超细银粉制备技术的现状与展望

本文介绍了超细银粉制备技术的各种方法,尤其重点介绍了真空油面蒸发法和沉淀过滤法等。并对各种方法的优缺点作了比较。同时展望了今后超细银粉制备技术的发展方向。     

电化学制备亚微米氧化铝有序多孔膜方法研究

采用电化学阳极氧化法制备亚微米氧化铝有序多孔膜,研究了铝电极预处理过程、扩孔时间、阳极氧化时间和阳极氧化电压对亚微米氧化铝有序多孔膜孔径、孔密度以及孔排列有序性的影响规律,并且建立了一个理想模型来探讨亚微米氧化铝多孔膜的生长过程.     

钼粉处理新工艺对95%氧化铝陶瓷金属化质量的影响

分别采用传统工艺和新工艺处理了陶瓷金属化用钼粉,并利用激光粒度分析、FESEM、X射线射、金相、扫描电镜、拉伸试验、氦质谱检漏等方法研究了处理前后钼粉的粒度及其分布、颗粒形貌、松装密度、氧含量、相组成,金属化膏层的表面状态,金属化层及界面组织,金属化层的封接强度和气密性。物理性能测试结果表明,新工艺处理钼粉的松装密度明显提高,氧含量增幅明显减小,且无杂相污染。配浆及丝网印刷试验显示,含新工艺处理钼粉的金属化料浆流动性好、固液比高,金属化膏层表面光亮细腻,金属化层致密度高。装管成品拉伸试验表明,含新工艺处理钼粉的金属化层的封接强度提高35%,拉伸后出现断瓷现象;这缘于钼粉容易烧结致密化并形成均匀连通的钼骨架。     

硅基氧化铝纳米有序孔列阵制备

本文报道用自组织法在硅片上制备纳米多孔氧化铝列阵的技术．在Ｐ型〈１００〉晶向,电阻率为０．５Ω·ｃｍ的清洁硅片上,用电子束蒸发一层４００ｎｍ厚的９９．９９％高纯铝膜,然后将其作为阳极,浸入１５ｗｔ％Ｈ２ＳＯ４溶液中,在直流恒压４０Ｖ、恒温０℃条件下进行电化学氧化处理．处理结束后,分别用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对样品实施了平面形貌和横断面形貌观察,结果表明,在硅片上形成了一层厚约７００ｎｍ,孔间距５０ｎｍ,孔径１７ｎｍ,局域呈六度对称的氧化铝纳米有序孔列阵．这种纳米多孔列阵可用作制     

一种激光微细熔覆直写布线的新技术

激光直写技术因其不需要掩模就可以在绝缘基板表面直接制备各种高精度、复杂形状的导电层而受到广泛重视。但是，布线速度过低和工艺复杂一直是阻碍该技术工业化应用的瓶颈。提出了一种以导电金属粒子、有机成膜物质构成的复合导电浆料为熔覆物质，以有机环氧板为绝缘基板，采用CO2激光加热直接制备线路板的新工艺、新方法。所布导线宽度为350μm，布线速率为2～20mm／s，所用的激光功率为0～20W，光斑直径约为100μm。系统研究了激光直写导电层的组织结构特征、导线与基板的结合强度以及导线导电率的变化特征。结果表明，激光微细熔覆直写布线层与基材结合牢固，所布导线的电阻率与导电银颗粒的体积分数及激光功率的大小有关，工艺参数与材料配比合适时，导线电阻率可以达到10^-6Ωcm的数量级，能够满足工业应用的要求。最后，对普通环氧树脂板下激光微细熔覆金属导电浆料直写导线时导线的形成机理和导电机理进行了分析。     

一种应用于全印制电子沉铜催化浆料制备及其应用

制备出一种应用于全印制电子沉铜催化浆料,采用电化学工作站的开路电位-时间(OCP-t)的技术,测定活化浆料引发沉铜的Emix-t曲线,比较不同含银量对引发过程的影响;在此基础上,应用于制造电子标签(RFID)。结果表明:随银含量增大,缓慢生成铜活性中心的诱导时间越短,活性越高;沉铜催化浆料及其对应的工艺加成法制作的电子标签导电性和结合力符合工业化要求,可以作为一种全印制电子技术来推广应用。     

基于多孔氧化铝模板的ZnO纳米线的制备

首先制备了优良的多孔氧化铝有序孔洞阵列,以其为模板,采用直流电化学沉积的方法,在其规则排列的孔中沉积得到锌纳米线;然后将其在高温下氧化,得到氧化锌纳米线.利用X射线衍射谱、扫描电子显微镜等手段研究了它们的微结构性质.X射线衍射谱表明,用电化学沉积方法得到的锌和氧化锌纳米线均为多晶结构.     

ICP-AES法测定滑石中主次量成分

本文报道了采用ICP－AES法测定滑石中的成分。将滑石试样经碳酸钠、硼砂混合熔剂熔融、酸浸取，用电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP－AES）同时测定SiO2,MgO,CaO,Al2O3,Fe2O3，方法回收率在98.8%-104.0%，测定的RSD(n=6)在0.12%-0.24%之间，测试结果与部颁标准的化学分析法基本相符。     

氧化铝钝化在晶体硅太阳电池中的应用

首先,回顾了氧化铝钝化技术的发展历程,对制备氧化铝钝化薄膜的手段进行了总结,并且详细描述了氧化铝的材料性质和钝化的机理。其次,指出氧化铝薄膜的优点在于优异的场效应钝化特性和良好的化学钝化性质,因此可以应用于低掺和高掺p型硅表面的钝化。此外,氧化铝薄膜及其叠层还具有良好的热稳定性,符合丝网印刷太阳电池的要求。最后,总结了氧化铝薄膜钝化技术在晶体硅太阳电池中的最新研究动态,指出氧化铝钝化薄膜用于工业生产中存在的问题,并针对这些问题提出了有效的解决方案。