气体动理学方法对斜界面不稳定性实验的数值模拟

介绍了基于BGK模型(Bhatnagar-Gross-Krook)的气体动理学数值方法(Gas Kinetic Scheme,GKS),通过计算多组分激波管问题对以GKS方法实现的MBCD程序进行了验证,表明了在接触间断处产生的震荡非常小,网格收敛性好。在多组分问题求解时各组分满足同温和同速的假设条件下,利用该程序开展了Air/SF6斜界面不稳定性实验的数值模拟,得出了不同时刻SF6的密度分布图,并得到交界面宽度、斜界面左右端相对位置在激波穿过斜界面后的变化情况。通过与实验结果的比较可知,GKS方法和程序在网格数为1024×200和512×100时得到的交界面宽度与实验值的最大误差分别为6.1%和7.3%,可用于对界面不稳定性问题的计算。     

Influence of reaction gas flows on the properties of SiGe:H thin film prepared by plasma assisted reactive thermal chemical vapour deposition

A new preparing technology, very high frequency plasma assisted reactive thermal chemical vapour deposition （VHFPA-RTCVD）, is introduced to prepare SiGe：H thin films on substrate kept at a lower temperature. In the previous work, reactive thermal chemical vapour deposition （I~TCVD） technology was successfully used to prepare SiGe：H thin films, but the temperature of the substrate needed to exceed 400℃. In this work, very high frequency plasma method is used to assist RTCVD technology in reducing the temperature of substrate by largely enhancing the temperature of reacting gases on the surface of the substrate. The growth rate, structural properties, surface morphology, photo- conductivity and dark-conductivity of SiGe：H thin films prepared by this new technology are investigated for films with different germanium concentrations, and the experimental results are discussed.     

不锈钢材料及TiN镀膜处理后PSD测试实验研究

PSD性能是评价电子储存环真空室材料及材料表面处理优劣的一个重要指标.对一约1.5m长不锈钢管道真空室进行了镀TiN薄膜处理,并在合肥光源机器研究用光束线(MSB)的PSD实验站上对该真空室在镀TiN薄膜处理前后分别进行了PSD性能测试实验研究.测试研究结果表明,TiN薄膜处理对于减小不锈钢材料PSD有非常明显的作用.     

中能重离子微束辐照装置的研制

微束辐照装置是将辐照样品的束斑缩小到微米量级,能够对辐照粒子进行准确定位和精确计数的实验平台,是开展辐照材料学、辐照生物学、辐照生物医学以及微加工的有力工具.中国科学院近代物理研究所(IMP)正在研制中能重离子微柬辐照装置.该装置以兰州重离子加速器(HIRFL)系统提供的中能和低能重离子束流为基础,采用磁聚焦方式形成微米束.束运线上两台铅垂方向的偏转磁铁辅以四极磁铁构成对称消色差系统,将束流导向地下室,再用高梯度的三组合四极透镜强聚焦形成微米束斑,在真空中或大气中辐照样品.它将成为国内首台能够提供从低能(10MeV/u)到中能(100MeV/u)的重离子微束的公共实验平台,用于定位、定量照射靶物质(生物细胞、组织或其它非生物材料等),有助于深入揭示重离子与物质相互作用的本质,也为探索重离子辐照效应的应用提供新的手段.     

用于闪光照相的1MV Rod-Pinch二极管辐射特性

Rod-Pinch二极管(RPD)在小尺度闪光照相方面具有良好的应用前景.根据理论方面的研究结果以及实验室具备的驱动源装置水平,设计了相应结构的RPD,并在1MV工作电压下开展了较为详细的性能实验研究.最终在二极管轴向(0.方向)lm处得到的x光剂量为1.21rad-1.45rad.对于阳极直径为lmm的二极管,其X光焦斑直径仅为0.8mm-1.1mm.X光信号的脉宽为18.1ns-27.5ns.研究表明RPD将是一种用于小尺度闪光照相的理想的X光源.     

2．44-2．6MeV^178Hf核高激发态能级及性质

Coliins低能诱导6179Hfm^m2辐射衰变“正”面实验结果受到质疑的原因之一是未能确定出诱导实验的中间激发态。^178Hf核能级结构的实验数据表明：距同质异能态^178Hf^m2（2．446Mev）最近的一条能级是2．573MeV（K^π=14^＋）。因此，详细计算^178Hf核2．44-2．6MeV范围内高自旋、高激发核能级结构，对寻找低能诱导^178Hf^m辐射衰变中间激发态，分析低能诱发辐射实验可行性非常必要。     

利用数值模拟测量闪光照相中的H-D曲线

H-D曲线表明了照射量与底片光学密度之间的关系，是定量提取客体信息的基础。尽管实验上提出了许多测量“屏-片”的H—D曲线的方法，但这些方法所采用的实验布局与实际照相环境存在一定的差异。第一，许多实验采用的光源是单能源（如^60Co），没有体现底片系统对不同X射线能量的响应特性；第二，实验装置与实际照相模型存在比较大的差异，由于光子能谱和角分布以及散射的影响，测量的H-D曲线往往很难用到实际照相中；第三，也是更重要的一点是目前测量高能X射线照射量的仪器的测量误差较大，     

碳纳米管悬浮液光限幅机理实验

近年来，实验发现碳纳米管在光限幅中表现出良好的性质，其光限幅带宽宽，响应时间短，限幅阈值较低，使其成为继C60后又一理想的光限幅材料。为了研究其光限幅机理，测量了碳纳米管悬浮液的散射和透射能量随入射激光能量的变化，限幅过程中散射光的角度分布以及探针光随时间的变化。