相互作用，研究了在不同压力下C_(60)晶体中的取向有序结构．利用计算出来的两个取向之间的能量差和相隔势驿，研究了热平衡时取向占有几率和玻璃化转变温度的压力相关性．结果与实验符合．     

高聚物固体电解质聚氧化乙烯－溴化铜复阻抗谱及介电常数的静水压效应

采用分子量５００万的聚氧化乙烯和无水溴化铜，通过混溶蒸发法制备成高聚物固体电解质Ｐ（ＥＯ）ｎ－ＣｕＢｒ２薄膜，并在０．１～３００ＭＰａ范围不同的流体静水压下详细测量其复平面阻抗谱，分别得到在不同压力下离子电导率和介电常数与测量频率的关系．进一步解谱准确地求出Ｐ（ＥＯ）ｎ－ＣｕＢｒ２（ｎ＝１２、１６）薄膜离子电导率和介电常数的静水压效应，并结合Ｘ－光物相分析，根据离子迁移通道的物理图象和高聚物的极化机构进行了初步的讨论．添加２０％的增塑剂碳酸丙烯酯，较大改进了压力下的导电性．１２０～３００ＭＰａ的离子电导率提高一个数量级     

关于平衡2NO2=N2O4等温压缩引起的颜色变化问题

关于平衡２ＮＯ＿２＝Ｎ＿２Ｏ＿４等温压缩引起的颜色变化问题吴国庆（北京师范大学化学系１００８７５）中学课本里在讲解压力对气态化学平衡的影响时，以２ＮＯ＿２＝Ｎ＿２Ｏ＿４为例证．并且设计了一个针简实验。对这个实验的现象，教科书的描述如下：“…把注射器的...