Organic Electroluminescent Thin Film Using 8—hydroxyquinoline Zinc as Emitting Layer

Organic electroluminescent thin film using Znq2(Znq2) as the emitting layer material with structure of glass/ITO/Znq2/Al(cell) was fabricated.The V-I curve ,V-B curve and electroluminescent spectra of the cell were measured.Meanwhile the fluorescent spectra, excited spectra and absorption spectra of Znq2 with power and film states were also measured.     

倾斜下降管气液两相分层流截面含气率的计算与液层高度的预测

分层流是气液两相流中常见的流动型式，分层流中液层高度是计算的基本数据，由于界面波的存在，对液层的测量和预测都很困难．Ｖｌａｃｈｏｓ提出了预测气液两相分层流液层厚度的关系式，但这一关系式并不适用于倾斜下降管气液两相流．本文提出了计算倾斜下降管气液两相分层流截面含气率的理论模型，在这种模型下得到的截面含气率和实验结果符合良好．在大量实验的基础上，考虑了倾角、管径、气液各相折算速度的影响，根据实验数据提出了预测液层厚度的关系式。     

基于频域方法的三维物体分层重现

基于频域方法实现了数字记录和再现三维物体离轴全息图.通过频谱对应关系求得各个面的频谱分布,使用数字滤波方法,成功地消除了零级衍射和共轭像;通过改变再现距离,分别获取了三维物体各个截面的再现像.     

基于MPLS第三层VPN

基于MPLS第三层VPN技术由于只和MPLS域的边缘路由器发生关系，使得用户在不需要了解VPN拓扑结构的情况下就能完成对用户边缘路由器和提供边缘路由器的配置，这一点对VPN的可扩展性至关重要。更为重要的是基于MPLS第三层VPN可以将用户提升为服务提供，实现多层VPN。本通过一个实例介绍基于MPLS第三层VPN的工作机制。     

常用激光介质膜的斜入射性能

本文给出了多层介质膜反射率与入射角的关系的计算机程序，并列出了部份常用激光膜片反射率-角度曲线。     

Formation of Interfacial Layers in LaAlO3/Silicon during Film Deposition

We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics.     

NEC开发32nm逻辑LSI多层布线技术

NEC和NEC电子开发出了面向32nm工艺逻辑LSI的多层布线技术，布线间隔为100nm。通过改变low-k膜的成膜方法，达到了32nm工艺LSI所需的性能，同时解决了绝缘耐久性过低的问题。     

浅析电信故障申告系统的开发

本文介绍了如何利用互联网络建设基于VPN内网的电信故障申告系统,从设计开发和实际使用角度详细阐述"电信故障申告系统"项目的功能性和拓展需求,并提出可靠的系统实施技术方案。该系统的特点主要有:系统实时性高、兼容性好、可扩展、可跨平台使用、易于故障处理的收集和检索、提高故障反应时间,为电信的业务发展提供有力保障。     

Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散

对以本征Si及重掺杂ｐ型和ｎ型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究，并通过退火，增大Fe，Si之间的扩散，分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明，层状结构良好的制备态的多层膜，Fe，Si之间也存在一定程度的扩散，它是影响层间耦合的 主要因素，远远超过了半导体意义上的重掺杂，使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现，在一定范围内增大Fe，Si之间的扩散，即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化，Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变. 关键词： Fe/Si多层膜 层间耦合 界面扩散     

一类二层优化问题的极大熵方法

文章对一类下层带有公差的特殊的二层优化问题构造出不同于文[1]-[4]的极大熵函数来近似表示下层极值函数,地不可微二层优化问题转化为可微优化问题来处理，从而得到一类二层优化问题的ε－最优解的一种计算方法。