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用同步辐射光电子能谱表征了不同氧分压下通过热蒸发镁在GaAs(100)面制备氧经物超薄膜过程中的氧物种,结果表明表面氧物种的形式与镁氧配比有关,较高的氧分压下于形成活泼的分子离子等氧中间体,因此通过控制镁氧比可以制备高效的薄膜模型催化剂或适合于功能材料集成的规则氧化物过渡层,氧物种的形式可以通过能谱中不同的原子或分子轨道电子跃迁来有效地区分。 相似文献
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用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, Vbd). 研究结果表明,低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小,而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大,击穿电压测试值也发现与击穿电量
关键词:
薄氧
可靠性
击穿电压
击穿电量 相似文献