全文获取类型
收费全文 | 3816篇 |
免费 | 843篇 |
国内免费 | 1324篇 |
专业分类
化学 | 1391篇 |
晶体学 | 120篇 |
力学 | 758篇 |
综合类 | 51篇 |
数学 | 189篇 |
物理学 | 1243篇 |
无线电 | 2231篇 |
出版年
2024年 | 36篇 |
2023年 | 146篇 |
2022年 | 177篇 |
2021年 | 179篇 |
2020年 | 131篇 |
2019年 | 150篇 |
2018年 | 101篇 |
2017年 | 125篇 |
2016年 | 127篇 |
2015年 | 155篇 |
2014年 | 262篇 |
2013年 | 242篇 |
2012年 | 223篇 |
2011年 | 253篇 |
2010年 | 240篇 |
2009年 | 312篇 |
2008年 | 307篇 |
2007年 | 245篇 |
2006年 | 256篇 |
2005年 | 244篇 |
2004年 | 220篇 |
2003年 | 197篇 |
2002年 | 171篇 |
2001年 | 185篇 |
2000年 | 148篇 |
1999年 | 125篇 |
1998年 | 126篇 |
1997年 | 112篇 |
1996年 | 136篇 |
1995年 | 117篇 |
1994年 | 120篇 |
1993年 | 82篇 |
1992年 | 80篇 |
1991年 | 86篇 |
1990年 | 56篇 |
1989年 | 71篇 |
1988年 | 23篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 5篇 |
1985年 | 6篇 |
1983年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有5983条查询结果,搜索用时 265 毫秒
1.
微结构表面浸没水下所形成的液气界面对减阻等应用具有重要意义.液气界面的稳定存在是结构功能表面发挥作用的前提.因此,如何增强液气界面的稳定性以抵抗浸润转变过程,以及在液气界面失稳之后,如何实现去浸润过程以提高液气界面的可恢复性能,均具有重要的科学研究意义和实际应用价值,也是国内外研究关注的热点问题.本文针对具有多级微结构的固体表面,研究其在浸没水下后形成的液气界面的稳定性和可恢复性.通过激光扫描共聚焦显微镜对不同压强下液气界面的失稳过程和降压后的恢复过程进行原位观察,实验结果和基于最小自由能原理的理论分析相吻合.本文揭示了多级微结构抵抗浸润转变以及提高液气界面可恢复性能的机理:侧壁上的次级结构(纳米颗粒、多层翅片)通过增加液气界面在壁面的表观前进接触角增强了液气界面的稳定性;底面的次级结构(纳米颗粒和封闭式次级结构)可以维持纳米尺寸气核的存在,有利于水中溶解气体向微结构内扩散,最终使液气界面恢复.本文的研究为通过设计多级微结构表面来获得具有较强稳定性和可恢复性的液气界面提供了思路. 相似文献
2.
汉王科技股份有限公司目前已经拥有了一百多项国家专利技术和软件著作权,是第一家技术授权给微软的中国软件公司,并与诺基亚、索爱、LG、联想等国内外知名企业开展了合作,汉王业已成为汉字识别领域的佼佼者、国内最大的文字识别技术与产品的提供商。 相似文献
3.
通过一个小型监控单元的设计实践 ,详细介绍了一种使用89C51单片机和大屏幕液晶显示模块DMF -50081,进行图形和文本混合显示的软硬件设计思路和编程技巧。给出了DMF -50081与单片机的硬件连接电路和部分程序代码 相似文献
4.
简要介绍交互数字电视中间件标准MHP的基本原理以及数字电视交互界面的分层模型,详细讲述如何基于XletView模拟器进行数字电视交互界面的设计与实现。 相似文献
5.
7.
8.
字库文件的分解与实现 总被引:1,自引:0,他引:1
提出一种制取电子显示屏中的16×16点阵自备字库的软件和硬件的方法,所制成的字库符合要求,效果良好。 相似文献
9.
固体间界面的物理模型和界面对声波的反射 总被引:4,自引:0,他引:4
简要描述了模拟两固体间界面特性的弹簧模型,该模型最早是根据静力学方法提出的,后来用固体间界面薄层的声波反射方法加以改进,从界面弹簧模型可以方便地得到界面外近似边界条件,其中包含界面“弹簧”振子的劲度常数和质量,文章还给出了两相间固体中界面声反射系数的表达式,介绍了测量界面劲度常数的超声反射谱方法。最后讨论了仍关声波与界面相互作用研究领域中最近的一些研究进展。 相似文献
10.
用粉末冶金方法制备了6066Al合金和不同SiCp含量的6066Al/SiCp复合材料,用多功能内耗仪在200~600 K温度区间内测试了所研究材料在升温过程中的内耗变化趋势,探讨了6066 Al /SiCp复合材料在不同温度区间的内耗机制.结果表明6066Al/SiCp的内耗值比6066Al合金内耗值高,特别是在高温阶段比6066Al合金内耗值高得多;6066Al/SiCp和6066Al合金在300~470 K时的内耗主要是位错与第二相颗粒交互作用引起的位错内耗,在高温下内耗主要由Al/Al、Al/SiC的界面微滑移引起. 相似文献