氦镉激光管中氦气的清除

本文在实验中证实了氦镉激光功率下降的主要原因是氦气的清除．发现阴极溅射是气体清除的主要原因。用了十来种阴极作了寿命实验，发现经一定处理工艺的钽和钼的溅射较小，吸收也较小。本文报导了寿命为1000小时输出为50毫瓦的大功率氦镉激光器，加了不均匀磁场后输出为100毫瓦。     

氦质谱细检漏的基本判据和最长候检时间

国内外普遍认为,现行军用标准有关氦质谱细检漏的测量漏率判据,对于筛选后内部水汽含量小于5 000 ppm的要求过于宽松.但标准改进中,加严判据与检测条件之间的矛盾,使人们处于困窘的局面.作者主张以氦气交换的时间常数τHe为主要变量,以严密等级τHemin为基本判据,简化了氦质谱细检漏测量漏率公式,选择了一条可更为简捷分析和处理问题的技术途径.进而推演提出了压氦法和预充氦法的最长候检时间公式,小内腔容积时再辅以二步检测法和贮存法,可从几倍到几个数量级地拓展最长候检时间,从而破解了候检时间过短这一技术瓶颈,为降低吸附漏率创造了条件,为设计加严判据要求的压氦法和预充氦法的固定方案和灵活方案,为全面改进密封性氦质谱检测方法标准提供了理论依据,对控制密封元器件长期贮存后的内部水汽、提高其可靠性有重要意义.     

Si~＋、As~＋双离子注入半绝缘GaAs的研究

本文采用Ｓｉ＋和Ｓｉ＋、Ａｓ＋单、双离子多重注入半绝缘砷化镓［ＨＢ－ＳＩＧａＡｓ（Ｃｒ）］．研究发现，双离子注入层经无包封快速热退火后，激活率和电子迁移率较单Ｓｉ＋注入样品明显提高．Ｒａｍａｎ谱显示结构完整性好，并且有好的载流子剖面分布．文中从化学计量比角度出发分析了激活率提高的原因和从注入离子增强扩散系数分布来解释了多重Ｓｉ＋、Ａｓ＋双注入的载流子浓度剖面分布．     

一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的阈电压解析模型

本文提出一个非均匀掺杂、短沟道MOSFET阈电压的准二维解析模型。用此模型对各种不同条件下的微米、亚微米MOSFET的阈电压进行了计算,其结果与二维数值分析程序得到的结果相符甚好。本模型可用于电路分析程序,工艺容错分析及器件的优化设计。     

注BF^＋2MOS电容的电离辐射效应

着重研究了γ辐照后,不同偏置情况下,N—Sub MOS电容的高频C—V曲线随B_2~+注入剂量的变化,并对实验结果进行了分析讨论。     

注碳外延硅的荧光特性研究

研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV,剂量为2×1016cm-2的碳离子注入后的外延单晶硅片,在氢气氛下高温退火及电化学腐蚀处理。荧光谱仪分析表明电化学腐蚀是蓝光发射的前提,并且不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大。不同的激发光波长亦可影响发光谱的峰位。     

B~+注入隔离在宽禁带半导体中的应用

利用B~+离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离。通过Monte Carlo软件TRIM模拟,优化离子注入能量和剂量。在SiC MESFET中测量两组不同条件的样品及在GaN HEMT测量了三组同种条件的样品都得到了纳安级电流,表现了很好的隔离效果;通过测试表明离子注入隔离的器件相比台面隔离器件的击穿电压有一定程度提高。     

100 nm P型超浅结制作工艺研究

介绍了一种P型超浅结的制作工艺。该工艺通过F离子注入和快速热退火技术相结合,获得了比较先进的100nm以内的P型超浅结;重点研究了影响超浅结形成的沟道效应和瞬态增强扩散效应;详细介绍了制作过程中对沟道效应和瞬态增强扩散效应的抑制。     

半导体激光与氦-氖激光治疗带状疱疹性神经痛的疗效观察

目的:观察半导体激光与氦一氖激光治疗带状疱疹性神经痛的临床疗效.方法;将患者73例随机分为2组,半导体激光治疗组39例,采用半导体激光治疗;氦-氖激光治疗组34例采用氦-氖激光治疗.结果:半导体激光治疗组有效率为97.5%:氦-氖激光治疗组有效率为79.4%.两组比较差异显著(p＜0.05).结论:半导体激光照射治疗带状疱疹疗效较高.     

Terahertz transmission properties of Cr ion implantation glass

<正>Cr ion implantations in glass with the different doses of D=1.493×10~(17) and 4.976×10~(17) ion/cm~2 are obtained by metal vapor vacuum arc(MEVVA).The effects of the different Cr ion implanted doses on terahertz(THz) transmission property are analyzed from THz time-domain spectroscopy.The results show that the more the Cr ion implanted dose in the micro-area implantation glasses,the larger the THz transmission except the larger absorption at 0.24 THz.This is an effect attributed to the coupling of plasmas on both the implantation and the implantation affected zones of the Cr ion implantation glass.