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A series of FeCoHfO films were fabricated by dc magnetron reactive sputtering at varying partial pressure of oxygen (Po2) from 0 to 11.7%, and the electrical and magnetic properties of films have been studied. It is shown that optimal Fe43.29 Co19.51Hf7.49 O29.71 films with desired properties can be obtained when the films were prepared under Po2= 5.1%. The films show superior properties of low coereivity, Hc ∽5.5 Oe, relatively high saturation magnetization, 47rMs · 18.3 kG, high anisotropy field Hk ∽ 65 Oe, and high electrical resistivity ρ∽ 2675 μΩ·cm. Permeability spectra shows that the natural ferromagnetic resonant frequency is as high as 3.1 GHz. The combined merits of the film make the films taken as an ideal candidate material for high-frequency applications such as noise suppressor. In addition, the effects of the film thickness and annealing treatment on the magnetic properties are also reported. 相似文献
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运用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD),在LaAlO3(LAO)单晶上沉积YBa2Cu3O7-x(YBCO)超导薄膜。通过使用优化的进液装置,使金属有机源连续、稳定地输送至蒸发皿进行闪蒸。通过优化总气压、氧分压等生长条件,获得高质量的YBCO薄膜。在固定的温度条件下,调节反应总气压和氧分压,在总压为380Pa,氧分压为180Pa获得YBCO薄膜临界电流密度Jc=0.6MA/cm2。随着氧分压增大,YBCO薄膜产生a轴取向,(005)峰向左偏移,且薄膜中的Cu/Ba由1.0变化至1.63。在Cu/Ba=1.48时,YBCO薄膜结构与性能较优。 相似文献
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Theoretical study of the structure and analytic potential energy function for the ground state of the PO2 molecule
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In this paper, the energy, equilibrium geometry, and harmonic frequency of the ground electronic state of PO2 are computed using the B3LYP, B3P86, CCSD(T), and QCISD(T) methods in conjunction with the 6-311++G(3df, 3pd) and cc-pVTZ basis sets. A comparison between the computational results and the experimental values indicates that the B3P86/6-311++G(3df, 3pd) method can give better energy calculation results for the PO2 molecule. It is shown that the ground state of the PO2 molecule has C2v symmetry and its ground electronic state is X2A1. The equilibrium parameters of the structure are Rp-o = 0.1465 am, ZOPO = 134.96°, and the dissociation energy is Ed = 19.218 eV. The bent vibrational frequency Ul = 386 cm-1, symmetric stretching frequency v2 = 1095 cm-1, and asymmetric stretching frequency ua = 1333 em-1 are obtained. On the basis of atomic and molecular reaction statics, a reasonable dissociation limit for the ground state of the PO2 molecule is determined. Then the analytic potential energy function of the PO2 molecule is derived using many-body expansion theory. The potential curves correctly reproduce the configurations and the dissociation energy for the PO2 molecule. 相似文献
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采用反应热蒸发法制备ITO薄膜,详细研究了氧分压对薄膜的晶体结构及光电性能的影响。当氧分压较小时,在XRD谱中发现了对应于SnO(112)晶向的衍射峰,随着氧分压的增大,薄膜的晶体结构变得完整,性能得到了改善,在较低的衬底温度下(TS=160℃)获得最小的电阻率为5.3×10-4Ωcm,但是,当更多的氧进入薄膜后一方面填充了氧空位,另一方面与Sn4+相结合形成复合中性粒子(Sn+In)2O"i,使得锡的掺杂作用减弱,薄膜的电阻率增大,同时在近红外区域的透过率增大。 相似文献
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氧分压和沉积速率对YSZ薄膜残余应力的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用摩尔分数为7%的Y2O3掺杂的ZrO2混合烧结料为原料,在不同的氧分压和沉积速率下用电子柬蒸发方法沉积氧化钇稳定氧化锫(YSZ)薄膜样品.利用ZYGO Mark Ⅲ-GPI数字波面干涉仪对YSZ薄膜的残余应力进行了研究,讨论了氧分压和沉积速率等工艺参量对残余应力的影响.实验结果表明,不同氧分压和沉积速率下,YSZ薄膜的残余应力均为张应力;应力值随氧分压的升高先增大后减小,随沉积速率的增加单调增加.热应力对薄膜所呈现的张应力性质起着决定性作用,同时应力值的大小受本征应力和附加应力的影响.通过对样品的X射线衍射(XRD)测试,结合薄膜微结构的变化,对应力的形成原因进行了解释. 相似文献
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在不同的氧分压下用电子束热蒸发的方法制备了ZrO2薄膜。分别通过X射线衍射、光学光谱、热透镜技术、抗激光辐照等测试,对所制备样品的微结构、折射率、吸收率及激光损伤阈值进行了测量。实验结果表明,薄膜中晶粒主要是四方相为主的多晶结构,并且随着氧分压的增加,结晶度、折射率以及弱吸收均逐渐降低。薄膜的激光损伤阈值开始随着氧分压增加从18.5J/cm2逐渐增加,氧分压为9×10-3Pa时达到最大,值为26.7 J/cm2,氧分压再增加时则又降低到17.5 J/cm2。由此可见,氧分压引起的薄膜微结构变化是ZrO2薄膜激光损伤阈值变化的主要原因。 相似文献
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