存储技术

RH850/F1x系列:FlaSh存储器瑞萨电子株式会社推出面向汽车车身应用的RH850/F1 x系列32位微控制器,配置了先进40nm工艺的嵌入式Flash存储器。RH850/F1x系列由3组产品,RH850/F1L、RH850/F1M和RH850/F1H组成,从低端到高端共50多款产     

薄热氮氧化硅介质膜中的电流传导机构

本文回顾了半导体介质膜中几种主要导电机构。提出了陷阶辅助二步隧穿模型来描述深度氮氧化膜SiO_xN_y的电导特性,而浅度氮氧化膜的电导则可用增强Fowler-Nordheim隧穿来描述。根据模型计算的理论曲线和实验结果符合得很好,决定二步隧穿过程的主要参数φ_t和N_t在2.46—2.56eV和1.2×10¹⁹—7.2×10²⁰cm^-3范围内。这些结果和前人实验结果相一致,并从俄歇分析结果得到满意解释。上述二步隧穿模型同样适用于MNOS结构或含有陷阶的其他介质MIS结构的电导过程。 关键词：     

氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应

本文观察和测量了Si_3N_4和SiO_xN_y薄膜在俄歇电子谱(AES)分析中的电子束和离子束效应。结果表明在高束流密度电子束辐照下没有观察到任何损伤特征峰。延长辐照时间仅导致氧的解吸和Si、N讯号增加,最后达到一个稳定态。Si_3N_4和SiO_xN_y对离子辐照很容易造成损伤。但在高束流密度的电子束辐照下离子损伤的表面可以恢复。恢复程度与电子束流密度、束能、辐照时间和样品制备工艺有关。最后,本文对离子辐照损伤和恢复的机理进行了讨论。     

a-SiN_xO_y∶Er~(3+)薄膜的光致发光

采用射频 (RF)反应共溅射法制备了 a- Si Ox Ny∶ Er3+薄膜 ,在不同温度下进行退火处理 ,并测量了样品的可见及红外发光 PL谱 ,观察到 Er3+ 在 5 5 0 nm、5 2 5 nm和 15 32 nm的发光以及基质在 6 2 0 nm和 72 0 nm的发光 .发现退火能明显增强 Er3+ 的发光且对可见和红外发光的影响不同 ,讨论了退火明显增强 Er3+ 发光及退火对可见和红外发光影响不同的机理 .测量了 Er3+ 可见发光的变温 PL谱 ,讨论了退火对 Er3+ 不同能级辐射跃迁几率的影响 .根据基质发光随退火温度的变化 ,分析了基质发光峰的起源     

利用硅片线锯屑合成氮氧化硅粉体研究

以回收提纯硅片线锯屑粉与气相白炭黑为原料,合成出晶须状氮氧化硅粉体.实验研究了原料摩尔配比、保温温度、保温时间等工艺参数对氮氧化合成产物的影响.结果表明,回收提纯硅片线锯屑粉与气相白炭黑摩尔比为2.0:1 ～2.6:1、保温温度为1380℃、保温时间为4h条件下可获得较为纯净的氮氧化硅粉体.产物中同时伴生一种类似于Ol-SiAlON结构的氮氧化硅低温亚稳相(LM Si2N2O),且该亚稳相含量随着原料摩尔配比的降低、温度的升高、时间的延长逐渐降低.所形成的氮氧化硅呈晶须状的原因与白炭黑的气化挥发及随后的氮氧化硅气相沉积生长机制有关.     

氮氧化硅与氧化硅玻璃结构,性能与量子化学计算研究

用自洽场离散变分X_α(SCF-X_α-DV)量子化学计算方法研究了氮氧化硅及氧化硅玻璃,讨论了氮原子取代氧原子之后在结构、性能与化学键等方面的变化规律。计算表明氮氧化硅与氧化硅玻璃之间在性能上的差异,主要不是由Si-N和Si-O键的伸缩力常数之间的差异所引起的,也不是由Si-N和Si-O键的离子键强度之间的差异所引起的。Si-N共价键比Si-O共价键强,是N-Si-N键弯曲力常数比O-Si-O键大的主要原因,也与氮氧化硅玻璃比氧化硅玻璃具有更好的化学稳定性和更高的扬氏模量的实验结果一致。     

氮氧化硅与氧化硅玻璃结构,性能与最子化学计算研究

用自洽场离散变分Ｘα（ＳＣＦ－Ｘα－ＤＶ）量子化学计算方法研究了氮氧化硅及氧化硅玻璃，讨论了氮原子取代氧原子之后在结构、性能与化学键等方面的变化规律。计算表明氮氧化与氧化硅玻璃之间在性能上的差异。主要不是由Ｓｉ－Ｎ和Ｓｉ－Ｏ键的伸缩力常数之间的差异所引起的，也不是由Ｓｉ－Ｎ和Ｓｉ－Ｄ键的离了键强度之间的差异所引起的。     

用于MEMS开关的低应力氮氧化硅桥膜

给出了用于微机电(MEMS)开关悬浮桥的低应力氮氧化硅(SiOxNy)薄膜的制备工艺研究结果,分析了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备低应力薄膜的影响因素,通过改变反应气体(SiH4,NH3和N2O)的流量比,用PECVD方法生成系列SiOxNy薄膜样品.利用形貌仪测量样品的曲率半径,计算相应的应力.研究表明,当反应气体(SiH4,NH3和N2O)的流量比为32∶12∶8(N2标定)时,可以得到张应力值为76.8 MPa的SiOxNy薄膜,其折射率为1.688,Si,N和O三种元素的成分比为56.3∶23.7∶20.0.将此薄膜生长工艺应用于开关制备,得到了适用于DC～10 GHz频段的MEMS接触式开关,其驱动电压为23.3 V.     

基于氮氧化硅与聚合物混合集成低功耗全内反射热光开关

利用具有相反热光特性的氮氧化硅(SiON)与聚合物材料,采用混合集成技术设计了一种低功耗全内反射(TIR)热光波导开关。该光开关通过在两交叉的氮氧化硅波导芯的X结中心部分制作一个深度等于波导芯厚度的狭缝,并在其中填充与波导包层相同的聚合物材料,同时在狭缝聚合物上方制作加热电极来实现开关功能。理论分析表明,通过选择与氮氧化硅折射率相匹配的聚合物材料,并优化设计单模光波导尺寸,两交叉波导间的夹角、所开狭缝的宽度以及相应的加热电极结构,对于1550nm的工作波长,开关的驱动功率在低至2.3mW时仍可实现消光比均大于36dB,串扰均小于-36dB的TE与TM模式。     

Cu金属化系统双扩散阻挡层的研究

采用二次离子质谱仪（SIMSl测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能;采用X射线衍射仪（XRD）测量了沉积态有Ta阻挡层和无阻挡层Cu膜的晶体学取向结构;利用电子薄膜应力测试仪测量了具有双层阻挡层Cu膜的应力分布状况。测试结果表明,双阻挡层中Ta黏附层有效地将Cu附着于Si基片上,并对Cu具有一定的阻挡效果,而SiON层则有效地阻止了Cu向SiO2中的扩散。与Ta阻挡层相比,双阻挡层具有较好阻挡性能。有Ta阻挡层的Cu膜的（111）织构明显强于无阻挡层的Cu膜。离子注氮后,薄膜样品应力平均值为206MPa;而电镀Cu膜后,样品应力平均值为-661．7MPa。