P波段脉冲功率组件

叙述了Ｐ波段脉冲功率组件的设计方法和测试结果，它的主要技术指标为，频率５４０￣６００ＭＨｚ连续可调，脉冲宽度１０￣１０００μｓ，占空比１％￣４０％均可调，脉冲功率输出大于３Ｗ。     

GaN MESFET的微波性能

用ＭＯＣＶＤ法制备了在高电阻率ＧａＮ层上生长沟道厚度为０．２５μｍ的ＧａＮＭＥＳＦＥＴ，这些器件的跨导为２０ｍＳ／ｍｍ，其中一个栅长为０．７μｍ的器件，测得其ｆＴ和ｆｍａｘ分别为８和１７ＧＨｚ。     

MBL 8011M单声道后级功率放大器

MBL8011M与8011S都是8011C的后继机型,8011S面市时间较早,而8011M其实就是8011S的单声道版本,两者的差别就在于箱体的大小及重量。8011M单只重量为21kg,比双声道设计     

高集成度智能功率模块PIIPM50P12B004

国际整流器公司推出的ｉＮＴＥＲＯ可编程隔离式智能功率模块（ＰＩ-ＩＰＭ）将功率平台整合到单一封装的嵌入式驱动器板上 ,同时该板上还纳入了一个可编程数字信号处理器。这款ＰＩ-ＩＰＭ功率模块可提供灵活的高性能解决方案 ,它适用于高达１５ｋＷ的三相交流感应及直流无刷工业伺服电机。同时可降低电机驱动器功率平台 ,简化相关控制和外围设备设计并降低成本。ＰＩＩＰＭ５０Ｐ１２Ｂ００４的额定值为１２００Ｖ和５０Ａ ,它内含三相逆变器功率平台所需的各种功率半导体器件及一个４０Ｍｉｐｓ的可编程数字信号处理器 ,同时具有电流传感…     

Ablation of GaN Using a Femtosecond Laser

We study the pulsed laser ablation of wurtzite gallium nitride(GaN) films grown on sapphire,using the femtosecond laser beam at a central wavelength of 800nm as the source for the high-speed ablation of GaN films.By measuring the backscattered Raman spectrum of ablated samples,the dependence of the ablation depth on laser fluence with one pulse was obtained.The threwshold laser fluence for the ablation of GaN films was determined to be about 0.25J/cm^2,Laser ablation depth increases with the increasing laser fluence until the amount of removed material is not further increased.The ablated surface was investigated by an optical surface interference profile meter.     

短波长半导体激光器开发动向

对ＧａＮ和ＺｎＳｅ系两类主要材料制备蓝绿色激光器方面的问题和发展动向作了介绍。     

扬声器系统对晶体管功率放大器输出级的影响

扬声器系统对晶体管功率放大器输出级的影响张轻屯杨成东前言日常生活中使用音响器材时，有时会出现一些高级晶体管功率放大器推动一个普通扬声器系统时，还不如老式的单边变压器耦合输出或者ＯＴＬ输出推动时听音效果好的问题；或者某些品牌机只能去推动某些扬声器系统才...     

工科《高等数学》模块教学的设计方案

本文通过分析传统《高等数学》教材内容编排的一些不足 ,提出了模块教学的整体思想 ,并制定了模块教学的设计方案