焊料键合实现MEMS真空封装的模拟

结合典型的焊料键合MEMS真空封装工艺,应用真空物理的相关理论,建立了封装腔体的真空度与气体吸附和解吸、气体的渗透、材料的蒸气压、气体通过小孔的流动等的数学模型,确定了其数值模拟的算法.通过实验初步验证了模拟结果的准确性,分析了毛细孔尺寸对腔体和烘箱真空度的影响,实现了MEMS器件真空封装工艺的参数化建模与模拟和仿真优化设计.     

衬底温度对VUV光直接光CVD SiO2／Si界面缺陷的影响

研究了ＶＵＶ（真空紫外）光直接光ＣＶＤ（化学汽相淀积）ＳｉＯ２／Ｓｉ界面微结构缺陷与衬底温度（Ｔｓ）的关系。实验结果表明：在３２℃￣１８０℃的温度范围内，与Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩模相对应的ＩＲ峰位随Ｔｓ的降低从１０６０ｃｍ＾－１增加到１０８０ｃｍ＾－１。固定氧化物电荷密度（ΔＮｏｔ）在Ｔｓ〉１２０℃后，呈正电性，与位于３．１０ｅＶ的氧空位缺陷相关；在Ｔｓ〈１００℃一侧，呈负电性，与２．８４ｅＶ能级位置     

太赫兹带状注器件

带状注是指束流截面近似为矩形或椭圆形的电子注,且具有大的宽高比。相对于传统的圆形注,带状注具有很多优点,例如大电流和大互作用面积等。由于太赫兹波具有高频率、宽频带、高传输速率等优点,因此太赫兹科学与技术近年来发展迅速。作为一种新型的真空电子器件,太赫兹带状注器件在高功率、高增益、高效率及小型化方面具有良好的技术优势。但是,带状注在传输过程中易出现Diocotron不稳定性,难以保持长距离稳定的聚焦传输,从而导致带状注的技术优势难以发挥。本文综述了带状注的产生成形方式和聚焦传输方法,以及太赫兹带状注器件的研究进展,同时讨论了它所面临的挑战和未来的发展方向。     

用于雷达的新型真空电子器件

真空电子器件在雷达的发展历程中发挥了重要作用,是雷达系统的核心器件,两者相辅相成、相互促进。随着设计仿真能力的不断提升,以及新材料新工艺的出现,真空电子器件出现了一些新的发展动向。器件性能不断提升,也出现了一些新型真空电子器件,这都为新型雷达探测技术的发展提供了很好的器件支撑。该文从微波毫米波器件及功率模块、集成真空电子器件、太赫兹、大功率和高功率5个方面介绍了真空电子器件新的发展趋势以及所取得的最新研究成果。      

电子轰击电荷耦合器件的研制

作者采用多碱光电阴极、静电聚焦的电子透镜系统、背照CCD、高密度引脚的玻封结构以及超高真空处理技术,成功研制出了具有实时电子成像功能的电子轰击电荷耦合器件(Electron Bombarded Charge-CoupledDevice,简称EBCCD)。该器件的主要结构和性能参数为:有效光阴极直径18 mm、光谱响应范围400~850nm、光电阴极灵敏度200μA/lm、CCD像素数512×512、暗信号不均匀性18%。图1为该EBCCD样管实物照片,图2为该样管所输出的图像。图1制成的EBCCD样管的实物照片图2 EBCCD的输出图像电子轰击电荷耦合器件是一种对微弱光信号敏感的成像型…     

半导体设备真空与检漏

基于实际应用,介绍了半导体设备真空结构和真空室常用部件,讲述了He质谱检漏仪的使用方法.总结了真空检漏的经验,阐述了微漏难检的现状.分析了磁控溅射台和ICP真空故障,采用静压检漏法和He质谱检漏仪检漏法,给出了零部件微漏导致这些设备抽不上高真空的结论.指出今后的发展方向是真空部件小型化,以及根据设备特点来提高真空部件的可靠性.结果表明,先排除干扰因素,再细心检漏,可大大提高检漏效率,使设备尽快恢复正常.     

德国斯派克新出手持式X荧光光谱仪

斯派克公司近期开发出了坚固轻便的手持式SPECTRO xSORT荧光光谱仪,用于现场金属材料的分析和分选。仪器可在2秒钟内分析出从元素周期表Mg到Th的多达41种元素,如要分选铝合金和镁合金则也只需要10秒。无须氦气冲洗或真空系统即可分析Al,Mg,Si和P元素。     

CVD法制备纳米洋葱状富勒烯的研究

纳米洋葱状富勒烯（NOLFs）的常用制备方法有：直流电弧法、高能电子束辐照法、化学气相沉积法、真空热处理法、机械球磨法和射频等离子法等。由于这些方法目前制备出的NOLFs形状不一，颗粒不均匀，有的不完全是球形，所以我们采用的是将二茂铁溶于环已烷中的CVD法制备NOLFs，     

基于PIC16F877A的永磁无刷直流电机的控制器设计

随着科技的发展,对无刷直流电动机的性能提出更高的要求.本文在研究无刷直流电动机数学模型、导通方式的基础上,以单片机PIC16F877A为核心设计控制系统硬件电路和软件程序,硬件电路包括电机转子位置检测电路、PIC16F877A最小系统、转子位置检测电路、IGBT驱动保护电路和系统信息反馈电路,并利用MPLAB软件编译平台编写控制系统软件程序.通过对实验结果的分析：可知本文所设计的控制系统性能可靠、结构简单,能够实现对无刷直流电机的可靠控制.     

真空微电子微波管

本文在扼要地提及真空微电子学的主要进展（如：场发射阵列，场发射显示器和微波毫米波器件等）后，主要叙述了发展真空微电子微波管的主要内容，问题及其意义，场发射阵列的三个重要特点（冷阴极，高发射能力和栅极控制）可用于发展新一代的高频率，高效率，高功率，超小型和长寿命的面向２１世纪的高性能微波管：真空微电子微波管，双栅极场发射阵列，电子流的形成与维持，与其相匹配的互作用电路，特殊的器件结构和相关的制管工艺