用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.     

一种带电做F头的方法

集中供电的有线电视网络具有良好的性能，不受电源不同步影响，在各地有线网络中占有很大比重，目前没有进行改造的地区的网络已经进入严重老化期，特别是F头和电缆的连接部分严重氧化，有很多都需要断掉一部分电缆重新做F头。     

CdS改性TiO2光催化剂的制备及结构

在半导体光催化剂中，TiO2具有光催化活性高、无毒和抗光腐蚀性好等优点，但纯TiO2光催化剂直接利用太阳光进行光催化氧化的效率较低，而利用贵金属元素和稀土元素等在TiO2中进行掺杂改性时，改性光催化反应必须在高压汞灯或紫外灯下进行，不符合节能原则。     

生物分子拉曼散射测定过程中荧光背景的抑制

拉曼共焦技术、表面拉曼增强技术以及降低入射激光强度的方法，被运用于SOD、DNA等生物分子拉曼散身实验中，以抑制其荧光背景，改善光谱质量。     

Ni扩散LiNbO3脊形波导MZ调制器的制作技术

最近几年，宽带光通信系统已成为开发热点，并大大促进了高速集成光学器件的研究与发展。LiNbO3电光调制器由于有带宽较宽、可抑制啁啾性能、波长独立性等优点，是宽带光通信系统必不可少的器件。目前LiNbO3调制器已取得很大进展，但由于LiNbO3具有高介电常数，使带宽受     

硅的等离子体深腐蚀

湿法化学腐蚀已被广泛地应用于敏感器件传感结构的微细加工中.近年来,在VLSI中等离子体干法腐蚀已成为获得细线条图形的可行技术.然而,干法腐蚀工艺无论是等离子体腐蚀或反应离子腐蚀,相对于湿法腐蚀来说都是比较慢的.在需要深腐蚀的应用中(如电子束光刻的对准符号刻蚀,电路隔离槽或敏感器件的微细结构腐蚀)当前都着力提高腐蚀速率.在传感器的开发中,主要问题之一是封装,为简化到处于测量环境的传感器的外部连接,希望通过传感器背面进行连接.在化学传感器中,背面连接最为有利.因为假如所有的引线都     

SrO－La_2O_3／CaO催化剂表面的碱性和催化行为Ⅰ．CO_2－TPD及进料中CO_2对催化行为的影响

添加ＳｒＯ使Ｌａ２Ｏ３／ＣａＯ催化剂的碱性增强及甲烷氧化偶联反应的Ｃ２产率提高，但反应温度随ＳｒＯ含量增加而升高．反应活性高的ＳｒＯ－Ｌａ２Ｏ３／ＣａＯ催化剂，容易被ＣＯ２中毒．催化剂失活的主要原因是表面活性位被碳酸盐覆盖．催化剂失活之前，反应气中添加ＣＯ２可抑制产物中ＣＯ２的生成，提高Ｃ２产率     

金属表面生成氧化膜在电解质中的电位

测量金属表面生成氧化膜在电解质中的电位时,金属/氧化膜/电解质/参比电极构成了多电极体系,其中包括3个电池,由3个电池之间的关系、电池过程中所有的电化学反应、电荷传输步骤和化学反应步骤,导出电位的普遍适用的公式: E=E_a⁰+sum from s=1 to 3|η_t,s|-1/(ne)v₇ΔG₇, E=E_c⁰-sum from s=4 to 6|η_t,s|+1/(ne)v₈ΔG₈.当金属/氧化膜/电解质电池受到不同的步骤控制时,可以得到不同的简化公式.